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公开(公告)号：CN113467562A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110674626.0
申请日：2021-06-17
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及一种高端无运放带隙基准源，包括：PTAT电流产生电路、基准源输出电路和启动电路，其中，PTAT电流产生电路的输出端分别连接基准源输出电路的输入端和启动电路的输入端，PTAT电流产生电路用于产生与温度变化呈正相关的正温度系数电流；基准源输出电路用于产生和输出基准电压；启动电路的输出端分别连接PTAT电流产生电路的输入端和基准源输出电路的输入端，启动电路用于确保高端无运放带隙基准源的启动和工作。本发明的高端带隙基准源，在输入电压变化时，产生一个始终比输入电压低一个带隙电压的参考电压，可广泛应用在高压功率驱动电路中，而且该带隙基准源采用自偏置结构，内部电路不含运算放大器电路，大大降低了电路的功耗和复杂度。
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公开(公告)号：CN112560892A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011239220.1
申请日：2020-11-09
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明实施例提供的一种基于机器学习的DC‑DC电源的健康状态监测方法，通过构建DC‑DC电源退化电路，获取该电路当前时间的退化特征参数，使用训练好的机器学习分类模型对第一特征向量进行识别，确定DC‑DC电源退化电路所属的故障模式，以此确定该电路中发生退化的易退化元件或者易退化元件组合，实现故障元件的精准定位，然后使用训练好的隐马尔科夫模型对第一特征向量识别，确定DC‑DC电源退化电路的健康状态，以此预测电路的寿命。相较于现有技术的故障定位及寿命预测方法，本发明可以更加简洁的实现精准的故障定位以及提高预测DC‑DC电源寿命的准确性。
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公开(公告)号：CN114185387B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202111243447.8
申请日：2021-10-25
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明涉及一种基于电流比较器的低功耗过温保护电路，包括：负温系数产生电路、电流比较器和整形电路，其中，负温系数产生电路的输入端连接偏置电压，输出端连接电流比较器的第一输入端；电流比较器的第二输入端连接偏置电压，输出端连接整形电路的输入端；整形电路的输出端输出过温保护控制信号；负温系数产生电路用于产生与温度负相关的电压信号；电流比较器用于比较负温系数产生电路的输出电流和基准电流；整形电路用于根据比较结果输出过温保护控制信号；电流比较器包括迟滞回路，迟滞回路的输出端与整形电路连接。本发明的电路，具有极低的静态功耗，只需给满足晶体管导通的最小偏置电流，电路即可正常工作，适合低功耗应用。
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公开(公告)号：CN113467562B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202110674626.0
申请日：2021-06-17
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及一种无运放带隙基准源，包括：PTAT电流产生电路、基准源输出电路和启动电路，其中，PTAT电流产生电路的输出端分别连接基准源输出电路的输入端和启动电路的输入端，PTAT电流产生电路用于产生与温度变化呈正相关的正温度系数电流；基准源输出电路用于产生和输出基准电压；启动电路的输出端分别连接PTAT电流产生电路的输入端和基准源输出电路的输入端，启动电路用于确保无运放带隙基准源的启动和工作。本发明的带隙基准源，在输入电压变化时，产生一个始终比输入电压低一个带隙电压的参考电压，可广泛应用在高压功率驱动电路中，而且该带隙基准源采用自偏置结构，内部电路不含运算放大器电路，大大降低了电路的功耗和复杂度。
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公开(公告)号：CN112821768A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011584117.0
申请日：2020-12-28
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明公开了一种反激同步整流电路，包括：第一同步整流模块，用于产生与原边MOSFET的控制信号互补的副边驱动控制信号；第二同步整流模块，用于根据副边MOSFET的漏极电平和源极电平产生同步整流控制信号；同步整流信号处理模块，用于采集副边驱动控制信号的和同步整流控制信号，并根据所述副边驱动控制信号的上升沿和所述驱动控制信号的下降沿得到所述副边MOSFET的驱动信号；副边驱动模块，所述副边驱动模块用于利用驱动信号驱动所述副边MOSFET。整个反激同步整流电路可以在开始导通和关断时刻均提高反激电路的效率，既可以提高轻载时的效率也可以提高重载时的效率；同时可以抑制次级侧的电压尖峰，提高电路可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114185387A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111243447.8
申请日：2021-10-25
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明涉及一种基于电流比较器的低功耗过温保护电路，包括：负温系数产生电路、电流比较器和整形电路，其中，负温系数产生电路的输入端连接偏置电压，输出端连接电流比较器的第一输入端；电流比较器的第二输入端连接偏置电压，输出端连接整形电路的输入端；整形电路的输出端输出过温保护控制信号；负温系数产生电路用于产生与温度负相关的电压信号；电流比较器用于比较负温系数产生电路的输出电流和基准电流；整形电路用于根据比较结果输出过温保护控制信号；电流比较器包括迟滞回路，迟滞回路的输出端与整形电路连接。本发明的电路，具有极低的静态功耗，只需给满足晶体管导通的最小偏置电流，电路即可正常工作，适合低功耗应用。
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公开(公告)号：CN112821768B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202011584117.0
申请日：2020-12-28
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明公开了一种反激同步整流电路，包括：第一同步整流模块，用于产生与原边MOSFET的控制信号互补的副边驱动控制信号；第二同步整流模块，用于根据副边MOSFET的漏极电平和源极电平产生同步整流控制信号；同步整流信号处理模块，用于采集副边驱动控制信号的和同步整流控制信号，并根据所述副边驱动控制信号的上升沿和所述驱动控制信号的下降沿得到所述副边MOSFET的驱动信号；副边驱动模块，所述副边驱动模块用于利用驱动信号驱动所述副边MOSFET。整个反激同步整流电路可以在开始导通和关断时刻均提高反激电路的效率，既可以提高轻载时的效率也可以提高重载时的效率；同时可以抑制次级侧的电压尖峰，提高电路可靠性。
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公开(公告)号：CN120033973A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510156220.1
申请日：2025-02-12
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种自取电半桥驱动电路，包括依次连接的非稳态多谐振荡器、交流转换模块、变压器以及自取电驱动模块，其中，非稳态多谐振荡器用于产生驱动所需的脉冲方波信号；交流转换模块用于将来自非稳态多谐振荡器的脉冲方波信号转换为交流方波信号；变压器用于对来自交流转换模块的交流方波信号进行电气隔离和信号放大，获得放大后的交流方波信号；自取电驱动模块用于对放大后的交流方波信号进行整流、延时以及放大信号，以对半桥式电路进行驱动。本发明由分立元件搭建的模块构成，仅包含一个独立电源，各模块均可工作在高温环境下，同时自取电的工作模式减少了电源的使用量，可以更好的在高温环境下减少热量产量，保证电路的稳定运行。
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公开(公告)号：CN114122125B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202111315935.5
申请日：2021-11-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/745 , H01L29/749 , H01L29/06 , H01L21/332
Abstract: 本发明公开了一种混合栅控结构的碳化硅晶闸管及其制备方法，包括N型4H‑SiC衬底；依次设置于衬底上表面的N型4H‑SiC缓冲层、P型4H‑SiC漂移层和N型4H‑SiC门极区；阳极区设置于V型凹槽两侧的门极区上；SiO2栅氧化层、第一Al接触层依次设置于V型凹槽内；第一SiO2钝化层设置于门极区两端；N型4H‑SiC JFET关断栅沟道区设置于门极区上；JFET栅电极设置于第一SiO2钝化层上；N型4H‑SiC短路区设置于JFET关断栅沟道区上，且嵌入阳极区；第一欧姆接触层设置于短路区、阳极区上；第二SiO2钝化层设置于第一SiO2钝化层、短路区、阳极区上，以及SiO2栅氧化层、第一Al接触层的两端上；第二欧姆接触层设置于衬底下表面；第二Al接触层设置于第二欧姆接触层下表面。本发明提高了器件的工作频率。
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公开(公告)号：CN117913132A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410089026.1
申请日：2024-01-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/749 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L21/332
Abstract: 本发明涉及一种基于三极管加速导通结构的碳化硅晶闸管及其制备方法，碳化硅晶闸管包括：依次层叠的N型4H‑SiC衬底、P型4H‑SiC缓冲层、P型4H‑SiC漂移层；第一N型4H‑SiC掺杂门极区，位于P型4H‑SiC漂移层表面；第二N型4H‑SiC掺杂门极区，位于P型4H‑SiC漂移层表面，且位于第一N型4H‑SiC掺杂门极区两侧；N型4H‑SiC欧姆接触门极区，位于第二N型4H‑SiC掺杂门极区的表层；P型4H‑SiC阳极区，位于第一N型4H‑SiC掺杂门极区的表层；第一欧姆接触层，位于N型4H‑SiC欧姆接触门极区的表面和P型4H‑SiC阳极区的表面；欧姆接触电极层，位于N型4H‑SiC衬底的下表面；钝化层，覆盖部分第一N型4H‑SiC掺杂门极区、部分第二N型4H‑SiC掺杂门极区和部分P型4H‑SiC阳极区。该晶闸管引入新的门极区域，有效提升了器件的开通效率。
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