公开(公告)号：CN1231892C

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN99800936.9

申请日：1999-04-01

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 下田达也 ,  宫下悟

IPC: G11B7/00 ,  G11B7/24 ,  B42D15/10 ,  G06K17/00

CPC classification number: G06K7/12 ,  B41J2/01 ,  G11B7/0033 ,  G11B7/00455 ,  G11B7/0052 ,  G11B7/14 ,  G11B7/24 ,  G11B11/18 ,  G11B20/00 ,  G11B20/00086 ,  G11B20/1261

Abstract: 一种用于记录所希望的信息的信息记录方法，其中，在控制电路(150)中，根据表示置于表存储器(151)中的打算记录的信息与发光波长的对应关系的表数据来确定与应记录的信息对应的光的特性，选择通过供给能量来发出被确定的特性的光的发光材料，利用记录头(110)在记录媒体的基板上(10)供给该发光材料来设置发光元件。再者，对记录了信息的记录媒体供给能量，从发光材料得到发光，确定该光的特性，利用该特性重放信息。可容易地实现新颖的信息记录，可提高安全性。

公开(公告)号：CN1700487A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510068976.3

申请日：2000-06-02

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  剑桥显示技术有限公司

Inventor： 下田达也 ,  小山智子 ,  金子丈夫 ,  J·H·巴勒斯

IPC: H01L51/20 ,  H01L33/00 ,  H05B33/12

Abstract: 一种发光装置，其特征在于，包括：多个第一发光元件，每个所述第一发光元件发射具有第一波长谱的第一光；多个第二发光元件，每个所述第二发光元件发射具有第二波长谱的第二光，所述第二波长谱不同于所述第一波长谱；和半反射层组，从所述发光装置输出的第三光，从所述发光装置输出的第四光，所述第三光具有第三波长谱，所述第三波长谱是由所述半反射层组通过锐化所述第一波长谱而获得，和所述第四光具有第四波长谱，所述第四波长谱是由所述半反射层组通过锐化所述第二波长谱而获得。

公开(公告)号：CN1652325A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510052587.1

申请日：2001-08-21

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 长谷川和正 ,  名取荣治 ,  西川尚男 ,  小口幸一 ,  下田达也

IPC: H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159

Abstract: 一种单矩阵型强电介质存储装置的制造方法，其特征在于，包括：在绝缘性基体上形成多个槽的工序，在上述绝缘性基体上形成金属层以便填充上述槽的工序，通过对上述金属层进行研磨使上述绝缘性基体和上述金属层表面平坦化，在上述槽内形成第1信号电极的上述平坦化工序，在上述绝缘性基体和上述第1信号电极上形成强电介质层的工序，以及在上述强电介质层上与上述第1信号电极交叉的方向上形成第2信号电极的工序。

公开(公告)号：CN1207798C

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN00811102.2

申请日：2000-06-02

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  剑桥显示技术有限公司

Inventor： 下田达也 ,  小山智子 ,  金子丈夫 ,  J·H·巴勒斯

IPC: H01L51/20 ,  H05B33/12

Abstract: 提供一种多波长发光装置，用该装置可以很容易调节共振强度以及颜色之间的方向性以便均衡。发光装置包括用于发射含有所要输出的波长分量的光的发光部件4，以及半反射层组2，其中透射从发光部件中发射出的具有特定波长的一些光并且反射其余的光的半反射层2R、2G和2B与所要输出的光的波长相联系沿着光前进方向顺序被堆叠在一起。与所要输出的光的波长相联系地来确定发光区AR、AG和AB。其结构是这样的，在发光区中，能够调节在用于来自反射从那些发光区中输出的光的半反射层2R、2G和2B的发光部件侧面的光的反射表面和从半反射层组侧面上的发光层的端部到所述反射层以间隔的形式存在的点之间的距离LR、LG和LB，以便具有光能够共振的光路长度。

公开(公告)号：CN1579009A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN03801384.3

申请日：2003-04-21

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 汤田坂一夫 ,  下田达也 ,  古泽昌宏

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/208 ,  H01L21/316 ,  H01L29/78 ,  B05D7/00

CPC classification number: H01L21/288 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292

Abstract: 本发明是一种在基体材料上形成具有多个层的薄膜装置的制造方法，其特征在于，形成多个层中的至少一层的工序，具有：使喷出包含所述一层的构成成分的液态材料的喷嘴与基体材料的相对位置移动的工序，和将液态材料从喷嘴向基体材料喷出的工序。在成膜室(110)内由喷嘴将液态材料喷出并涂敷于基板，形成薄膜。该基板经第一热处理部(103A)、第二热处理部(103B)的热处理，能够提高膜的结晶性、致密性、以及与其它膜的紧密接合性。

公开(公告)号：CN1519595A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN200410004064.5

申请日：1999-08-27

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 下田达也

IPC: G02B6/12 ,  H01L31/12

CPC classification number: H01L27/3227 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/42 ,  G02B6/4214 ,  G02B6/43 ,  H01L27/288 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/322 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1055 ,  H01L31/173 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/42

Abstract: 带有光传输部件的装置(1)在基板(2)上分别设置：发光器件(3)、驱动该发光器件(3)的驱动电路、感光器件(光检测器件)(5)、把来自上述发光器件(3)的光传导到上述感光器件(5)中的传导光路(导波路)4、放大电路(6)、布线(电气布线)(7)、电路(8)。来自发光器件(3)的光(光信号)经过传导光路(4)由感光器件(5)感光，进行光电变换。来自感光器件(5)的电气信号由放大电路(6)进行放大，通过布线(7)输入电路(8)。电路(8)根据该电气信号而动作。

公开(公告)号：CN1495523A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN03157964.7

申请日：1997-08-26

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 下田达也 ,  井上聪 ,  宫泽和加雄

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/34 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13613 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76259 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78603 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68363

Abstract: 一种转移方法，包括：提供基板；在上述基板上形成被转移层；使转移体与上述被转移层结合；和将上述被转移层从上述基板移走，而将上述被转移层转移到上述转移体；再使用上述基板于另一转移。

公开(公告)号：CN1132245C

公开(公告)日：2003-12-24

申请号：CN99800189.9

申请日：1999-02-23

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 井上聪 ,  下田达也

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/01

CPC classification number: H01L27/00 ,  H01L21/00 ,  H01L23/48 ,  H01L27/0688 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的3维器件的制造方法，包括在透光性的基板1上形成分离层2、中间层3和第1被转印层41有机同样在透光性的基板1上形成分离层2、中间层3和第2被转印层42的工序、在与被转印层41的基板1相反侧通过粘接层5将基板(转印侧基板)21接合的工序、向分离层2照射照射光7利用磨蚀在分离层2的层内和/或界面发生剥离从而使被转印层41从基板1上脱离下来转印到基板21上的工序、在与被转印层42的基板1相反侧通过导电性粘接层22将被转印层41接合的工序有机和上述一样向分离层2照射照射光7使被转印层42从基板1上脱离下来从而转印到被转印层41上的工序。

公开(公告)号：CN1388990A

公开(公告)日：2003-01-01

申请号：CN01802501.3

申请日：2001-08-21

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 名取荣治 ,  长谷川和正 ,  小口幸一 ,  西川尚男 ,  下田达也

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L28/55 ,  G11C11/22 ,  H01L27/101

Abstract: 本发明涉及构成强电介质电容器的强电介质层具有特定的图形,能够减小信号电极的杂散电容的存储单元阵列及其制造方法,以及强电介质存储装置。存储单元阵列(100A)中,以矩阵状排列了由强电介质电容器(20)构成的存储单元。强电介质电容器(20)具有:第1信号电极(12);在与第1信号电极(12)交叉的方向上排列的第2信号电极(16);以及沿着第1信号电极(12)或者第2信号电极(16)以直线状配置了的强电介质层(14)。另外,也可以仅在第1信号电极(12)与第2信号电极(16)的交叉区域中以块状配置强电介质层(14)。

公开(公告)号：CN1297576A

公开(公告)日：2001-05-30

申请号：CN00800438.2

申请日：2000-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  捷时雅株式会社

Inventor： 关俊一 ,  下田达也 ,  宫下悟 ,  古泽昌宏 ,  汤田坂一夫 ,  松木安生 ,  竹内安正

IPC: H01L21/208 ,  C01B33/02

CPC classification number: C23C18/06 ,  C08G77/60 ,  C09D183/16 ,  C23C18/08 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02636 ,  H01L29/6675 ,  H01L51/0005 ,  Y02P20/582

Abstract: 本发明涉及包括用喷墨头(12)把油墨组合物(11)选择性的喷至基片的预定区域以形成硅前体图案以及其后用热和或光处理把硅前体转变成无定形硅膜或多晶硅膜的硅膜形成方法。该方法可被用来以省能、低价在基片的大面积部分提供硅膜图案。