公开(公告)号：CN119815946A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411916530.0

申请日：2024-12-24

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 元磊 ,  芦禹衡 ,  刘洋 ,  孙晨玥 ,  贾仁需 ,  张艺蒙 ,  张玉明

IPC: H10F30/24 ,  H10F77/14 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明公开了一种低噪声碳化硅NPN光电晶体管，包括：沿第一方向设置的n型过渡层、n+埋层、n‑缓冲层、p型基区层、n型集电层和覆盖第一隔离沟槽的SiO2氧化层，第一隔离沟槽位于p型基区层沿与第一方向垂直的第二方向的两侧；具有高掺杂浓度的n+埋层在n型过渡层中沿第二方向间隔排列；具有低掺杂浓度的n‑缓冲层位于n型过渡层和n+埋层的上表面；p型基区层位于n‑缓冲层的上表面；n型集电层位于p型基区层中背离n‑缓冲层的一侧，沿第二方向，n型集电层的宽度小于p型基区层的宽度，并且，n型集电层不与位于第一隔离沟槽的SiO2氧化层接触。本发明能够大大减少侧壁的漏电流，提升噪声性能和光暗电流比。

公开(公告)号：CN119767866A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411791563.7

申请日：2024-12-06

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 元磊 ,  芦禹衡 ,  刘洋 ,  贾仁需 ,  张艺蒙 ,  张玉明

IPC: H10F77/14 ,  H10F77/1226 ,  H10F30/24 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明公开了一种带有发射区垂直屏蔽阱的SiC光控双极型功率晶体管，包括：由下向上依次层叠的发射极金属、n型衬底、n型发射区、n型承压区，及在n型承压区的顶层区域内间隔分布的多个隔离阱，在n型承压区整个表面设置的n型屏蔽层，设置于n型屏蔽层表面中心区域的p型基区，位于p型基区上方的n型集电区，位于n型集电区表面中心区域的集电极金属，及表层周围的SiO2氧化层；n型衬底采用4H‑SiC材料；隔离阱和n型屏蔽层呈本征态；SiO2氧化层设置于p型基区表面上除集电极金属的区域，并设置于p型基区和n型集电区外侧，与n型屏蔽层表面接触。本发明能提高功率晶体管的抗高压能力，控制关断的能力更好，电路设计更简单。