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公开(公告)号：CN1223514C
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03129171.6
申请日：2003-06-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及鳞状碳纳米管、制备方法和专用装置。所述鳞状碳纳米管特征在于其外径15～50纳米，内径5～20纳米，长度10～100微米，鳞状实起长度100纳米，宽50纳米，由3～10层呈蜷曲状的多层石墨层片的实起。其制备包括中间层制备、过渡金属催化剂制备和碳纳米管生长三个过程，特征在于通过催化层的过渡金属膜，尤其是铁膜和中间层的晶格失配产生应力，使过渡金属膜破裂成纳米级颗粒。提供的专用装置包括真空系统、加热系统、配气系统、等离子体发生系统和薄膜生长系统，可一次完成包括样品清洗、预处理、中间层沉积、催化剂制备和碳纳米管的生长等工艺过程。制备的鳞状碳纳米管密度高、直径均匀、石墨化程度高，长度由反应时间控制。
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公开(公告)号：CN1564297A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN200410017788.3
申请日：2004-04-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01J9/02
Abstract: 本发明涉及一种离子注入提高碳纳米管薄膜电子场发射的方法。特征在于通过对碳纳米管薄膜的衬底进行离子束处理，在衬底表面形成微米级的坑洞，经过后续处理，生长出具有微孔或微束特征的碳纳米管膜。通过增加碳纳米管膜中边缘比例和降低碳纳米管膜整体密度来提高场增强效果，从而改善碳纳米管薄膜的电子场发射性能。为形成碳纳米管孔洞，在离子注入后的硅片表面直接沉积催化金属层；为形成碳纳米管束，注入后在硅片表面沉积牺牲层，再然后进行退火，硅片表面形成凹坑，然后沉积催化金属层。化学腐蚀去掉牺牲层后，形成了分割的，彼此独立的小面积金属薄膜；碳纳米管膜的生长采用低频射频等离子体增强CVD方法。本方法与一般的微电子加工工艺相兼容，特别适合场发射平板显示器的单个像素点的电子场发射性能的改善。
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公开(公告)号：CN1460638A
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN03129171.6
申请日：2003-06-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及鳞状碳纳米管、制备方法和专用装置。所述鳞状碳纳米管特征在于其外径15～50纳米，内径5～20纳米，长度10～100微米，鳞状实起长度100纳米，宽50纳米，由3～10层呈蜷曲状的多层石墨层片的实起。其制备包括中间层制备、过渡金属催化剂制备和碳纳米管生长三个过程，特征在于通过催化层的过渡金属膜，尤其是铁膜和中间层的晶格失配产生应力，使过渡金属膜破裂成纳米级颗粒。提供的专用装置包括真空系统、加热系统、配气系统、等离子体发生系统和薄膜生长系统，可一次完成包括样品清洗、预处理、中间层沉积、催化剂制备和碳纳米管的生长等工艺过程。制备的鳞状碳纳米管密度高、直径均匀、石墨化程度高，长度由反应时间控制。
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公开(公告)号：CN100342474C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200410017788.3
申请日：2004-04-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01J9/02
Abstract: 本发明涉及一种离子注入提高碳纳米管薄膜电子场发射的方法。特征在于通过对碳纳米管薄膜的衬底进行离子束处理，在衬底表面形成微米级的坑洞，经过后续处理，生长出具有微孔或微束特征的碳纳米管膜。通过增加碳纳米管膜中边缘比例和降低碳纳米管膜整体密度来提高场增强效果，从而改善碳纳米管薄膜的电子场发射性能。为形成碳纳米管孔洞，在离子注入后的硅片表面直接沉积催化金属层；为形成碳纳米管束，注入后在硅片表面沉积牺牲层，再然后进行退火，硅片表面形成凹坑，然后沉积催化金属层。化学腐蚀去掉牺牲层后，形成了分割的，彼此独立的小面积金属薄膜；碳纳米管膜的生长采用低频射频等离子体增强CVD方法。本方法与一般的微电子加工工艺相兼容，特别适合场发射平板显示器的单个像素点的电子场发射性能的改善。
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