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公开(公告)号：CN104900903A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510100529.5
申请日：2015-03-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/0525 , H01M4/13
CPC classification number: H01M10/052 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/382 , H01M4/386 , H01M4/583 , H01M4/587 , H01M10/0585 , H01M2004/025 , H01M2010/4292 , H01M2220/30 , H01M10/0525 , H01M4/13 , H01M4/36 , H01M10/42 , H01M2220/20
Abstract: 提供一种容量高的锂离子二次电池。锂离子二次电池包括第一电极以及第二电极，第一电极包括第一电极活性物质，第二电极包括第二电极活性物质及第三电极活性物质，第二电极活性物质的充放电效率高于第一电极活性物质，第三电极活性物质的充放电效率低于第二电极活性物质，第二电极活性物质和第一电极活性物质的充放电效率之间的差异与第二电极活性物质的容量的积大于第一电极活性物质和第三电极活性物质的充放电效率之间的差异与第三电极活性物质的容量的积，第二电极活性物质和第三电极活性物质的总和中的第二电极活性物质的配合比小于第二电极活性物质和第三电极活性物质的总和中的第三电极活性物质的配合比。
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公开(公告)号：CN104795361A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510127031.8
申请日：2007-09-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , B32B43/006 , G02F1/1303 , G02F1/13306 , G06K19/0772 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/156 , H01L31/1892 , H01L31/206 , H01L33/005 , H01L51/003 , H01L51/0097 , H01L2221/68318 , H01L2221/6835 , H01L2221/68363 , H01L2221/68386 , H01L2221/68395 , H01L2227/326 , H01L2251/5338 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , Y10T29/41 , H01L21/7813
Abstract: 本公开的发明名称为“剥离装置及半导体装置的制造方法”。本发明涉及剥离装置及半导体装置的制造方法，其目的在于当从用于制造半导体元件的衬底剥离包括半导体元件的元件形成层时，消除随着剥离而产生的静电的放电。使形成有元件形成层及剥离层的衬底和薄膜经过加压用滚筒和加压用滚筒之间的空隙。在加压用滚筒和加压用滚筒之间，薄膜贴附到元件形成层。在加压用滚筒的回收薄膜一侧，薄膜沿着加压用滚筒的曲面而弯曲，从而在元件形成层和剥离层之间产生剥离，以元件形成层转移在薄膜。向由剥离而产生的元件形成层和剥离层之间的空隙通过喷嘴逐步供应液体如纯水等，从而产生在元件形成层及剥离层的表面上的电荷由液体扩散。
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公开(公告)号：CN103178083A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210559293.8
申请日：2012-12-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0097 , H01L27/1225 , H01L27/32 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L33/52 , H01L51/5203 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5246 , H01L51/5253 , H01L51/56 , H01L2251/301 , H01L2251/5338 , H01L2924/0002 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的一个方式提供一种具备弯曲的发光面的发光装置。此外，本发明的一个方式提供一种可靠性高的发光装置。作为衬底使用具有可塑性的衬底，在使衬底为平坦的状态下形成发光元件。接着，将形成有上述发光元件的衬底弯曲地配置在具有弯曲的表面的支撑体的该表面上。然后，通过保持上述状态地形成用来保护发光元件的保护层，可以制造具备弯曲的发光面的照明装置或显示装置等的发光装置。
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公开(公告)号：CN101740495A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910246065.3
申请日：2009-11-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/32134 , H01L27/1214
Abstract: 本发明涉及柔性半导体装置的制造方法。本发明的一个方式的目的之一在于当使半导体元件柔性化时，不损坏半导体元件地进行剥离。此外，本发明的一个方式的目的之一在于提供使剥离层和缓冲层的密接性变弱的技术。此外，本发明的一个方式目的之一在于提供不因剥离而在半导体元件中产生弯曲压力的技术。使用蚀刻液溶解剥离层来对隔着缓冲层形成在剥离层上的半导体元件进行剥离。或者，将薄膜插入剥离层的因接触于蚀刻液而溶解的区域，通过向剥离层的尚未溶解的区域移动薄膜来进行剥离。
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公开(公告)号：CN101471351A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810189707.6
申请日：2008-12-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/144 , H01L21/78
CPC classification number: H01L27/1214 , H01L27/12 , H01L27/14687 , H01L27/14692
Abstract: 本发明涉及半导体装置以及其制造方法。在衬底的第一面上设置半导体元件。在衬底的与第一面相反的第二面上和衬底的侧面的一部分上形成树脂层。在衬底的侧面中具有水平差。具有水平差的衬底的上方部分的宽度比具有水平差的衬底的下方部分的宽度窄。因此，衬底也可以是凸字形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119965259A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510130329.8
申请日：2018-05-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种劣化少的正极活性物质粒子。或者，提供一种劣化少的蓄电装置。或者，提供一种安全性高的蓄电装置。一种正极活性物质粒子包括第一晶粒、第二晶粒及位于第一晶粒与第二晶粒间的晶界，其中第一晶粒及第二晶粒包含锂、过渡金属及氧，晶界包含镁和氧，并且该正极活性物质具有晶界中的镁的原子浓度与第一晶粒及第二晶粒中的过渡金属的原子浓度比为0.010以上且0.50以下的区域。
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公开(公告)号：CN119275225A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410835155.0
申请日：2024-06-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/13 , H01M4/1391 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/058 , H01M10/052
Abstract: 本发明的一个方式提供一种高容量的锂离子二次电池及其制造方法。在惰性气氛中对球状树脂进行500℃以上的第一加热处理以进行表面改性。通过加热，使粒子收缩、通过粒子内部的气体释放形成空孔、在粒子表面形成裂缝等，由此形成后面用来混合的硫的担载体。将得到的球状粒子与硫粉末进行混合，然后将其放入容器内并在不接触外界空气的情况下进行120℃以上的第二加热处理。
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公开(公告)号：CN118412464A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410496389.7
申请日：2018-05-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/525 , H01M4/36 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 提供一种劣化少的正极活性物质粒子。或者，提供一种劣化少的蓄电装置。或者，提供一种安全性高的蓄电装置。一种正极活性物质粒子包括第一晶粒、第二晶粒及位于第一晶粒与第二晶粒间的晶界，其中第一晶粒及第二晶粒包含锂、过渡金属及氧，晶界包含镁和氧，并且该正极活性物质具有晶界中的镁的原子浓度与第一晶粒及第二晶粒中的过渡金属的原子浓度比为0.010以上且0.50以下的区域。
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公开(公告)号：CN118335886A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410589242.2
申请日：2018-06-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/04 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/48 , H01M10/0525
Abstract: 一种正极活性物质在充电状态和放电状态间的结晶结构的变化很小。例如，与现有的正极活性物质相比，在放电状态时具有层状岩盐型结晶结构而在4.6V左右的高电压充电状态时具有拟尖晶石型结晶结构的正极活性物质通过充放电的结晶结构及体积变化小。为了形成在充电状态时具有拟尖晶石型结晶结构的正极活性物质，优选混合氟等卤素源及镁源与预先合成的含有锂、过渡金属和氧的复合氧化物的粒子，然后以适当的温度及时间对该混合物进行加热。
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公开(公告)号：CN117810413A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311846345.4
申请日：2017-11-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/36 , H01M4/525 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01M10/0567 , H01M10/0568 , H01M10/0569
Abstract: 本发明提供一种循环特性良好且容量大的锂离子二次电池用正极活性物质。在正极活性物质的表层部上设置包含铝的覆盖层、包含镁的覆盖层。包含镁的覆盖层存在于比包含铝的覆盖层更接近粒子表面的区域。包含铝的覆盖层可以通过使用铝醇盐的溶胶‑凝胶法形成。可以对起始材料混合镁及氟，在溶胶‑凝胶法之后进行加热而镁偏析，由此形成包含镁的覆盖层。
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