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公开(公告)号：CN104051047B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410300604.8
申请日：2014-06-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种夹心串联式PIN结构α辐照电池及其制备方法，主要解决当前核电池能量转化率及输出功率低的问题。其包括：串联的上、下两个PIN结和α放射源层；上PIN结自下而上依次为N型外延层欧姆接触电极、N型高掺杂外延层、P型低掺杂外延层、p型SiC衬底、P型欧姆接触电极；下PIN结自下而上依次为N型欧姆接触电极、n型SiC衬底、N型低掺杂外延层、P型高掺杂外延层和P型外延层欧姆接触电极；α放射源层夹在上下两个PIN结的外延层欧姆接触电极之间，以实现对高能α粒子的充分利用。本发明具有放射源与半导体接触面积大，核原料利用率及能量收集率高，电池输出电压大的优点，可为微小电路持久供电。
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公开(公告)号：CN104064240A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410299989.0
申请日：2014-06-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种外延GaN的PIN结构β辐照电池及其制备方法，主要解决当前β辐照电池能量转化率及输出功率低的问题。其实现步骤是：在清洗后的4H-SiC衬底上依次外延生长N型低掺杂SiC外延层和P型高掺杂GaN外延层；再在P型高掺杂GaN外延层上淀积P型Ti/Au欧姆接触电极，在SiC衬底未外延的背面淀积Ni接触电极；然后在P型Ti/Au电极上光刻沟槽窗口，并刻蚀沟槽；最后在沟槽中放置β放射源，得到外延GaN的PIN结构β辐照电池。本发明制作出的电池具有放射源与半导体接触面积大，核原料利用率及能量收集率高，电池输出电流和电压大的优点，可为微小电路持久供电，或在需长期供电但无人看守的场合下供电。
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公开(公告)号：CN103840003A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410058290.5
申请日：2014-02-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/04 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7831 , H01L21/0242 , H01L21/02527 , H01L21/02603 , H01L29/1033 , H01L29/42356 , H01L29/517 , H01L29/66045
Abstract: 本发明公开了一种以三氧化二铝为栅介质的双栅石墨烯晶体管及其制备方法，主要解决现有技术制备中石墨烯晶体管顶栅电介质导致石墨烯沟道载流子迁移率降低以及载流子散射的问题。其结构特点是：石墨烯沟道两侧各设有一个栅电极，形成双栅结构；其制作步骤是：1.在清洗后的SiC样片表面淀积一层Al2O3，并在其上刻出结构图形；2.将刻蚀后的样片置于石英管中，通入CCl4与SiC反应生成碳膜，而后置于氩气中退火生成石墨烯，并刻蚀石墨烯沟道两侧60-400nm处的Al2O3，形成栅槽；3.在样片上淀积金属并将其刻成晶体管的金属接触。本发明制作的双栅石墨烯晶体管能有效地提高载流子迁移率和栅极对沟道电流的调制能力。
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公开(公告)号：CN103811556B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410060321.0
申请日：2014-02-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种硅衬底的三氧化二铝栅介质双栅石墨烯晶体管及制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯晶体管沟道载流子迁移率低及载流子散射的问题。其实现步骤是：在外延于Si衬底上的3C?SiC表面淀积一层Al2O3，并光刻出双栅图形；将刻蚀后的样片置于石英管中，通过Cl2与SiC反应，生成碳膜，再将将该碳膜样片置于Ar气中退火，生成石墨烯；然后将石墨烯样片上距导电沟道60?400nm处的两侧Al2O3刻蚀掉，形成双栅槽；最后在石墨烯样片上淀积金属层并刻蚀成晶体管金属接触。本发明制作出的双栅石墨烯晶体管具有载流子迁移率高，抑制散射效应性能好，能更好调制沟道载流子浓度的优点，可用于制作大规模集成电路。
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公开(公告)号：CN104134480A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410300602.9
申请日：2014-06-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种夹心并联式PIN型β辐照电池及其制备方法，主要解决当前核电池能量转化率及输出功率低的问题。其包括：并联的上、下两个PIN结和β放射源层；下PIN结自下而上依次为，N型欧姆接触电极、N型高掺杂4H-SiC衬底、N型低掺杂外延层、P型高掺杂外延层和P型欧姆接触电极，上PIN结自上而下的结构分布与下PIN结自下而上的结构分布相同；β放射源层夹在上下两个PIN结的P型欧姆接触电极之间，以实现对高能β粒子的充分利用。本发明具有放射源与半导体接触面积大，核原料利用率及能量收集率高，电池输出电压大的优点，可为微小电路持久供电，或为极地、沙漠等需要长期供电但无人看守的场合供电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104064242A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410300603.3
申请日：2014-06-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种夹心并联式外延GaN的PIN型β辐照电池及制备方法，主要解决当前核电池能量转化率及输出功率低的问题。其包括：并联的上下两个PIN结和β放射源层；下PIN结自上而下依次为，P型欧姆接触电极、P型高掺杂GaN外延层、N型高掺杂4H-SiC衬底、N型低掺杂SiC外延层和N型欧姆接触电极，上PIN结自下而上的结构分布与下PIN结自上而下的结构分布相同；β放射源层夹在上下两个PIN结的P型欧姆接触电极之间，以实现对高能β粒子的充分利用。本发明具有放射源与半导体接触面积大，核原料利用率及能量收集率高，电池输出电压大的优点，可为微小电路持久供电，或为极地、沙漠场合供电。
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公开(公告)号：CN103811556A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410060321.0
申请日：2014-02-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66045 , H01L29/517 , H01L29/78645
Abstract: 本发明公开了一种硅衬底的三氧化二铝栅介质双栅石墨烯晶体管及制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯晶体管沟道载流子迁移率低及载流子散射的问题。其实现步骤是：在外延于Si衬底上的3C-SiC表面淀积一层Al2O3，并光刻出双栅图形；将刻蚀后的样片置于石英管中，通过Cl2与SiC反应，生成碳膜，再将将该碳膜样片置于Ar气中退火，生成石墨烯；然后将石墨烯样片上距导电沟道60-400nm处的两侧Al2O3刻蚀掉，形成双栅槽；最后在石墨烯样片上淀积金属层并刻蚀成晶体管金属接触。本发明制作出的双栅石墨烯晶体管具有载流子迁移率高，抑制散射效应性能好，能更好调制沟道载流子浓度的优点，可用于制作大规模集成电路。
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公开(公告)号：CN103840003B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410058290.5
申请日：2014-02-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/04 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种以三氧化二铝为栅介质的双栅石墨烯晶体管及其制备方法，主要解决现有技术制备中石墨烯晶体管顶栅电介质导致石墨烯沟道载流子迁移率降低以及载流子散射的问题。其结构特点是：石墨烯沟道两侧各设有一个栅电极，形成双栅结构；其制作步骤是：1.在清洗后的SiC样片表面淀积一层Al2O3，并在其上刻出结构图形；2.将刻蚀后的样片置于石英管中，通入CCl4与SiC反应生成碳膜，而后置于氩气中退火生成石墨烯，并刻蚀石墨烯沟道两侧60-400nm处的Al2O3，形成栅槽；3.在样片上淀积金属并将其刻成晶体管的金属接触。本发明制作的双栅石墨烯晶体管能有效地提高载流子迁移率和栅极对沟道电流的调制能力。
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公开(公告)号：CN104064241A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410299990.3
申请日：2014-06-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种串联式PIN结构β辐照电池及其制备方法，主要解决现有技术中制作碳化硅PIN型β辐照电池能量转换效率低、输出电压有限的问题。其由上下两个串联的PIN结构成；上PIN结包括N型高掺杂外延层、P型低掺杂外延层、P型高掺杂衬底、P型欧姆接触电极；下PIN结包括N型欧姆接触电极、N型高掺杂衬底、N型低掺杂外延层、P型高掺杂外延层；每个PIN结中包含多个沟槽，两个PIN结的高掺杂外延层通过金属过渡层接触在一起，上下沟槽镜像对称且相互贯通，每个沟槽内均放置β放射源。本发明具有放射源与半导体接触面积大，核原料利用率高，电池输出电压大的优点，可为微小电路持久供电，或为极地、沙漠等场合供电。
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公开(公告)号：CN104051047A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410300604.8
申请日：2014-06-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种夹心串联式PIN结构α辐照电池及其制备方法，主要解决当前核电池能量转化率及输出功率低的问题。其包括：串联的上、下两个PIN结和α放射源层；上PIN结自下而上依次为N型外延层欧姆接触电极、N型高掺杂外延层、P型低掺杂外延层、p型SiC衬底、P型欧姆接触电极；下PIN结自下而上依次为N型欧姆接触电极、n型SiC衬底、N型低掺杂外延层、P型高掺杂外延层和P型外延层欧姆接触电极；α放射源层夹在上下两个PIN结的外延层欧姆接触电极之间，以实现对高能α粒子的充分利用。本发明具有放射源与半导体接触面积大，核原料利用率及能量收集率高，电池输出电压大的优点，可为微小电路持久供电。
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