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公开(公告)号：CN1732558B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200380107612.0
申请日：2003-12-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31138 , H01J37/32522 , H01J37/32633 , H01J37/32642 , H01J37/32688 , H01J2237/3341
Abstract: 在处理容器(1)内设置构成平行平板电极的支持电极(2)和相对电极(16)。使形成有机类材料膜的基板(W)支持在支持电极(2)上。对该支持电极(2)施加用于形成等离子体的频率在40MHz以上的高频电力，从而在支持电极(2)和相对电极(16)之间形成高频电场。将处理气体供给到处理容器(1)内，利用高频电场形成处理气体的等离子体。通过该等离子体，以无机类材料膜作为掩模对基板(W)上的有机类材料膜进行等离子体蚀刻。处理气体含有例如Ar等来自基态的电离能量或来自准稳态的电离能量在10eV以下而且最大电离截面积在2×10-16cm2以上的电离促进气体。
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公开(公告)号：CN1732558A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200380107612.0
申请日：2003-12-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31138 , H01J37/32522 , H01J37/32633 , H01J37/32642 , H01J37/32688 , H01J2237/3341
Abstract: 在处理容器(1)内设置构成平行平板电极的支持电极(2)和相对电极(16)。使形成有机类材料膜的基板(W)支持在支持电极(2)上。对该支持电极(2)施加用于形成等离子体的频率在40MHz以上的高频电力，从而在支持电极(2)和相对电极(16)之间形成高频电场。将处理气体供给到处理容器(1)内，利用高频电场形成处理气体的等离子体。通过该等离子体，以无机类材料膜作为掩模对基板(W)上的有机类材料膜进行等离子体蚀刻。处理气体含有例如Ar等来自基态的电离能量或来自准稳态的电离能量在10eV以下而且最大电离截面积在2×10－16cm2以上的电离促进气体。
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公开(公告)号：CN119923708A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202380066588.8
申请日：2023-09-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/30
Abstract: 本发明的基片处理方法包括：对基片的含金属抗蚀剂进行湿法显影的工序(a)；和对含金属抗蚀剂进行干法显影的工序(b)。含金属抗蚀剂包括已曝光的第一区域和没有曝光的第二区域。在工序(a)中，第一区域和第二区域中的一个区域在该一个区域的厚度方向上被部分去除。在工序(b)中，上述一个区域的剩余部分被去除。
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公开(公告)号：CN119816785A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380063356.7
申请日：2023-09-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/26 , H01L21/027 , H01L21/3065
Abstract: 提供了在显影图案中抑制残渣的技术。提供了基板处理方法。该方法包括：(a)在腔室内的基板支撑部上提供具有底膜和形成在底膜上的含金属抗蚀剂膜的基板的工序，含金属抗蚀剂膜具有被曝光的第一区域和未曝光的第二区域；和(b)向腔室供给处理气体，对基板进行显影，从含金属抗蚀剂膜选择性除去第二区域的工序。(b)的工序包括：(b1)将基板或基板支撑部的温度控制在第一温度而进行显影的工序；和(b2)将基板或基板支撑部的温度控制在与第一温度不同的第二温度而进行显影的工序。
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公开(公告)号：CN118435327A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202280084608.X
申请日：2022-12-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/314 , H01L21/316 , H01L21/318
Abstract: 本发明的基片处理方法包括准备基片的工序。基片具有：第一区域；和用于在该第一区域上提供开口的第二区域。基片处理方法还包括：使用从第一气体生成的第一等离子体，优先在第二区域的顶部上形成顶部沉积物的工序。基片处理方法还包括：在顶部沉积物的表面和界定开口的侧壁面形成厚度沿着该开口的深度方向减少的第一膜的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108511339B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN201810165922.6
申请日：2018-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明的目的在于提供一种使有机膜各向异性地堆积于被处理体上所形成的凹部的图案的上部的处理方法和等离子体处理装置。所述处理方法具有：第一工序，向腔室的内部供给包含含碳气体和非活性气体的第一气体；第二工序，施加等离子体生成用的高频电力，由供给来的所述第一气体生成等离子体，使包含有机物的化合物堆积于被处理体上所形成的规定膜的图案上，其中，所述第一气体中的、所述含碳气体相对于所述非活性气体的比率为1％以下。
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公开(公告)号：CN113097061A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202011447487.X
申请日：2020-12-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 所公开的蚀刻方法包括在基板上划分开口的侧壁表面上形成保护层的工序。保护层含有磷。蚀刻方法还包括在形成保护层的工序之后，为了增加开口的深度而对基板的膜进行蚀刻的工序。
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公开(公告)号：CN112447515A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010829812.2
申请日：2020-08-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供蚀刻处理方法和蚀刻处理装置。蚀刻处理方法包括：准备化合物的步骤；和在存在化合物的环境中，对形成有掩模膜的蚀刻对象进行蚀刻的步骤，当蚀刻对象包含氮化硅SiN时，对蚀刻对象进行蚀刻的步骤包括在存在氢H和氟F的环境中对蚀刻对象进行蚀刻的工序，当蚀刻对象包含硅Si时，对蚀刻对象进行蚀刻的步骤包括在存在氮N、氢H和氟F的环境中对蚀刻对象进行蚀刻的工序，化合物包含：碳C以及选自氯Cl、溴Br和碘I中的至少一种卤素。本发明能够改善蚀刻孔的形状并且提高掩模选择比。
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公开(公告)号：CN112133630A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202011049271.8
申请日：2015-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: 本发明涉及处理具有掩模的被处理体的方法。[课题]为了调节掩模的开口宽度，不使用专用的成膜装置而在低温下形成氧化硅膜。[解决手段]一个实施方式的方法中重复进行下述排序以形成氧化硅膜，所述排序包括如下工序：(a)第一工序：在容纳有被处理体的等离子体处理装置的处理容器内，生成包含卤化硅气体的第一气体的等离子体，形成反应前体；(b)第二工序：对处理容器内的空间进行吹扫；(c)第三工序：在处理容器内生成包含氧气的第二气体的等离子体，形成氧化硅膜；以及(d)第四工序：对处理容器内的空间进行吹扫。
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公开(公告)号：CN111463123A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010016949.6
申请日：2020-01-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: 本发明提供蚀刻膜的方法。在一实施方式中，提供蚀刻基片的膜的方法。基片具有膜和形成于该膜上的掩模。方法包括在掩模的上表面之上选择性地形成沉积物的步骤。方法在形成沉积物的步骤后，还包括蚀刻膜的步骤。进行蚀刻的步骤包括在基片上形成处理气体的等离子体中所含的化学种的层的步骤。进行蚀刻的步骤还包括为了使化学种与膜反应，而从非活性气体的等离子体对基片供给离子的步骤。本发明能够抑制膜的蚀刻导致的掩模的膜厚减少。
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