公开(公告)号：CN116448802A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202310258263.1

申请日：2023-03-15

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张栢胜 ,  李园 ,  马晓华 ,  陆小力 ,  韩超 ,  黄永 ,  何云龙 ,  赵元富 ,  郝跃

IPC: G01N25/00 ,  G01N21/65

Abstract: 本发明公开了一种纳微米级非接触原位光学热表征技术组合的测量方法，该方法包括：对于较大器件尺寸、测量精度要求不高、定性评估主要热源区域或热失效定位的宽禁带半导体功率器件热表征应用需求，采用红外热成像方式；对于较小器件尺寸、测量精度要求较高、定量表征宽禁带、超宽禁带半导体功率器件温度分布的热表征应用需求，针对横向结构器件采用热反射成像方式和基于纳米颗粒的拉曼热表征方式表征测量器件的金属电极温度和器件表面温度；针对垂直结构器件采用热反射成像方式、拉曼热表征方式和基于纳米颗粒的拉曼热表征方式表征测量器件的金属电极温度、器件表面下均厚温度和器件表面温度。

公开(公告)号：CN118507436A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410522394.0

申请日：2024-04-28

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 陆小力 ,  张栢胜 ,  何云龙 ,  马晓华

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L23/544 ,  H01L29/78 ,  B82Y30/00 ,  G01K13/00

Abstract: 本发明涉及一种内嵌纳米颗粒的功率器件及其温度表征方法，包括：衬底层(1)、沟道层(2)、栅介质(3)、钝化层(4)；衬底层(1)、沟道层(2)、栅介质(3)和钝化层(4)自下而上依次堆叠；其中，钝化层(4)中均匀分布有纳米颗粒(5)，纳米颗粒(5)为通过等离子体增强化学气相沉积的方式形成于钝化层(4)内部的纳米颗粒。通过上述技术方案，将纳米颗粒内嵌于钝化层中，相比于分布在器件表面的纳米颗粒，更贴近于沟道层，减少一次热传递过程，使得温度表征精度更高，并且纳米颗粒在钝化层中均匀分布，可以进行面扫描拉曼表征，获取整个钝化层的温度分布图像，进而实现该功率器件的温度表征。