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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112821768A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011584117.0
申请日：2020-12-28
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明公开了一种反激同步整流电路，包括：第一同步整流模块，用于产生与原边MOSFET的控制信号互补的副边驱动控制信号；第二同步整流模块，用于根据副边MOSFET的漏极电平和源极电平产生同步整流控制信号；同步整流信号处理模块，用于采集副边驱动控制信号的和同步整流控制信号，并根据所述副边驱动控制信号的上升沿和所述驱动控制信号的下降沿得到所述副边MOSFET的驱动信号；副边驱动模块，所述副边驱动模块用于利用驱动信号驱动所述副边MOSFET。整个反激同步整流电路可以在开始导通和关断时刻均提高反激电路的效率，既可以提高轻载时的效率也可以提高重载时的效率；同时可以抑制次级侧的电压尖峰，提高电路可靠性。
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公开(公告)号：CN112821768B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202011584117.0
申请日：2020-12-28
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明公开了一种反激同步整流电路，包括：第一同步整流模块，用于产生与原边MOSFET的控制信号互补的副边驱动控制信号；第二同步整流模块，用于根据副边MOSFET的漏极电平和源极电平产生同步整流控制信号；同步整流信号处理模块，用于采集副边驱动控制信号的和同步整流控制信号，并根据所述副边驱动控制信号的上升沿和所述驱动控制信号的下降沿得到所述副边MOSFET的驱动信号；副边驱动模块，所述副边驱动模块用于利用驱动信号驱动所述副边MOSFET。整个反激同步整流电路可以在开始导通和关断时刻均提高反激电路的效率，既可以提高轻载时的效率也可以提高重载时的效率；同时可以抑制次级侧的电压尖峰，提高电路可靠性。
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公开(公告)号：CN116260340A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310153829.4
申请日：2023-02-22
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种分级驱动的有源钳位反激电路，包括：有源钳位反激变换器，在副边设有并联的同步整流MOS管M1M2，在原边设有并联的原边低端MOS管M3和M5，以及并联的原边高端MOS管M4M6；分级驱动电路，根据有源钳位反激变换器的带载条件，输出各MOS管的驱动信号；有源钳位反激变换器响应于各MOS管的驱动信号，在轻载条件下原边低端MOS管M3、原边高端MOS管M4以及同步整流MOS管M1工作，与此同时其他MOS管不工作，在重载条件下所有MOS管均工作。本发明解决了有源钳位反激电路在轻载条件下同时驱动并联的多个器件所造成器件的驱动损耗增加大于导通损耗减少的问题。
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公开(公告)号：CN111933434A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010795219.0
申请日：2020-08-10
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种平面变压器，包括磁芯组件和环绕磁芯组件的绕组组件；其中，磁芯组件包括纵向依次排布的第一磁芯、第二磁芯以及第三磁芯；第一磁芯和第三磁芯均包含磁柱，第二磁芯为I型磁芯，且第一磁芯的磁柱朝下并与第二磁芯对应贴合，第三磁芯的磁柱朝上并与第二磁芯对应贴合；绕组组件包括环绕第一磁芯的第一绕组和环绕第三磁芯的第二绕组，第一绕组和第二绕组通过连接铜桩连接。本发明提供的平面变压器可以在变压器体积不变的情况下，提高磁芯利用率；且其可在垂直方向实现拼接，具备较高的功率密度，能够应用在低压大电流开关电源变换器中。
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