公开(公告)号：CN108121153A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711202775.7

申请日：2017-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  宋伣在 ,  朴晟准 ,  申建旭 ,  李昌锡

IPC: G03F1/62 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20

Abstract: 提供用于光掩模的表膜、包括其的掩模版、和用于光刻的曝光设备。所述表膜可包括表膜膜片，并且所述表膜膜片可包括纳米晶体石墨烯。所述纳米晶体石墨烯可具有缺陷。所述纳米晶体石墨烯可包括多个纳米级晶粒，并且所述纳米级晶粒可包括具有芳族环结构的二维(2D)碳结构。所述纳米晶体石墨烯的缺陷可包括如下的至少一种：sp3碳原子、氧原子、氮原子、或者碳空位。

公开(公告)号：CN107768331A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710700935.4

申请日：2017-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东郁 ,  金尚元 ,  薛珉洙 ,  郑盛骏 ,  南胜杰 ,  朴晟准 ,  申铉振

IPC: H01L23/373

CPC classification number: H01L23/3733 ,  B82Y30/00 ,  C08K3/042 ,  H01L21/4871 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/3738 ,  H01L23/42

Abstract: 公开了使用诸如石墨烯量子点(GQD)的纳米尺寸的石墨烯碎片的散热结构和/或制造该散热结构的方法。一种散热结构包括发热元件以及在发热元件上以将产生自发热元件的热消散至外部的散热膜。散热膜可以包括GQD。

公开(公告)号：CN105742358A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201510765524.4

申请日：2015-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  申铉振 ,  李载昊 ,  金海龙

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本公开提供了电子器件及其制造方法。该电子器件包括2D材料层以及彼此间隔开的第一电极和第二电极。2D材料层连接第一电极和第二电极。2D材料层包括多个2D纳米材料。2D纳米材料中的至少一些彼此交叠。

公开(公告)号：CN105319854A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510292394.7

申请日：2015-06-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚元 ,  申铉振 ,  朴晟准

IPC: G03F7/09

Abstract: 本发明涉及硬掩模组合物和通过使用该硬掩模组合物形成图案的方法。所述硬掩模组合物可包括：溶剂；和包含约0.01原子％-约40原子％氧的2维碳纳米结构体、或其2维碳纳米结构体前体。所述2维碳纳米结构体前体中的氧的含量可低于约0.01原子％或者大于约40原子％。所述硬掩模组合物可用于形成精细图案。

公开(公告)号：CN101314470B

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN200810107802.7

申请日：2008-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹善美 ,  崔诚宰 ,  申铉振 ,  崔在荣 ,  金晟镇 ,  李永熙

IPC: C01B31/02 ,  H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  H01L21/00 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L51/002 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0049 ,  H01L51/444 ,  H01L51/5206 ,  Y02E10/542 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明公开了一种导电性提高的碳纳米管、其制备工艺及包含其的电极。本发明提供了一种掺杂碳纳米管的方法、利用该方法制备的p-掺杂的碳纳米管、包含所述碳纳米管的电极、显示装置或太阳能电池。具体来讲，提供了一种通过利用氧化剂对碳纳米管改性来掺杂具有提高的导电性的碳纳米管的方法、利用该方法制备的被掺杂的碳纳米管、包含所述碳纳米管的电极、显示装置或太阳能电池。

公开(公告)号：CN102250439A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201010596239.1

申请日：2010-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹善美 ,  寗洪龙 ,  郑敞午 ,  崔在荣 ,  崔元默 ,  申铉振

IPC: C08L33/02 ,  C08K7/00 ,  C08K3/04 ,  B82Y30/00 ,  B32B9/00 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/13439 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C08L33/02 ,  Y10T428/1064

Abstract: 本发明涉及CNT组合物、CNT层结构体及其制法、液晶显示装置及其制法。所述CNT组合物包含CNT、至少一种分散介质和含有反应性官能团的分散剂。所述CNT层结构体包括基底和设置于所述基底上的CNT层，该CNT层包括以网络形状排列的CNT和吸附到所述CNT并且与所述基底化学键合的有机材料。所述液晶显示装置包括所述CNT层结构体。所述制造CNT层结构体的方法使用所述CNT组合物。所述制造液晶显示装置的方法包括通过使用所述制造CNT层结构体的方法在钝化层上形成像素电极。

公开(公告)号：CN101165883B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200710162507.7

申请日：2007-10-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹善美 ,  崔在荣 ,  李东旗 ,  崔诚宰 ,  申铉振

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/28 ,  H01L27/146 ,  H01L27/32 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01J17/04 ,  H01J29/02 ,  H01J9/02 ,  G06F3/042 ,  G02F1/1343

CPC classification number: H01J9/02 ,  B82Y10/00 ,  G02F1/13439 ,  H01B1/127 ,  H01B1/24 ,  H01J1/02

Abstract: 本发明公开了一种利用导电分散剂的透明碳纳米管(CNT)电极。该透明CNT电极包括透明基底和形成在透明基底的表面上的CNT薄膜，其中，CNT薄膜由包含CNT和掺杂的分散剂的CNT组合物形成。本发明还公开了一种该透明CNT电极的制造方法。该透明CNT电极显示出优异的导电性，可以通过室温湿法工艺按照经济且简单的方式制造该透明CNT电极，并且该透明CNT电极可应用于柔性显示器。该透明CTN电极可用于制造需要具有透光性和导电性的各种装置，包括图像传感器、太阳能电池、液晶显示器、有机电致发光(EL)显示器和触摸屏面板。

公开(公告)号：CN109256328B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201810030517.3

申请日：2018-01-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东郁 ,  金尚元 ,  薛珉洙 ,  朴晟准 ,  申铉振 ,  李润姓 ,  郑盛骏 ,  A.郑

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033

Abstract: 提供硬掩模组合物、其制法和使用其形成图案化的层的方法。所述硬掩模组合物可包括石墨烯量子点、金属化合物、和溶剂。所述金属化合物可与所述石墨烯量子点化学键合(例如，共价键合)。所述金属化合物可包括金属氧化物、金属碳化物、或其组合。所述金属氧化物可包括如下的至少一种：锆(Zr)氧化物、钛(Ti)氧化物、钨(W)氧化物、或铝(Al)氧化物，和所述金属碳化物可包括如下的至少一种：锆(Zr)碳化物、钛(Ti)碳化物、钨(W)碳化物、或铝(Al)碳化物。所述石墨烯量子点可通过M‑O‑C键或M‑C键与所述金属化合物键合，其中M为金属元素，O为氧，且C为碳。

公开(公告)号：CN110752204B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201910012228.5

申请日：2019-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卞卿溵 ,  申建旭 ,  金勇勋 ,  申铉振 ,  宋伣在 ,  李昌锡 ,  金昌炫 ,  赵连柱

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种互连结构和包括该互连结构的电子器件。该互连结构包括包含至少一个沟槽的电介质层、填充所述至少一个沟槽的内部的导电布线、以及在导电布线的至少一个表面上的盖层。盖层包括纳米晶石墨烯。纳米晶石墨烯包括纳米尺寸的晶体。

公开(公告)号：CN108288625B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN201711443369.X

申请日：2017-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载昊 ,  申铉振 ,  李东郁 ,  朴晟准 ,  李基荣 ,  李殷奎 ,  赵常玹 ,  许镇盛

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0352

Abstract: 提供包括石墨烯量子点的光学传感器和图像传感器。所述光学传感器可包括石墨烯量子点层，所述石墨烯量子点层包括与第一官能团结合的多个第一石墨烯量子点且可进一步包括与不同于所述第一官能团的第二官能团结合的多个第二石墨烯量子点。可基于与相应的石墨烯量子点结合的官能团的类型和/或所述石墨烯量子点的尺寸调节所述光学传感器的吸收波长带。