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公开(公告)号：CN212723526U
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202020878433.8
申请日：2020-05-22
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及一种MEMS致动器。MEMS致动器包括半导体材料的单片式主体，其中半导体材料的支撑部可相对于彼此横切的第一旋转轴和第二旋转轴定向。半导体材料的第一框架通过第一可变形元件耦合到支撑部，第一可变形元件被配置为控制支撑部绕第一旋转轴的旋转。半导体材料的第二框架通过第二可变形元件耦合到第一框架，第二可变形元件耦合在第一框架和第二框架之间并且被配置为控制支撑部绕第二旋转轴的旋转。第一可变形元件和第二可变形元件承载相应的压电致动元件。
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公开(公告)号：CN210082663U
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201920070358.X
申请日：2019-01-16
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B41J2/01
Abstract: 本公开的实施例涉及用于喷射流体的设备以及流体喷射设备。一种用于喷射流体的设备，包括：第一半导体本体，包括喷嘴和第一凹槽，第一凹槽限定腔室的第一部分，喷嘴被流体耦合到第一部分；以及第二半导体本体，具有膜和第二凹槽，第二凹槽限定腔室的第二部分，致动器操作性地被耦合到膜，其中第一半导体本体和第二半导体本体被耦合在一起，以便第一部分和第二部分共同形成被配置成容纳流体的腔室，以及其中第一部分限定腔室的总体积的第一体积，并且第二部分限定腔室的总体积的第二体积，第一体积大于第二体积。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209338108U
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201821256823.0
申请日：2018-08-06
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本申请涉及MEMS器件和自动聚焦系统。MEMS器件包括具有第一腔体的半导体支撑体，包括固定到支撑体的周边部分和悬置部分的膜。第一可变形结构与膜的悬置部分的中心部分相隔一段距离，并且第二可变形结构朝向膜的周边部分而相对于第一可变形结构横向偏移。将突出区域固定在膜下方。第二可变形结构是可变形的，以便沿第一方向平移膜的悬置部分的中心部分，并且第一可变形结构是可变形的，以便沿第二方向平移膜的悬置部分的中心部分。由此提供改进的MEMS器件和自动聚焦系统。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209079461U
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201821138534.0
申请日：2018-07-18
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及微流体器件。一种微流体器件具有多个喷射器元件。每个喷射器元件包括：容纳第一流体流动通道和致动器室的第一区域；容纳流体容纳室的第二区域；以及容纳第二流体流动通道的第三区域。流体容纳室流体耦合到第一和第二流体流动通道。第二区域由膜层、膜限定层和流体腔室限定体形成，膜限定层机械地耦合到膜层并且具有膜限定开口，流体腔室限定体机械地耦合到膜限定层并且具有腔室限定开口，腔室限定开口的宽度大于膜限定开口的宽度。因此，膜的宽度由腔室限定开口的宽度限定。
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公开(公告)号：CN206440889U
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201620654031.3
申请日：2016-06-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: H04N9/3135 , B81B3/0045 , G02B7/1821 , G02B26/0858 , G02B26/101 , G02B26/105 , H04N9/3173
Abstract: 本实用新型涉及一种MEMS器件、MEMS投影系统以及便携式电子装置。MEMS器件包含：固定结构(10)；活动结构(12)，其包括反射元件(90)；第一可变形结构(22)和第二可变形结构(24)，它们被布置在固定结构和活动结构之间。第一可变形结构和第二可变形结构中的每个包括相应数量的主压电元件(40)。第一可变形结构和第二可变形结构的主压电元件(40’，40”)能够被电控制以引起活动结构分别关于第一轴线(A1)和第二轴线(A2)的振荡。第一可变形结构还包括相应数量的次压电元件(42’)，它们能够被电控制从而改变活动结构关于第一轴线的第一谐振频率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN219765916U
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202223066986.1
申请日：2022-11-18
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例一种超声换能器器件，包括具有第一主表面和第二主表面的半导体本体并且包括：第一腔室，其在距所述第一主表面一定距离处延伸到所述半导体本体中；由所述半导体本体在所述第一主表面和所述第一腔室之间形成的膜；膜上的压电元件；在所述第一腔室和所述第二主表面之间延伸到所述半导体本体中的第二腔室；中心流体通道，所述中心流体通道从所述第二主表面到所述第一腔室延伸到所述半导体本体中并且横穿所述第二腔室；以及一个或多个横向流体通道，所述一个或多个横向流体通道从所述第二主表面延伸到所述半导体本体中到达所述第二腔室。利用本公开的实施例有利地改善了待检测物体和超声换能器器件之间的最小可检测相对距离。
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公开(公告)号：CN216512849U
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202122361296.8
申请日：2021-09-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B81B3/00 , B81B7/02 , H01L41/083 , B81C1/00
Abstract: 本公开的实施例涉及压电微机电结构。一种压电微机电结构，包括：压电堆叠，具有在水平平面中的主延伸，以及在横向于水平平面的平面中的变化的截面厚度；其中，压电堆叠由以下项的堆叠布置形成：底电极区，布置在底电极区上的压电材料区，以及布置在压电材料区上的顶电极区；其中，由于变化的截面厚度，压电材料区在第一区域具有沿横向于水平平面的竖直轴线的第一厚度，并且压电材料区在第二区域具有沿竖直轴线的第二厚度，第二厚度小于第一厚度。利用本公开的实施例有利地实现压电致动和压电检测两个方面的压电性能改善。
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公开(公告)号：CN215819880U
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202023020656.X
申请日：2020-12-15
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及一种微流体分配装置。该微流体分配装置具有按照顺序布置的多个腔，每个腔具有接收待被分配的液体的入口以及用于喷出液滴的喷嘴。每个腔中的致动器接收致动量，并使液滴由相应腔的喷嘴喷出。每个腔中的液滴喷出检测元件在检测到液滴喷出时生成致动命令。一种顺序激活电路，包括多个顺序激活元件，每个腔一个顺序激活元件，每个顺序激活元件耦合到相应腔的液滴喷出检测元件，以及耦合到与一系列腔中的后续腔相关联的致动器。每个顺序激活元件从与相应腔相关联的液滴喷出检测元件接收致动命令，并激活与一系列腔中的后续腔相关联的致动器。通过本公开的实施例，可以例如减小集成区域总体尺寸并且降低成本。
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公开(公告)号：CN215364899U
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202120565750.9
申请日：2021-03-19
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 公开了流量感测装置及用于测量流体的特性的系统。基于科里奥利力的流量感测装置包括：硅基底；绝缘层，在所述基底的表面上；至少一个驱动电极，在所述绝缘层上；以及硅结构体，与所述驱动电极部分地重叠，所述结构体具有埋入通道。本公开的实施例提供了高性能和低成本特性的流量感测装置及包括用于测量流体特性的系统。
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公开(公告)号：CN212508742U
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202020546746.3
申请日：2020-04-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的各实施例涉及微型泵设备。微型泵设备形成在集成并排布置的多个致动器元件的单片半导体主体中。每个致动器元件具有：第一室，该第一室在与单片主体的第一面相距一距离处延伸；布置在第一面与第一室之间的膜；在膜之上的第一面上延伸的压电元件；布置在第一室与单片主体的第二面之间的第二室；将第二室与单片主体的外部流体连接的流体入口路径；以及在单片主体中沿横断方向从第二面一直延伸到第二室，并穿过第一室的流体出口。致动器元件的单片形式以及以不同的电压驱动致动器元件的可能性使能将流量从非常低的值到很高的值的精确调整。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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