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公开(公告)号：CN107313052B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201610264138.1
申请日：2016-04-26
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C23F13/22
Abstract: 本发明涉及一种管道阴极电位同步检测系统及检测方法，包括断流装置，检测装置和服务器，该系统能够通过GPS模块的PPM脉冲实现了各断流装置的同步通断，通过驱动固态继电器实现了对阴保电源输出端的电位通断控制。检测装置设置有高精度的AD模块，使得测量电路的精度达到了毫伏级。该系统克服了检测时时间同步困难的问题，避免了因为无线网络通信延时，造成的服务器发送的指令不能同时被各台设备接收到所引起的断流装置无法同步通断，检测装置无法准确采集通断电位数据而需要连续采集产生大量冗余数据的问题。这样，不仅提高了测量效率，而且可以灵活在线更换测量模式，保证了测量数据的准确性和高效性，对管道阴极电位检测具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN110717242B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201910797917.1
申请日：2019-08-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/30 , G06F30/32 , G06F17/16 , G06F119/10
Abstract: 本发明涉及一种InP HEMT器件噪声等效电路模型建立方法，包括：建立InP HEMT小信号等效电路模型，并得到小信号等效电路模型参数值；根据InP HEMT小信号等效电路模型，得到InP HEMT噪声等效电路以及InP HEMT噪声等效电路的寄生噪声电流源参数和本征噪声电流源参数；将电路模型参数嵌入至InP HEMT噪声等效电路，得到InP HEMT器件噪声等效电路模型。本发明方法建立的InP HEMT器件噪声等效电路模型增加了用于表征沟道分布效应和衬底损耗效应的本征栅漏噪声电流源和本征衬底噪声电流源，提高了噪声等效电路模型在高频下的拟合精度。
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公开(公告)号：CN107196637B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201710276871.X
申请日：2017-04-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03K19/0175
Abstract: 本发明公开了高采样率宽带跟踪保持电路，涉及电子技术领域，包括输入缓冲单元IB、跟踪/保持开关T/H、保持电容CH以及输出缓冲单元OB。引入全差分的电路结构，实现较好的共模噪声抑制能力。本发明使用带发射极退化电阻的输入、输出缓冲器，提高了跟踪保持电路的线性度。本发明采用了带肖特基二极管的改进开关射极跟随器作为跟踪‑保持开关，提高了电路稳定性。本发明利用了高截止频率、良好基极‑发射极匹配的GaAs HBT器件来设计跟踪保持电路，改善了现有采样保持电路采样率低以及带宽窄的缺点。
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公开(公告)号：CN106330097B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201610694905.2
申请日：2016-08-19
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03B5/32
Abstract: 本发明公开一种基于耦合传输线的InP HBT压控振荡器，包括偏置单元、振荡单元、稳流电阻R1。在振荡单元中引入两条耦合传输线作为压控振荡器的谐振元件，同时实现压控振荡和变压调谐。本发明提出的压控振荡器以耦合传输线取代了直流阻塞电容，解决了交叉耦合结构压控振荡器中由于直流阻塞电容的寄生效应所引起频率退化的问题，提高了振荡频率。本发明在不使用变容管的情况下就能够实现压控振荡调频，且可以得到较宽的调频范围，本发明无变容管的应用，克服了现有技术中因为变容管工艺限制造成的调频范围窄，和版图面积增大的问题。
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公开(公告)号：CN107863939A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711100448.0
申请日：2017-11-09
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H03F1/0211 , H03F1/32 , H03F1/565 , H03F3/19 , H03F3/21 , H03F3/245 , H03F2200/451
Abstract: 本发明涉及一种低功耗反馈型功率放大电路，包括输入匹配网络、功率单元、偏置网络、反馈网络、限流旁路单元、输出匹配网络以及射频扼流圈，其中，输入匹配网络电连接至功率单元的基极，功率单元的集电极分别电连接至输出匹配网络和射频扼流圈；功率单元的集电极还电连接至反馈网络的第一输入端；反馈网络的输出端分别电连接至功率单元的基极和限流旁路单元；偏置网络电连接至反馈网络的第二输入端。本实施例通过设置反馈网络和限流旁路单元，限制了功率单元的电流，降低直流功耗，并对功率单元进行温度补偿和偏置抑制，提高了电路线性度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107435150A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201610352075.5
申请日：2016-05-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C23F13/22
CPC classification number: C23F13/22 , C23F2213/10 , C23F2213/32
Abstract: 本发明提供的一种石油管线阴极保护电位检测系统及检测方法，包括远程控制端，用于下达各种不同的操作指令；MQTT服务器，接收所述操作指令并存储、反馈相应的执行结果数据给所述远程控制端；安装在测试桩处的硬件测量设备，接收并解析来自所述MQTT服务器的所述操作指令，并根据该操作指令执行测量作业，且反馈测量数据给所述MQTT服务器；断流器，接收并解析来自所述MQTT服务器的所述操作指令，执行断流器通断动作，接通或断开石油管线阴极保护线路。石油管线阴极保护电位检测系统可实现自动化远程高精度的测量；能有效降低人力成本，提高效率，便于数据管理，分析、预测。
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公开(公告)号：CN110717240B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201910796831.7
申请日：2019-08-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/30 , G06F30/32 , G06F17/16 , G06F119/10
Abstract: 本发明涉及一种InP HEMT器件噪声等效电路模型建立方法，包括：建立具有表征沟道分布效应和衬底损耗效应的InP HEMT小信号等效电路模型，并进行参数提取；对InP HEMT小信号等效电路模型添加噪声电流源，得到InP HEMT噪声等效电路；对InP HEMT噪声等效电路的噪声参数进行表征；获取InP HEMT器件的级联噪声相关矩阵，并对其进行寄生参数去嵌，得到本征导纳噪声矩阵；根据小信号等效电路模型参数和本征导纳噪声矩阵，得到噪声参数；将噪声参数嵌入至InP HEMT噪声等效电路，得到InP HEMT器件噪声等效电路模型。本发明方法在噪声相关系数中引入虚数分量，表征沟道分布效应的噪声，同时引入衬底损耗效应噪声因子，表征衬底损耗效应的噪声,提高了模型在高频下的拟合精度。
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公开(公告)号：CN107863939B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201711100448.0
申请日：2017-11-09
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种低功耗反馈型功率放大电路，包括输入匹配网络、功率单元、偏置网络、反馈网络、限流旁路单元、输出匹配网络以及射频扼流圈，其中，输入匹配网络电连接至功率单元的基极，功率单元的集电极分别电连接至输出匹配网络和射频扼流圈；功率单元的集电极还电连接至反馈网络的第一输入端；反馈网络的输出端分别电连接至功率单元的基极和限流旁路单元；偏置网络电连接至反馈网络的第二输入端。本实施例通过设置反馈网络和限流旁路单元，限制了功率单元的电流，降低直流功耗，并对功率单元进行温度补偿和偏置抑制，提高了电路线性度。
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公开(公告)号：CN110717240A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910796831.7
申请日：2019-08-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/30 , G06F30/32 , G06F17/16 , G06F119/10
Abstract: 本发明涉及一种InP HEMT器件噪声等效电路模型建立方法，包括：建立具有表征沟道分布效应和衬底损耗效应的InP HEMT小信号等效电路模型，并进行参数提取；对InP HEMT小信号等效电路模型添加噪声电流源，得到InP HEMT噪声等效电路；对InP HEMT噪声等效电路的噪声参数进行表征；获取InP HEMT器件的级联噪声相关矩阵，并对其进行寄生参数去嵌，得到本征导纳噪声矩阵；根据小信号等效电路模型参数和本征导纳噪声矩阵，得到噪声参数；将噪声参数嵌入至InP HEMT噪声等效电路，得到InP HEMT器件噪声等效电路模型。本发明方法在噪声相关系数中引入虚数分量，表征沟道分布效应的噪声，同时引入衬底损耗效应噪声因子，表征衬底损耗效应的噪声,提高了模型在高频下的拟合精度。
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公开(公告)号：CN107332514A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710521403.4
申请日：2017-06-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03B5/12
CPC classification number: H03B5/1237
Abstract: 本发明提供了一种无变容管的推推式压控振荡器，属于电路设计技术领域，包括：谐振腔模块，由一对耦合传输线组成，用于产生所需的振荡信号；能量补偿模块，由一对晶体管组成，用于补偿谐振腔工作时的能量损失；信号耦合网络，由两个电容组成，用于差分信号的耦合；供电模块，用于给谐振腔模块和能量补偿模块供电；耦合传输线的输入端与供电模块的正极连接，耦合传输线的输出端与晶体管的集电极或基极连接，电容互相并联并与晶体管的基极连接，晶体管的发射极与供电模块的正极连接。该振荡器不仅可以实现推推式压控振荡器的功能，而且消除了变容管对其性能的不利影响，还可以在工艺厂商未提供变容管的情况下实现推推式压控振荡器的设计。
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