-
公开(公告)号：CN102209426A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110084206.3
申请日：2011-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 本田昌伸
CPC classification number: H01J37/32165 , H01J37/32091 , H01J37/32541 , H01J37/32568
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其根据处理控制壁电位。在处理容器内的等离子体处理空间生成等离子体，对晶片进行等离子体处理的蚀刻装置(10)包括：施加等离子体激励用的高频电力的等离子体激励用高频电源(150)；施加电位调整用的高频电力的电位调整用高频电源(140)和施加直流电压的直流电源(130)中的至少任意一个；载置晶片的载置台(125)；和位于载置于载置台(125)的晶片的外侧且与载置台(125)相对地配置，与电位调整用高频电源(140)和直流电源(130)中的至少任意一个连接的辅助电极(165)。
-
公开(公告)号：CN101609799B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200910008929.8
申请日：2009-02-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01L21/32137
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置以及计算机存储介质，能够抑制高腐蚀性处理气体的使用，并且精度良好地形成规定形状的图案。当以图案形成为规定形状的光致抗蚀剂层(102)作为掩模层，利用处理气体的等离子体，对在被处理基板上形成的多晶硅层(104)进行蚀刻时，使用至少含有CF3I气体的处理气体，以使等离子体中的离子向被处理基板加速的自偏压Vdc为200V以下的方式，向载置被处理基板的下部电极施加高频电力。
-
公开(公告)号：CN1828274B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610007747.5
申请日：2006-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 本田昌伸
Abstract: 本发明提供能够以高精度测量等离子体处理装置的等离子体中F密度的方法。本方法是对处理容器(10)内容纳的被处理体(W)进行等离子体处理的等离子体处理装置(1)的等离子体中F密度进行测量的方法，其使用至少含有O2气和惰性气体的处理气体，根据被处理体(W)表面的F游离基发光强度[F*]和惰性气体发光强度[惰性气体*]之比[F*]/[惰性气体*]，测量等离子体处理中的F密度。
-
公开(公告)号：CN100570818C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200710089425.4
申请日：2007-03-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明公开了一种能够去除接地电极上的绝缘膜的等离子体处理装置。该等离子体处理装置具有：含有处理空间的基板处理室，在该处理空间中，基板被进行等离子体处理；将射频电力施加到处理空间中的RF电极；将DC电压施加到处理空间中的DC电极；以及暴露于处理空间的接地电极。接地电极和RF电极彼此相邻，并且它们之间设有绝缘部，接地电极和RF电极之间的距离被设置在0至10mm的范围中。
-
公开(公告)号：CN100440449C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN03815028.X
申请日：2003-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32192 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/312
Abstract: 一种等离子体处理方法，具有如下工序：准备表面具有有机层的被处理体；和向所述被处理体照射H2的等离子体，使所述有机层的耐等离子体性提高。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100401471C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200610082631.8
申请日：2006-05-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/67 , C23C16/00 , C23C14/00 , C23F4/00 , H01J37/32 , H05H1/00
Abstract: 本发明提供以简单的构成能够容易地控制聚合物的附着量的等离子体处理室。等离子体处理室(10)具有覆盖容器(11)的内周面的圆筒状的侧壁构件(45)，电位控制装置(46)具有通过升降与侧壁构件(45)接触，或者不与侧壁构件(45)接触、接地的导通构件(47)，在RIE处理中，通过使导通构件(47)下降与侧壁构件(45)接触，将侧壁构件(45)的电位设定为接地电位，在灰化处理中，通过使导通构件(47)上升不与侧壁构件(45)接触，将侧壁构件(45)的电位设定为浮接电位。
-
公开(公告)号：CN1732558A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200380107612.0
申请日：2003-12-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31138 , H01J37/32522 , H01J37/32633 , H01J37/32642 , H01J37/32688 , H01J2237/3341
Abstract: 在处理容器(1)内设置构成平行平板电极的支持电极(2)和相对电极(16)。使形成有机类材料膜的基板(W)支持在支持电极(2)上。对该支持电极(2)施加用于形成等离子体的频率在40MHz以上的高频电力，从而在支持电极(2)和相对电极(16)之间形成高频电场。将处理气体供给到处理容器(1)内，利用高频电场形成处理气体的等离子体。通过该等离子体，以无机类材料膜作为掩模对基板(W)上的有机类材料膜进行等离子体蚀刻。处理气体含有例如Ar等来自基态的电离能量或来自准稳态的电离能量在10eV以下而且最大电离截面积在2×10－16cm2以上的电离促进气体。
-
公开(公告)号：CN119816921A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380066553.4
申请日：2023-09-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , C23C16/18 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供调节抗蚀剂膜的曝光灵敏度的技术。提供一种基片处理方法。该方法包括：工序（a），提供具有基底膜的基片（ST1）；和工序（b），在基底膜上形成含金属抗蚀剂膜（ST2）。工序（b）包括：工序（b1），在基底膜上形成含有金属的第一抗蚀剂膜（ST21）；和工序（b2），在第一抗蚀剂膜上形成以与第一抗蚀剂膜不同的组成比含有金属的第二抗蚀剂膜（ST22）。
-
公开(公告)号：CN119585842A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380054369.8
申请日：2023-07-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 提供了一种调节显影图案形状的技术。提供了基板处理方法。该方法包括：(a)在基板支撑部上提供具有底膜和底膜上的含金属抗蚀剂膜的基板的工序，含金属抗蚀剂膜包括第一区域和第二区域；和(b)对含金属抗蚀剂膜进行显影而从含金属抗蚀剂膜选择性除去第二区域的工序，(b)的工序包括：(b1)相对于第一区域以第一选择比除去第二区域的工序；和(b2)相对于第一区域以不同于第一选择比的第二选择比进一步除去第二区域的工序。
-
公开(公告)号：CN111066129B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201980004391.5
申请日：2019-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 蚀刻处理方法包括：准备化合物的步骤；和在存在所述化合物的环境下对蚀刻对象进行蚀刻的步骤。对蚀刻对象进行蚀刻的步骤包含在该蚀刻对象含有氮化硅SiN时，在氢H和氟F存在的环境下蚀刻该蚀刻对象的步骤，且包含在该蚀刻对象含有硅Si时，在存在氮N、氢H和氟F的环境下蚀刻该蚀刻对象的步骤。该化合物含有构成比氟化氢HF强的酸的阴离子的元素，或者含有构成比氨NH3强的碱的阳离子的元素。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
141
records
(took 0.043 seconds)
