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公开(公告)号：CN114582861B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202210221675.3
申请日：2022-03-09
Applicant: 西安电子科技大学 , 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种单粒子效应加固的印刷转移GaN/Ga2O3Cascode功率器件，低压增强型GaN HEMT的漏极Drain2和高压耗尽型Ga2O3FET的源极Source1相连通，低压增强型GaN HEMT的源极Source2和高压耗尽型Ga2O3FET的栅极Gate1相连通，低压增强型GaN HEMT和高压耗尽型Ga2O3FET之间连通的方式通过将各个外延片结构之间的相互印刷转移，形成单片集成。本发明采用上述结构的一种单粒子效应加固的印刷转移GaN/Ga2O3Cascode功率器件，实现新型的GaN与Ga2O3级联的增强型器件，降低航天系统的复杂度，提升器件的抗辐照能力，提高器件在宇航辐照环境应用下的单粒子烧毁阈值电压。
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公开(公告)号：CN114709197A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210232467.3
申请日：2022-03-09
Applicant: 西安电子科技大学 , 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种抗辐照GaN/Ga2O3的Cascode级联增强型功率器件及其制作方法，GaN与Ga2O3器件级联的Cascode结构增强型功率器件从左到右包括低压增强型GaN HEMT器件和高压耗尽型Ga2O3FET器件，所述低压增强型GaN HEMT器件与所述高压耗尽型Ga2O3FET器件相连通。本发明采用上述结构的一种抗辐照GaN/Ga2O3的Cascode级联增强型功率器件及其制作方法，Ga2O3材料具有高击穿电压特性，同时GaN属于宽禁带材料，整体上增加了器件的可靠性，提高了器件在宇航辐照环境应用下的单粒子烧毁阈值电压，降低了宇航系统的重量和复杂程度。
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公开(公告)号：CN114582861A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210221675.3
申请日：2022-03-09
Applicant: 西安电子科技大学 , 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H01L27/085 , H01L21/8258
Abstract: 本发明公开了一种单粒子效应加固的印刷转移GaN/Ga2O3Cascode功率器件，低压增强型GaN HEMT的漏极Drain2和高压耗尽型Ga2O3FET的源极Source1相连通，低压增强型GaN HEMT的源极Source2和高压耗尽型Ga2O3FET的栅极Gate1相连通，低压增强型GaN HEMT和高压耗尽型Ga2O3FET之间连通的方式通过将各个外延片结构之间的相互印刷转移，形成单片集成。本发明采用上述结构的一种单粒子效应加固的印刷转移GaN/Ga2O3Cascode功率器件，实现新型的GaN与Ga2O3级联的增强型器件，降低航天系统的复杂度，提升器件的抗辐照能力，提高器件在宇航辐照环境应用下的单粒子烧毁阈值电压。
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公开(公告)号：CN119670637A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411577085.X
申请日：2024-11-06
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/30 , G06F119/08
Abstract: 本发明提供一种基于TDTR技术的器件热电耦合建模方法，涉及半导体功率器件技术领域。包括：在第二预设材料的预设电介质层厚度小于预设值时，制备多个不同厚度的样品；上层材料层适用于TDTR测试的测试传感层时，通过TDTR测试和不同预设电介质层厚度的样品，确定目标热阻值；利用仿真软件、物理模型、实测电特性数据、已知热物性参数和目标热阻值，拟合构建初始的器件热电模型；对预设半导体器件进行预设功率密度下热稳态的目标测试，获得预设表面温升和预设温度分布；在同样功率密度下，将初始的器件热电模型的表面温升和目标温度分布，与目标测试的预设表面温升和预设温度分布进行拟合，可精准构建自洽的半导体器件热电耦合模型。
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公开(公告)号：CN115842060B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202211502046.4
申请日：2022-11-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/40 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种热电优化设计的沟槽MOS型氧化镓功率二极管及制作方法，包括：β‑Ga2O3漂移层，位于β‑Ga2O3衬底的上表面；凹槽阵列，间隔分布于β‑Ga2O3漂移层上；凹槽阵列与β‑Ga2O3漂移层面内的[100]晶向分别呈一定角度布局；绝缘层，填充于凹槽阵列每一凹槽内，并覆盖于每一凹槽顶部侧边缘处的β‑Ga2O3漂移层上表面；场板终端，位于沟槽阵列有源区四周的β‑Ga2O3漂移层上表面，且场板终端为自内而外呈一定斜坡角度或呈台阶状分布的斜场板结构；阳极，位于绝缘层、β‑Ga2O3漂移层，以及部分场板终端上表面；阴极，位于β‑Ga2O3衬底下表面。本发明有效提高了氧化镓二极管的热电特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115940832A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211356406.4
申请日：2022-11-01
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于氮化镓Doherty功率放大器的线性化方法，通过在氮化镓Doherty功率放大器的前级增加一线性化前级驱动电路，以改善Doherty功率放大器的线性度；其中，线性化前级驱动电路包括有源偏置电路和驱动放大器，驱动放大器与氮化镓Doherty功率放大器连接；有源偏置电路设置于驱动放大器的前级，用于稳定驱动放大器的栅极电压，以使驱动放大器的工作状态偏置在弱C类。相比于传统的数字预失真技术，本发明的电路更加简单，且不需要高采样率的FPGA；相比于传统的模拟预失真技术，本发明不但能够明显提高氮化镓Doherty功放的线性度，还能提供额外的增益。
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公开(公告)号：CN115732563A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211510940.6
申请日：2022-11-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/40 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L23/367
Abstract: 本发明涉及一种热电优化的鳍式氧化镓MOSFET结构及制作方法，该MOSFET结构包括：β‑Ga2O3衬底、β‑Ga2O3非故意掺杂外延层、导电沟道层、栅介质层、源电极、漏电极、栅电极和若干场笼，导电沟道层和β‑Ga2O3非故意掺杂外延层中贯穿有沿着栅宽方向分布的若干梯形凹槽，相邻梯形凹槽之间的导电沟道层形成斜鳍栅，斜鳍栅靠近源电极的边与靠近漏电极的边平行；栅介质层覆盖导电沟道层和若干梯形凹槽；源电极位于导电沟道层的一端，漏电极位于导电沟道层的另一端；栅电极位于部分梯形凹槽和部分斜鳍栅对应的栅介质层上，且位于若干梯形凹槽和源电极之间的栅介质层上；若干场笼分布于漏电极和斜鳍栅之间的栅介质层上。该结构降低了氧化镓MOSFET结构的电场峰值，降低了器件的工作温度。
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公开(公告)号：CN118198147B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202410163789.6
申请日：2024-02-05
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于底部流道欧姆与双面倒装封装技术的氧化镓二极管，包括器件区和封装区；器件区包括氧化镓衬底、氧化镓漂移层、阴极、绝缘层、阳极；封装区包括上基板和下基板；氧化镓漂移层位于氧化镓衬底下面；衬底的上表面一侧形成有若干流道，漂移层的下表面一侧形成有凹槽阵列；阴极位于衬底的上表面，形成阴极欧姆区；绝缘层设置在漂移层每一个凹槽内，并自凹槽底部经侧壁向下延伸至覆盖部分漂移层的下表面；阳极位于氧化镓漂移层和绝缘层的下表面，以形成阳极肖特基区；封装区采用双面倒装封装方法将阳极肖特基区连接至下基板；同时将阴极欧姆区连接至上基板。该器件结构全面提高了氧化镓二极管稳、瞬态工况下的热电特性和可靠性。
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公开(公告)号：CN118712238A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410724356.3
申请日：2024-06-05
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/45
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体材料特性研究的横向肖特基二极管及制备方法，肖特基二极管包括：半导体材料、肖特基接触电极和欧姆接触电极，其中，肖特基接触电极和欧姆接触电极位于半导体材料同侧表面；欧姆接触电极包围肖特基接触电极，且欧姆接触电极与肖特基接触电极之间存在优化设计的间距；欧姆接触电极面积大于肖特基接触电极面积。在基于电容测量的半导体材料特性研究中，本发明实施例可以有效降低由体材料、欧姆接触和离子注入等引起的寄生电阻、电容、非本征缺陷等对本征半导体材料肖特基电容特性的影响，使被测量电容值尽可能接近本征材料的肖特基电容值，测量结果直接表现半导体材料的本征特性，且不受半导体材料载流子浓度的限制。
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公开(公告)号：CN116448802A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310258263.1
申请日：2023-03-15
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种纳微米级非接触原位光学热表征技术组合的测量方法，该方法包括：对于较大器件尺寸、测量精度要求不高、定性评估主要热源区域或热失效定位的宽禁带半导体功率器件热表征应用需求，采用红外热成像方式；对于较小器件尺寸、测量精度要求较高、定量表征宽禁带、超宽禁带半导体功率器件温度分布的热表征应用需求，针对横向结构器件采用热反射成像方式和基于纳米颗粒的拉曼热表征方式表征测量器件的金属电极温度和器件表面温度；针对垂直结构器件采用热反射成像方式、拉曼热表征方式和基于纳米颗粒的拉曼热表征方式表征测量器件的金属电极温度、器件表面下均厚温度和器件表面温度。
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