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公开(公告)号：CN112560892A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011239220.1
申请日：2020-11-09
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明实施例提供的一种基于机器学习的DC‑DC电源的健康状态监测方法，通过构建DC‑DC电源退化电路，获取该电路当前时间的退化特征参数，使用训练好的机器学习分类模型对第一特征向量进行识别，确定DC‑DC电源退化电路所属的故障模式，以此确定该电路中发生退化的易退化元件或者易退化元件组合，实现故障元件的精准定位，然后使用训练好的隐马尔科夫模型对第一特征向量识别，确定DC‑DC电源退化电路的健康状态，以此预测电路的寿命。相较于现有技术的故障定位及寿命预测方法，本发明可以更加简洁的实现精准的故障定位以及提高预测DC‑DC电源寿命的准确性。
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公开(公告)号：CN114530418B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202210011086.2
申请日：2022-01-05
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本发明提供的一种基于沟道掺杂调控的隧穿晶体管的三态反相器的制备方法以及制备出的反相器，在隧穿机理上采用线隧穿与面隧穿结合的方式制备新型三态CTFET；本发明栅极采用Overlap结构，使得三态CTFET相比于传统的CFET结构可以同时获得点隧穿和面隧穿电流，既能在更小的栅压下得到更大的电流和更低的亚阈值摆幅，也能由于隧穿发生的栅压不同，获得较为稳定的三态特性。同时本发明的反相器随着外加偏压VDD的改变可以在一定程度上实现两态与三态间的转化。由于所涉及的NTFET与PTFET均采用本征Si衬底，均为平面结构，与传统Si‑TFET工艺流程大致相同，有利于制备与集成，同时与现有CMOS工艺兼容。
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公开(公告)号：CN117688880A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311704551.1
申请日：2023-12-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/3308 , G06F119/02 , G06F119/04
Abstract: 本发明适用于抗辐射集成电路设计加固技术领域，公开了基于接口的电路级总剂量效应仿真方法，包括：通过SPICE仿真器、预设动态信号和器件的初始模型参数，确定第一输出结果和第一输出波形；通过器件级总剂量模型和第一输出结果，确定器件的总剂量瞬态仿真结果；根据给定辐照剂量率和辐照累计时间，以及总剂量瞬态仿真结果，确定器件的总剂量效应退化评估结果；利用总剂量效应退化评估结果和器件的初始模型参数，确定器件性能退化后的模型参数；根据器件性能退化后的模型参数和SPICE仿真器，确定第二输出结果和第二输出波形。通过这种方式，可以精准确定电路在总剂量效应下的受损情况，有针对地对电路进行加固，有效延长电路的使用寿命。
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公开(公告)号：CN113947008B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202111007779.6
申请日：2021-08-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/27 , G06F30/39 , G06N3/084 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种基于BP神经网络模型的半导体器件温度分布预测方法，所述方法包括：基于目标半导体器件对应的参数，建立半导体器件模型；获取所述半导体器件模型在多个预设环境下的多个数据集；基于所述训练数据集对BP神经网络模型进行训练，以得到初始温度分布预测模型基于所述训练数据集对BP神经网络模型进行训练，以得到初始温度分布预测模型；基于所述测试数据集对所述初始温度分布预测模型进行验证，并根据验证结果对所述初始温度分布预测模型进行调整，以得到目标温度分布预测模型。本发明能够快速、高效、精准地得到目标温度分布预测模型，从而可以基于所述目标温度分布预测模型进行半导体器件的温度分布预测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116542206A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310318223.1
申请日：2023-03-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/392 , G06F115/12
Abstract: 本发明涉及一种InP HBT老化小信号等效电路模型、参数提取及退化分析方法，该老化小信号等效电路模型包括：连接的寄生模块、外部分布电容模块和本征模块；其中，寄生模块包括：基极寄生单元、集电极寄生单元、发射极寄生单元、基极‑集电极寄生单元、基极‑发射极寄生单元和集电极‑发射极寄生单元；外部分布电容模块包括：基极‑集电极外部分布单元和基极‑发射极外部分布单元；本征模块包括：基极本征单元、基极‑集电极本征单元、基极‑发射极本征单元和受控源单元。本发明电路设计友好，为器件在加速老化实验过程中的退化机理分析提供了器件关键参数的退化依据。
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公开(公告)号：CN113486618A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110535092.3
申请日：2021-05-17
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/373
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件大信号特性的表征方法，该方法包括：获取半导体器件，并建立大信号模型拓扑；根据预设直流经验基模型、预设交流经验基模型和大信号模型拓扑，确定经验基宏模型；获取预先采集得到的大信号特性测试数据，并对经验基宏模型中的待拟合参数进行参数估计，得到第一参数；对第一参数进行调谐，得到第二参数；根据第二参数，对经验基宏模型进行优化，并根据优化后的经验基宏模型表征半导体器件的大信号特性。此种设计方式无需将半导体器件电流模型分为本征和非本征两部分，并且能够避免建立繁琐的耗尽电荷模型，使其提取过程更加便捷，进而节省计算机硬件资源和计算时间，同时也有利于保证待拟合参数的拟合精度。
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公开(公告)号：CN110717241B
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201910796843.X
申请日：2019-08-27
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种InP HEMT小信号等效电路模型及其参数提取方法，所述小信号等效电路模型包括，包括连接的本征模块和寄生模块，本征模块包括栅源本征单元、栅漏本征单元、源漏本征单元和衬底本征单元，其中，栅源本征单元分别连接栅极内节点和源极内节点；栅漏本征单元分别连接栅极内节点和漏极内节点；源漏本征单元的一端连接在栅漏本征单元与漏极内节点之间的节点处，另一端连接源极内节点；衬底本征单元分别连接漏极内节点和源极内节点。本发明的InP HEMT小信号等效电路模型，增加了本征衬底电阻和本征衬底电容串联网络，用于表征衬底损耗效应，克服了高频拟合精度不准确的问题，显著提高了模型在高频下的拟合精度。
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公开(公告)号：CN112566131A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011287901.5
申请日：2020-11-17
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04W16/10
Abstract: 本发明公开了一种基于时延约束的C‑RAN网络资源分配方法，包括：对C‑RAN系统进行参数初始化，所述C‑RAN系统包括多个基带处理单元、多个远端无线射频单元和多个用户设备；计算所述远端无线射频单元与所述用户设备之间的信干噪比和可达速率；根据C‑RAN系统的QoS约束要求，获取用户设备在传输队列中的能够等待的最大时延；根据C‑RAN系统的QoS约束要求，以最大化系统吞吐量为优化目标建立优化问题；对所述优化问题进行求解，更新系统吞吐量，完成C‑RAN系统中的动态无线资源分配。该方法在C‑RAN网络下，以网络吞吐量最大化为优化目标，对系统的RRH选择、子载波分配、RRH发射功率分配进行优化，能够有效解决C‑RAN网络的资源分配效率低下问题。
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公开(公告)号：CN112464606A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011282056.2
申请日：2020-11-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/39
Abstract: 本发明公开了一种基于温度效应的椭圆锥台形TSV的参数提取方法，包括：建立包含键合凸点的椭圆锥台形TSV的物理模型；提取包含键合凸点的椭圆锥台形TSV的寄生电阻；提取包含键合凸点的椭圆锥台形TSV的寄生电感；提取包含键合凸点的椭圆锥台形TSV的寄生电容；建立包含键合凸点的椭圆锥台形TSV寄生参数对应的等效电路；对包含键合凸点的椭圆锥台形TSV的物理模型和等效电路进行S参数仿真。该参数提取方法完整考虑了键合凸点的结构，特别是考虑了键合凸点对TSV电阻和电容产生的耦合影响，能够更加准确地提取TSV各寄生参数。
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