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公开(公告)号：CN104051041A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410299858.2
申请日：2014-06-29
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G21H1/06
摘要： 本发明公开了一种夹心并联式外延GaN的PIN型α辐照电池及制备方法，主要解决当前核电池能量转化率及输出功率低的问题。其包括：并联的上下两个PIN结和α放射源层；下PIN结自上而下依次为，P型欧姆接触电极、P型高掺杂GaN外延层、N型高掺杂4H-SiC衬底、N型低掺杂SiC外延层和N型欧姆接触电极，上PIN结自下而上的结构分布与下PIN结自上而下的结构分布相同；α放射源层夹在上下两个PIN结的P型欧姆接触电极之间，以实现对高能β粒子的充分利用。本发明具有放射源与半导体接触面积大，核原料利用率及能量收集率高，电池输出电压大的优点，可为微小电路持久供电，或为极地、沙漠等场合供电。
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公开(公告)号：CN103840003B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410058290.5
申请日：2014-02-21
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/51 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/04 , H01L21/28
摘要： 本发明公开了一种以三氧化二铝为栅介质的双栅石墨烯晶体管及其制备方法，主要解决现有技术制备中石墨烯晶体管顶栅电介质导致石墨烯沟道载流子迁移率降低以及载流子散射的问题。其结构特点是：石墨烯沟道两侧各设有一个栅电极，形成双栅结构；其制作步骤是：1.在清洗后的SiC样片表面淀积一层Al2O3，并在其上刻出结构图形；2.将刻蚀后的样片置于石英管中，通入CCl4与SiC反应生成碳膜，而后置于氩气中退火生成石墨烯，并刻蚀石墨烯沟道两侧60-400nm处的Al2O3，形成栅槽；3.在样片上淀积金属并将其刻成晶体管的金属接触。本发明制作的双栅石墨烯晶体管能有效地提高载流子迁移率和栅极对沟道电流的调制能力。
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公开(公告)号：CN104051041B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410299858.2
申请日：2014-06-29
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G21H1/06
摘要： 本发明公开了一种夹心并联式外延GaN的PIN型α辐照电池及制备方法，主要解决当前核电池能量转化率及输出功率低的问题。其包括：并联的上下两个PIN结和α放射源层；下PIN结自上而下依次为，P型欧姆接触电极、P型高掺杂GaN外延层、N型高掺杂4H-SiC衬底、N型低掺杂SiC外延层和N型欧姆接触电极，上PIN结自下而上的结构分布与下PIN结自上而下的结构分布相同；α放射源层夹在上下两个PIN结的P型欧姆接触电极之间，以实现对高能β粒子的充分利用。本发明具有放射源与半导体接触面积大，核原料利用率及能量收集率高，电池输出电压大的优点，可为微小电路持久供电，或为极地、沙漠等场合供电。
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公开(公告)号：CN104051045B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410299971.0
申请日：2014-06-29
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G21H1/06
摘要： 本发明公开了一种串联式PIN结构α辐照电池及其制备方法，主要解决现有技术中制作碳化硅辐照电池能量转换效率低、输出电压有限的问题。其由上下两个串联的PIN结构成；上PIN结包括N型外延层欧姆接触电极、N型高掺杂外延层、P型低掺杂外延层、P型高掺杂SiC衬底、P型欧姆接触电极；下PIN结包括N型欧姆接触电极、N型高掺杂SiC衬底、N型低掺杂外延层、P型高掺杂外延层、P型外延层欧姆接触电极；每个PIN结中包含多个沟槽，这两个PIN结通过其外延层欧姆接触电极相接触，上下沟槽镜像对称且相互贯通，每个沟槽内均放置α放射源。本发明具有核原料利用率及能量收集率高，电池输出电压大的优点，可为微小电路持久供电。
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公开(公告)号：CN103840003A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410058290.5
申请日：2014-02-21
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/51 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/04 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7831 , H01L21/0242 , H01L21/02527 , H01L21/02603 , H01L29/1033 , H01L29/42356 , H01L29/517 , H01L29/66045
摘要： 本发明公开了一种以三氧化二铝为栅介质的双栅石墨烯晶体管及其制备方法，主要解决现有技术制备中石墨烯晶体管顶栅电介质导致石墨烯沟道载流子迁移率降低以及载流子散射的问题。其结构特点是：石墨烯沟道两侧各设有一个栅电极，形成双栅结构；其制作步骤是：1.在清洗后的SiC样片表面淀积一层Al2O3，并在其上刻出结构图形；2.将刻蚀后的样片置于石英管中，通入CCl4与SiC反应生成碳膜，而后置于氩气中退火生成石墨烯，并刻蚀石墨烯沟道两侧60-400nm处的Al2O3，形成栅槽；3.在样片上淀积金属并将其刻成晶体管的金属接触。本发明制作的双栅石墨烯晶体管能有效地提高载流子迁移率和栅极对沟道电流的调制能力。
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公开(公告)号：CN104051048A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410300663.5
申请日：2014-06-29
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G21H1/06
摘要： 本发明公开了一种外延GaN的并联式PIN型α辐照电池及其制备方法，主要解决当前核电池能量转化率及输出功率低的问题。其包括：并联的上、下两个PIN结和α放射源；下PIN结自下而上依次为，N型欧姆接触电极、N型高掺杂4H-SiC衬底、N型低掺杂SiC外延层、P型高掺杂GaN外延层和P型欧姆接触电极，上PIN结自上而下的结构分布与下PIN结自下而上的结构分布相同；每个PIN结中有多个沟槽，每个沟槽内均放置有α放射源；两个PIN结通过P型欧姆接触电极相接触,上下沟槽镜面对称且相互贯通。本发明具有放射源与半导体接触面积大，核原料利用率及能量收集率高，电池输出电压大的优点，可为微小电路持久供电。
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公开(公告)号：CN104051044A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410299934.X
申请日：2014-06-29
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G21H1/06
摘要： 本发明公开了一种串联夹心式外延GaN的PIN型β辐照电池及制备方法，主要解决当前核电池能量转化率及输出功率低的问题。其包括：串联的上、下两个PIN结和β放射源层；上PIN结自下而上依次为N型外延层欧姆接触电极、N型GaN外延层、P型SiC外延层、p型SiC衬底、P型欧姆接触电极；下PIN结自下而上依次为N型欧姆接触电极、n型SiC衬底、N型SiC外延层、P型GaN外延层和P型外延层欧姆接触电极；β放射源层夹在上下两个PIN结的外延层欧姆接触电极之间，以实现对高能β粒子的充分利用。本发明具有放射源与半导体接触面积大，核原料利用率及能量收集率高，电池输出电压大的优点，可为微小电路持久供电。
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公开(公告)号：CN104051043A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410299932.0
申请日：2014-06-29
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G21H1/06
摘要： 本发明公开了一种3D式PIN结构α辐照电池及其制备方法，主要解决当前α辐照电池能量转化率及输出功率低的问题。其实现步骤是：在清洗后的4H-SiC衬底上依次外延生长N型低掺杂4H-SiC外延层和P型高掺杂4H-SiC外延层；再在P型高掺杂外延层上和SiC衬底未外延背面淀积欧姆接触电极；然后在P型欧姆接触电极上光刻出沟槽窗口，并刻蚀沟槽；最后在沟槽中放置α放射源，得到3D式PIN结构α辐照电池。本发明制作出的α辐照电池具有α放射源与半导体接触面积大，核原料利用率及能量收集率高，电池输出电流和输出电压大的优点，可为微小电路持久供电，或在需长期供电但无人看守的场合下供电。
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公开(公告)号：CN103943774A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410121051.X
申请日：2014-03-27
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L43/12
摘要： 本发明公开了一种基于镁靶的磁隧道结制备方法，主要解决现有技术制备的磁隧道结中MgO薄膜结晶度低，导致隧穿磁电阻不高的问题。其实现步骤是：先在清洗后的Si衬底基片上淀积一层SiO2薄膜；再在SiO2薄膜上磁控溅射Ta/Ru/Ta/CoFeB金属层；然后利用金属Mg靶，通入3-30sccm的O2，在CoFeB上淀积一层MgO薄膜；最后在MgO薄膜上溅射CoFeB/Ta/Ru金属层，得到磁隧道结结构并置于真空中退火。本发明制备的磁隧道结具有绝缘层MgO结晶度高，隧穿磁电阻率高的优点，可用于制作自旋存储器。
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公开(公告)号：CN104051043B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410299932.0
申请日：2014-06-29
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G21H1/06
摘要： 本发明公开了一种3D式PIN结构α辐照电池及其制备方法，主要解决当前α辐照电池能量转化率及输出功率低的问题。其实现步骤是：在清洗后的4H-SiC衬底上依次外延生长N型低掺杂4H-SiC外延层和P型高掺杂4H-SiC外延层；再在P型高掺杂外延层上和SiC衬底未外延背面淀积欧姆接触电极；然后在P型欧姆接触电极上光刻出沟槽窗口，并刻蚀沟槽；最后在沟槽中放置α放射源，得到3D式PIN结构α辐照电池。本发明制作出的α辐照电池具有α放射源与半导体接触面积大，核原料利用率及能量收集率高，电池输出电流和输出电压大的优点，可为微小电路持久供电，或在需长期供电但无人看守的场合下供电。
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