公开(公告)号：CN108140677A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201580082903.1

申请日：2015-09-24

申请人： 丰田自动车欧洲公司 ,  多伦多大学管理委员会

发明人： S·金格 ,  J·徐 ,  B·萨瑟兰 ,  S·胡格兰德 ,  E·萨金特

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0324 ,  H01L31/035227 ,  H01L51/4233 ,  Y02E10/549

摘要： PIN型红外光电二极管(10)，包括第一电极(14)、n型半导体、原子层沉积硫化铅涂层(24)、p型半导体(18)和第二电极(20)，其中所述n型半导体包含共形涂覆有所述原子层沉积硫化铅涂层(24)的纳米线(16)。一种制造PIN型红外光电二极管(10)的方法。

公开(公告)号：CN107910392A

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201711153681.5

申请日：2017-11-20

申请人： 中国石油大学(华东)

发明人： 凌翠翠 ,  郭天超 ,  薛庆忠 ,  赵琳 ,  侯志栋

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/109 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/032 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/18

摘要： 本发明具体提供了一种基于氢化二氧化钛纳米棒阵列和n型硅基底形成的n-n同型异质结的高性能宽带光探测器。首先利用旋涂方法在n型硅基底上生长二氧化钛多孔薄膜；然后通过水热法方法诱导种子层生成二氧化钛纳米棒阵列；并对其进行氢化处理得到氢化二氧化钛纳米棒阵列；最后通过磁控溅射法制备透光金属层电极薄膜。本发明利用氢化二氧化钛纳米棒阵列/硅异质结的界面效应制备的宽带光探测器具有工艺简单，成本低廉，无需加热器，能在室温下工作，及耗能低，灵敏度高，响应、恢复时间短的特点，且宽带光探测器对紫外到红外光均具有良好的检测性能，具有重要的应用前景。

公开(公告)号：CN107527962A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710668059.1

申请日：2017-08-07

申请人： 北京工业大学

发明人： 高志远 ,  赵立欢 ,  张洁 ,  薛晓玮 ,  邹德恕

IPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/036 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/072 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/036 ,  H01L31/18

摘要： 一种高感光面积的斜向ZnO纳米线/GaN异质结太阳能电池，涉及半导体技术领域。所述斜向ZnO纳米线为n型；所述GaN层为半极性面(11-22)的GaN外延层，包括掺Mg的p型GaN层和生长在m面Al2O3衬底上未掺杂的GaN缓冲层；所述斜向ZnO纳米线阵列与生长平面的夹角为30～35度；所述斜向ZnO纳米线被半导体量子点覆盖并被聚合物所填充，其上一层为导电薄膜，作为上电极，下电极位于GaN层上斜向生长的ZnO纳米线阵列的另一侧的台面。本发明通过在半极性GaN外延层上生长斜向ZnO纳米线阵列，提高感光面积，实现高的光电转化效率。

公开(公告)号：CN107516690A

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：CN201710875369.0

申请日：2017-09-25

申请人： 青岛大学

发明人： 万勇 ,  高竞 ,  徐胜 ,  姜澄溢 ,  刘浩楠

IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/0352

CPC分类号： Y02E10/50 ,  H01L31/068 ,  H01L31/035227

摘要： 本发明属于太阳能电池技术领域，涉及一种三维硅基微纳光子晶体太阳能电池，前接触层下侧面上设有前电极；前电极和背电极之间是三维硅基微纳光子晶体太阳能电池结构，三维硅基微纳光子晶体太阳能电池结构的上层为n型硅半导体层，下层为p型硅半导体层，前电极嵌入在n型硅半导体层的线缺陷波导底部，p型硅半导体能与背电极构成平面；背电极的底部设有背接触层，背电极设置在p型硅半导体层的慢光区或禁带区；其厚度小，节省材料，载流子扩散距离短、稳定性好、传输效率高；三维结构规整，而且灵活多变，其加工和复合技术成熟，能成为新一代最有潜力、低成本、高效太阳能电池器件。

公开(公告)号：CN106206780B

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201610640931.7

申请日：2008-06-19

申请人： 昆南诺股份有限公司

发明人： L.萨穆尔森 ,  M.马格努森 ,  F.卡帕索

IPC分类号： H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0735

CPC分类号： H01L31/0547 ,  G02B6/0096 ,  H01L29/885 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1844 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544

摘要： 根据本发明的太阳能电池结构包含构成该太阳能电池结构的光吸收部分的纳米线(205)以及包围该纳米线(205)的至少一部分的钝化壳(209)。在本发明的第一方面，该钝化壳(209)包含光导壳(210)，其优选地具有高的且间接的带隙以提供光导特性。在本发明的第二方面，太阳能电池结构包含多根纳米线，以相邻纳米线之间的最大间距定位所述多根纳米线，该最大间距比所述太阳能电池结构打算要吸收的光的波长短，以便为光吸收提供有效介质。归功于本发明，有可能提供高效率的太阳能电池结构。

公开(公告)号：CN105659390B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201480035600.X

申请日：2014-06-05

申请人： 索尔伏打电流公司

发明人： 英瓦尔·奥贝里 ,  约纳斯·奥尔松 ,  达米尔·阿索利 ,  尼克拉斯·安图

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/075

CPC分类号： H01L31/035281 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1868 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/548

摘要： 一种太阳能电池结构(1)及其制造方法，所述结构包括制造于具有直接带隙的半导体材料中的细长的纳米线(2)的阵列。每一纳米线(2)具有至少第一区段(3)及第二区段(4)。所述结构包括：第一电极层(7)，其实现与每一第一区段(3)的至少一个部分的欧姆接触；第二光学透明电极层(8)，其实现与每一第二区段的至少一个部分的接触。每一纳米线(2)包括少数载流子屏障元件(6)以用于在与所述第二电极层(8)的所述接触处最小化少数载流子的复合。

公开(公告)号：CN107331717A

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：CN201710495117.5

申请日：2017-06-26

申请人： 暨南大学

发明人： 李宝军 ,  杨先光

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/10 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/10 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供一种有机-无机纳米线及其制备方法和有机-无机光探测器及其制备方法。本发明提供的有机-无机纳米线的制备方法，将CdSe/ZnS量子点溶液与聚吡咯的三氯甲烷溶液混合，得到提拉液；将所述提拉液进行提拉，得到有机-无机纳米纤维。本发明通过CdSe/ZnS量子点溶液与聚吡咯的三氯甲烷溶液的混合，使无机量子点溶解分散于聚吡咯中，然后直接提拉得到有机-无机纳米纤维，制备方法简单，无需使用模板即可制备出尺寸可控的有机-无机纳米线。实验结果表明，本发明提供的有机-无机纳米线的纤维直径为200～500nm，纤维长度为8～15μm。

公开(公告)号：CN107210191A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201580074393.3

申请日：2015-12-04

申请人： 原子能及能源替代委员会 ,  阿勒迪亚公司

发明人： F·杜邦 ,  B·安斯塔特 ,  B·霍约特

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/06 ,  H01L31/0352 ,  B82Y10/00

CPC分类号： H01L21/02491 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/0676 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1856 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32 ,  Y02E10/544

摘要： 本发明涉及一种电子器件，所述电子器件包括衬底(1)，由Ⅲ族材料的氮化物形成的至少一个半导体导线元件(2)，以及介于衬底(1)与所述至少一个半导体导线元件(2)之间的导电层(3)。所述至少一个半导体导线元件(2)从所述导电层(3)延伸，并且导电层(3)包括锆的碳化物或铪的碳化物。

公开(公告)号：CN107123703A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710479082.6

申请日：2017-06-22

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 胡平安 ,  刘光波 ,  李中华 ,  陈晓爽 ,  郑威 ,  冯伟 ,  戴明金

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/09

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/09

摘要： 本发明公开了基于独立式二硫化锡纳米片的垂直光电探测器的制备方法，它涉及光电探测器技术领域；它的制备方法为：步骤一：在导电衬底上制备出独立式垂直排列的二硫化锡纳米片；步骤二：旋涂一层透明绝缘层后烘干以将二硫化锡纳米片封装起来；步骤三：用等离子刻蚀工艺将部分透明绝缘层刻蚀掉，重新暴露出部分二硫化锡纳米片；步骤四：蒸镀一层透明金属电极，完成器件；本发明的制备工艺实施简单，避免了繁琐而复杂的光刻技术的使用；相比传统的平行结构的光电探测器，独立式二硫化锡纳米片为基础的垂直电探测器避免了基底造成的散射与掺杂，增加了光吸收，从而提高了其光电探测性能。

公开(公告)号：CN107123701A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710317590.4

申请日：2017-05-08

申请人： 北京工业大学

发明人： 高志远 ,  张洁 ,  薛晓玮 ,  赵立欢 ,  邹德恕

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/09 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L31/1836 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/09

摘要： 一种控制横向ZnO纳米线阵列紫外探测器均匀性的方法，涉及纳米技术与紫外探测技术领域。本发明利用水热法技术，基于二氧化硅衬底、种子层、台阶之间的相互作用，通过依次调整二氧化硅衬底种类、台阶处坡度、种子层厚度、溶液生长浓度和生长时间等实验参数得到高均匀性横向ZnO纳米线阵列的紫外探测器。本发明简单有效，提高了探测器均匀性和稳定性。