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公开(公告)号：CN101655576A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910054731.3
申请日：2009-07-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新傲科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供制备SOI基三维楔形耦合器集成衬底结构的方法，其特征在于采用硅微机械加工技术实现，所涉及的初始加工材料为SOI材料，利用硅材料不同晶面的选择性腐蚀特性，采用各向异性腐蚀、键合、光刻、干法刻蚀等微电子相关工艺得到在水平和垂直方向分别做线性变化的SOI基三维楔形耦合器集成衬底结构，且与该耦合器输出波导连接的微纳尺寸器件区域具有良好的表面质量，在有效提高通用光纤与小尺寸平面波导等光子学器件耦合效率的同时，也提供了良好的维纳尺寸光子学器件制备集成衬底结构，是制备高质量、高敏感度小尺寸光子学器件的保证，具有很强的实用性。
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公开(公告)号：CN101604705A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910053502.X
申请日：2009-06-19
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 一种四周环绕栅极鳍栅晶体管器件，包括：衬底；于衬底表面依次设置的绝缘层与半导体层，所述绝缘层靠近半导体层的表面具有一凹陷，所述半导体层包括位于凹陷处上方的悬空部分；栅介质层，所述栅介质层环绕半导体层位于凹槽上方的悬空部分；控制栅，所述控制栅设置于绝缘层表面，且所述控制栅包括环绕所述栅介质层的部分；以及源极和漏极区域。本发明的优点在于，能够提高栅极对导电沟道的控制能力，提高晶体管的电学性能，并且具有高集成度、低成本等的优点。
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公开(公告)号：CN101604631A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910053505.3
申请日：2009-06-19
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/31 , H01L21/762 , H01L21/84 , H01L21/20
Abstract: 一种具有绝缘埋层的半导体衬底的制备方法，包括如下步骤：提供键合衬底，所述键合衬底包括剥离层、第一半导体层以及腐蚀停止层；提供第二半导体支撑衬底；在第一半导体层或者第二半导体支撑衬底表面形成绝缘埋层，或者在第一半导体层和第二半导体支撑衬底的表面均形成绝缘埋层；将第二半导体支撑衬底与键合衬底键合；采用选择性腐蚀工艺除去剥离层和腐蚀停止层。本发明的优点在于，利用带有腐蚀停止层的多层结构键合衬底同支撑衬底相键合，以获得混合晶向衬底；由于采用了腐蚀停止层控制减薄工艺，因此该混合晶向衬底顶层半导体厚度均匀。
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公开(公告)号：CN100557767C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200810200072.5
申请日：2008-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/762 , H01L21/84 , H01L21/265
Abstract: 一种绝缘体上锗硅衬底的制备方法，包括如下步骤：(a)提供单晶硅衬底；(b)在单晶硅衬底表面生长锗硅层；(c)将起泡离子注入单晶硅衬底中；(d)退火，从而形成气孔层；(e)将氧离子注入至气孔层中；(f)退火，从而形成绝缘埋层。本发明的优点在于，采用起泡离子注入单晶硅衬底中，通过退火在单晶硅衬底与锗硅层之间形成气孔层，并将氧离子注入至气孔层中，退火后在气孔层的位置形成绝缘埋层。由于绝缘埋层均形成于单晶硅衬底而非锗硅层中，因此可以对锗的排出现象起到抑制的作用，并且所述的气孔层可以有效地束缚氧原子，有利于绝缘埋层的形成。
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公开(公告)号：CN101359591A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810200072.5
申请日：2008-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/762 , H01L21/84 , H01L21/265
Abstract: 一种绝缘体上锗硅衬底的制备方法，包括如下步骤：(a)提供单晶硅衬底；(b)在单晶硅衬底表面生长锗硅层；(c)将起泡离子注入单晶硅衬底中；(d)退火，从而形成气孔层；(e)将氧离子注入至气孔层中；(f)退火，从而形成绝缘埋层。本发明的优点在于，采用起泡离子注入单晶硅衬底中，通过退火在单晶硅衬底与锗硅层之间形成气孔层，并将氧离子注入至气孔层中，退火后在气孔层的位置形成绝缘埋层。由于绝缘埋层均形成于单晶硅衬底而非锗硅层中，因此可以对锗的排出现象起到抑制的作用，并且所述的气孔层可以有效地束缚氧原子，有利于绝缘埋层的形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101308230A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810040173.0
申请日：2008-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于微机械加工的SOI(绝缘体上硅)基三维楔形模斑转换器及制作方法，用于光纤等光源设备与硅基波导等小尺寸光电子器件的高效耦合。该模斑转换器的制作利用硅晶片不同晶面的选择性腐蚀特性，采用体硅微机械加工工艺实现，属微电子学与固体电子学领域。本发明采用SOI材料，利用光刻、各向异性腐蚀和干法刻蚀等微机械工艺进行加工制作，得到在垂直和水平方向均有线性变化的三维楔形模斑转换器结构，可以有效提高通用光纤和小尺寸平面波导等光学及光电子器件的耦合效率。本发明的制作方法具有工艺简单，兼容性好，可控性强，实用性强等优点。
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公开(公告)号：CN101130856A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710046884.4
申请日：2007-10-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明采用离子束辅助沉积技术沉积铂－碳混合膜，即在溅射沉积铂－碳混合膜的同时，由于利用碳原子的溅射率随辅助轰击氩离子的能量的增大而迅速增大的特点，通过调节辅助轰击氩离和剂量，精确控制铂－碳混合膜的铂/碳成份比。本发明易在普通离子束辅助沉积设备上实现，工艺简单、成本低，特别适合在实验室条件下制备少量的实验样品用。
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公开(公告)号：CN101106161A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710043618.6
申请日：2007-07-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L23/00 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L21/84 , H01L33/00 , H01S5/00
Abstract: 本发明涉及一种用于氮化镓外延生长的衬底材料及其制备方法，其特征在于(1)所述的材料为绝缘体上的硅材料(SOI)或具有单晶硅－绝缘埋层－单晶硅的三层复合结构的衬底材料；(2)顶层的硅被刻蚀成一个个独立的硅岛；硅岛之间的最小距离要大于外延氮化镓厚度的两倍；且独立硅岛的中心区域下的衬底硅和绝缘埋层被全部刻蚀掉，而其它部分的衬底硅和绝缘埋层给予保留，从而独立硅岛的中心区域悬空，悬空面积S2大于独立硅岛面积S1的70％，而小于90％。本发明所得到的中心悬空的顶层硅岛为氮化镓外延生长提供了超薄衬底，能有效减少异质外延的应力，提高外延生长氮化镓的晶体质量。
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公开(公告)号：CN1315194C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200410017239.6
申请日：2004-03-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及了一种双埋层结构的绝缘体上的硅材料、制备及用途。其特征在于：具有双埋层结构，下埋层为连续的绝缘埋层，上埋层为不连续的图形化绝缘埋层。在存在上埋层的SOI局部区域，顶层硅的厚度为0.05～0.4μm，而在不存在上埋层的SOI局部区域，顶层硅的厚度为0.6～20μm，制备方法是以注氧隔离技术制备的具有连续埋层的SOI材料为衬底，硅气相外延生长获得较厚的单晶硅层，再采用图形化SIMOX工艺得到不连续的上埋层结构，或再结合反应离子刻蚀技术以及硅选择性外延工艺将上埋层结构的连续状况转变为不连续的。所制备的材料为SOI光电子器件的单片集成提供了衬底材料。
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公开(公告)号：CN1223514C
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03129171.6
申请日：2003-06-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及鳞状碳纳米管、制备方法和专用装置。所述鳞状碳纳米管特征在于其外径15～50纳米，内径5～20纳米，长度10～100微米，鳞状实起长度100纳米，宽50纳米，由3～10层呈蜷曲状的多层石墨层片的实起。其制备包括中间层制备、过渡金属催化剂制备和碳纳米管生长三个过程，特征在于通过催化层的过渡金属膜，尤其是铁膜和中间层的晶格失配产生应力，使过渡金属膜破裂成纳米级颗粒。提供的专用装置包括真空系统、加热系统、配气系统、等离子体发生系统和薄膜生长系统，可一次完成包括样品清洗、预处理、中间层沉积、催化剂制备和碳纳米管的生长等工艺过程。制备的鳞状碳纳米管密度高、直径均匀、石墨化程度高，长度由反应时间控制。
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