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公开(公告)号:CN101195190A
公开(公告)日:2008-06-11
申请号:CN200710149118.0
申请日:2001-09-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L21/78 , B23K20/023 , B23K20/16 , B23K20/233 , B23K20/26 , B23K26/03 , B23K26/032 , B23K26/034 , B23K26/046 , B23K26/0624 , B23K26/066 , B23K26/073 , B23K26/0853 , B23K26/16 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , B28D5/0011 , B65G2249/04 , C03B33/023 , C03B33/082 , C03B33/102 , C03C23/0025 , G02F1/1368 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , Y02P40/57 , Y10T29/49144 , Y10T83/0341
Abstract: 本发明涉及激光加工方法和装置,以及半导体芯片及其制造方法,其中该激光加工方法为,向晶片状的加工的对象物内部对准聚光点并照射激光,从而沿着加工对象物的切割预定线在加工对象物的内部形成由多光子吸收产生的改质区域,且在入射至加工对象物的激光的入射方向上改变激光的聚光点的位置,从而沿着入射方向并列地形成多个改质区域,利用多个已形成的改质区域,沿着加工对象物的切割预定线在距加工对象物的激光入射面规定距离的内侧形成成为切割的起点的区域。
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公开(公告)号:CN101136361A
公开(公告)日:2008-03-05
申请号:CN200710147748.4
申请日:2001-09-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L21/78 , B23K20/023 , B23K20/16 , B23K20/233 , B23K20/26 , B23K26/03 , B23K26/032 , B23K26/034 , B23K26/046 , B23K26/0624 , B23K26/066 , B23K26/073 , B23K26/0853 , B23K26/16 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , B28D5/0011 , B65G2249/04 , C03B33/023 , C03B33/082 , C03B33/102 , C03C23/0025 , G02F1/1368 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , Y02P40/57 , Y10T29/49144 , Y10T83/0341
Abstract: 本发明涉及一种激光加工方法,向晶片状的加工对象物的内部对准聚光点并照射激光,从而在加工对象物的内部形成,沿着所述加工对象物的切割预定线延伸且延伸方向上的一端和另一端达到所述加工对象物的外缘的改质区域,以所述改质区域为切断的起点将所述加工对象物沿着所述切割预定线切断。
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公开(公告)号:CN1983557A
公开(公告)日:2007-06-20
申请号:CN200610164347.5
申请日:2003-03-06
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/78 , H01L21/301 , B23K26/00 , B23K26/40
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/0057 , B23K26/0622 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2103/50 , B23K2203/50 , B28D5/00 , B28D5/0011 , H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/30604 , H01L21/6836 , H01L21/76894 , H01L23/544 , H01L23/562 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2223/5446 , H01L2924/00 , H01L2924/0002
Abstract: 本发明提供一种能防止碎屑或破裂的发生、使基板薄型化并将基板分割的基板的分割方法。该基板的分割方法的特征在于,具有:通过在表面(3)形成功能元件(19)的半导体基板(1)的内部,使聚光点聚合并照射激光,在半导体基板(1)的内部形成含由多光子吸收生成的溶融处理领域的调质领域,通过含该溶融处理领域的调质领域,形成切割起点领域的工序;以及在形成切割起点领域后,研磨半导体基板(1)的背面(21)使半导体基板(1)成为规定的厚度的工序。
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公开(公告)号:CN1643656A
公开(公告)日:2005-07-20
申请号:CN03805866.9
申请日:2003-03-06
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/00
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/0057 , B23K26/0622 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2103/50 , B23K2203/50 , B28D5/00 , B28D5/0011 , H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/30604 , H01L21/6836 , H01L21/76894 , H01L23/544 , H01L23/562 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2223/5446 , H01L2924/00 , H01L2924/0002
Abstract: 本发明提供一种能防止碎屑或破裂的发生、使基板薄型化并将基板分割的基板的分割方法。该基板的分割方法的特征在于,具有:通过在表面(3)形成功能元件(19)的半导体基板(1)的内部,使聚光点聚合并照射激光,在半导体基板(1)的内部形成含由多光子吸收生成的溶融处理领域的调质领域,通过含该溶融处理领域的调质领域,形成切割起点领域的工序;以及在形成切割起点领域后,研磨半导体基板(1)的背面(21)使半导体基板(1)成为规定的厚度的工序。
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公开(公告)号:CN1642687A
公开(公告)日:2005-07-20
申请号:CN03805863.4
申请日:2003-03-11
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/38 , B28D5/00 , H01L21/301
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , B28D1/221 , B28D5/0011 , C03B33/0222 , C03B33/033 , C03B33/07 , C03B33/074 , H01L2924/01015
Abstract: 本发明提供一种能高精度切割加工对象物的加工对象物切割方法。按照该方法,使聚光点P在硅基板等的加工对象物1的内部聚合,照射激光L,在加工对象物1的内部形成由多光子吸收生成的调质领域7,利用该调质领域7,沿切割预定线形成离加工对象物1的厚度的中心线CL靠近加工对象物1的表面3侧的切割起点领域8。接着,从加工对象物1的背面21侧挤压加工对象物。这样,以切割起点领域8为起点发生破裂,可沿切割预定线实现高精度切割加工对象物1。
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公开(公告)号:CN111633349A
公开(公告)日:2020-09-08
申请号:CN202010459610.3
申请日:2001-09-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/38 , B23K26/064 , B23K26/0622 , B23K26/046 , B23K26/70
Abstract: 本发明提供能够在加工对象物的表面上不发生熔融或者偏离切割预定线的分割而切割加工对象物的激光加工方法以及激光加工装置,其中,在引起多光子吸收的条件下而且在加工对象物(1)的内部对准聚光点(P),在加工对象物(1)的表面(3)的切割预定线(5)上照射脉冲激光(L),通过使聚光点(P)沿着切割预定线(5)移动,沿着切割预定线(5)在加工对象物(1)的内部形成改质区,通过从改质区开始,沿着切割预定线(5)分割加工对象物(1),能够用比较小的力切割加工对象物(1),由于在激光(L)的照射过程中,在加工对象物(1)的表面(3)上几乎不吸收脉冲激光(L),因此即使形成改质区也不会熔融表面(3)。
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公开(公告)号:CN106537116A
公开(公告)日:2017-03-22
申请号:CN201580027194.7
申请日:2015-05-15
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 光学板是用于向对象物照射光的光学板,具有:用于输入上述光的光输入面;用于输出上述光的光输出面;与上述光输出面相对的背面;和通过激光的聚光而形成于该光学板的至少内部并用于使上述光扩散的光扩散部。上述光输入面是上述光输出面与上述背面之间的面,从上述光输入面输入的上述光在上述光扩散部被扩散,并从上述光输出面输出。
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公开(公告)号:CN103612338B
公开(公告)日:2015-07-15
申请号:CN201310462942.7
申请日:2001-09-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L21/78 , B23K20/023 , B23K20/16 , B23K20/233 , B23K20/26 , B23K26/03 , B23K26/032 , B23K26/034 , B23K26/046 , B23K26/0624 , B23K26/066 , B23K26/073 , B23K26/0853 , B23K26/16 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , B28D5/0011 , B65G2249/04 , C03B33/023 , C03B33/082 , C03B33/102 , C03C23/0025 , G02F1/1368 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , Y02P40/57 , Y10T29/49144 , Y10T83/0341
Abstract: 本发明提供能够在加工对象物的表面上不发生熔融或者偏离切割预定线的分割而切割加工对象物的激光加工方法以及激光加工装置,其中,在引起多光子吸收的条件下而且在加工对象物(1)的内部对准焦点(P),在加工对象物(1)的表面(3)的切割预定线(5)上照射脉冲激光(L),通过使聚光点(P)沿着切割预定线(5)移动,沿着切割预定线(5)在加工对象物(1)的内部形成改质区,通过从改质区开始,沿着切割预定线(5)分割加工对象物(1),能够用比较小的力切割加工对象物(1),由于在激光(L)的照射过程中,在加工对象物(1)的表面(3)上几乎不吸收脉冲激光(L),因此即使形成改质区也不会熔融表面(3)。
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公开(公告)号:CN102271859B
公开(公告)日:2014-07-09
申请号:CN200980153474.7
申请日:2009-12-04
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/53 , B23K26/03 , B23K26/064 , B23K26/073 , H01L21/301
Abstract: 本发明涉及激光加工装置。柱面透镜(4)使激光(L1)在Y轴方向(即YZ平面内)上发散,在X轴方向(即在ZX平面内)上不发散且不收束。而且,物镜(5)使从柱面透镜(4)射出的激光(L1)在Y轴方向上收束在点(P1),在X轴方向上收束在点(P2)。由此,激光(L1)的剖面形状,在点(P1)成为在X轴方向上延伸的长条形状,在点(P2)成为在Y轴方向上延伸的长条形状。因此,通过使点(P1)位于加工对象物(S)的外部,使点(P2)位于加工对象物(S)的内部,从而在加工对象物(S)的内部的点(P2)所位于的部分,可以形成在Y轴方向上延伸的长条形状的加工区域。
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公开(公告)号:CN103612338A
公开(公告)日:2014-03-05
申请号:CN201310462942.7
申请日:2001-09-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L21/78 , B23K20/023 , B23K20/16 , B23K20/233 , B23K20/26 , B23K26/03 , B23K26/032 , B23K26/034 , B23K26/046 , B23K26/0624 , B23K26/066 , B23K26/073 , B23K26/0853 , B23K26/16 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , B28D5/0011 , B65G2249/04 , C03B33/023 , C03B33/082 , C03B33/102 , C03C23/0025 , G02F1/1368 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , Y02P40/57 , Y10T29/49144 , Y10T83/0341
Abstract: 本发明提供能够在加工对象物的表面上不发生熔融或者偏离切割预定线的分割而切割加工对象物的激光加工方法以及激光加工装置,其中,在引起多光子吸收的条件下而且在加工对象物(1)的内部对准焦点(P),在加工对象物(1)的表面(3)的切割预定线(5)上照射脉冲激光(L),通过使聚光点(P)沿着切割预定线(5)移动,沿着切割预定线(5)在加工对象物(1)的内部形成改质区,通过从改质区开始,沿着切割预定线(5)分割加工对象物(1),能够用比较小的力切割加工对象物(1),由于在激光(L)的照射过程中,在加工对象物(1)的表面(3)上几乎不吸收脉冲激光(L),因此即使形成改质区也不会熔融表面(3)。
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