公开(公告)号：CN103872243A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201410119011.1

申请日：2014-03-27

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  娄永乐 ,  张玉明 ,  张义门 ,  刘志龙

IPC: H01L43/12

Abstract: 本发明公开了一种基于氧化镁靶的磁隧道结制备方法，主要解决现有技术制备的磁隧道结中MgO薄膜结晶度低，导致隧穿磁电阻不高的问题。其实现步骤是：（1）清洗Si衬底基片，并在清洗后的基片上淀积一层SiO2薄膜；（2）在SiO2薄膜上磁控溅射Ta/Ru/Ta/CoFeB金属层；（3）利用陶瓷MgO靶，通入2-25sccm的O2，在CoFeB金属层上淀积MgO薄膜；（4）在MgO薄膜上溅射CoFeB/Ta/Ru金属层，得到磁隧道结结构并置于真空中退火。本发明制备的磁隧道结具有绝缘层MgO结晶度高，隧穿磁电阻率高的优点，可用于制作自旋存储器。

公开(公告)号：CN103943774A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410121051.X

申请日：2014-03-27

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  赵亚秋 ,  张玉明 ,  张义门 ,  娄永乐

IPC: H01L43/12

Abstract: 本发明公开了一种基于镁靶的磁隧道结制备方法，主要解决现有技术制备的磁隧道结中MgO薄膜结晶度低，导致隧穿磁电阻不高的问题。其实现步骤是：先在清洗后的Si衬底基片上淀积一层SiO2薄膜；再在SiO2薄膜上磁控溅射Ta/Ru/Ta/CoFeB金属层；然后利用金属Mg靶，通入3-30sccm的O2，在CoFeB上淀积一层MgO薄膜；最后在MgO薄膜上溅射CoFeB/Ta/Ru金属层，得到磁隧道结结构并置于真空中退火。本发明制备的磁隧道结具有绝缘层MgO结晶度高，隧穿磁电阻率高的优点，可用于制作自旋存储器。