公开(公告)号：CN1216425C

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN01802788.1

申请日：2001-08-21

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 长谷川和正 ,  名取荣治 ,  西川尚男 ,  小口幸一 ,  下田达也

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159

Abstract: 一种强电介质存储装置，包括存储单元阵列和用于对上述存储单元选择性地进行信息的写入或者读出的周边电路部分，其中，存储单元阵列在基体上矩阵形地排列存储单元，包括第1信号电极，沿着与该第1信号电极交叉的方向排列的第2信号电极，至少配置在上述第1信号电极与上述第2信号电极的交叉区域中的强电介质层，其特征在于：上述存储单元阵列和上述周边电路部分配置在不同的层中，上述周边电路部分形成在上述存储单元阵列的外侧区域中，在上述基体上形成具有与该基体的表面不同的表面特性的表面修饰层，上述表面修饰层配置在没有形成上述存储单元的区域中，该表面修饰层的表面。

公开(公告)号：CN100352039C

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200510052587.1

申请日：2001-08-21

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 长谷川和正 ,  名取荣治 ,  西川尚男 ,  小口幸一 ,  下田达也

IPC: H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159

Abstract: 一种单矩阵型强电介质存储装置的制造方法，其特征在于，包括：在纯缘性基体上形成多个槽的工序，在上述绝缘性基体上形成金属层以便填充上述槽的工序，通过对上述金属层进行研磨使上述绝缘性基体和上述金属层表面平坦化，在上述槽内形成第1信号电极的上述平坦化工序，在上述绝缘性基体和上述第1信号电极上形成强电介质层的工序，以及在上述强电介质层上与上述第1信号电极交叉的方向上形成第2信号电极的工序。

公开(公告)号：CN1393037A

公开(公告)日：2003-01-22

申请号：CN01802788.1

申请日：2001-08-21

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 长谷川和正 ,  名取荣治 ,  西川尚男 ,  小口幸一 ,  下田达也

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159

Abstract: 本发明的强电介质存储装置包括存储单元阵列(100)和用于对存储单元选择性地进行信息的写入或者读出的周边电路部分(200)，其中，存储单元阵列(100)矩阵形地排列存储单元，包括第1信号电极(12)，沿着与第1信号电极(12)交叉的方向排列的第2信号电极(16)和至少配置在第1信号电极(12)与第2信号电极(16)的交叉区域中的强电介质层(14)，存储单元阵列(100)与周边电路部分(200)配置在不同的层中，周边电路部分(200)形成在存储单元阵列的外侧区域(100)中。

公开(公告)号：CN1246905C

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN01802501.3

申请日：2001-08-21

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 名取荣治 ,  长谷川和正 ,  小口幸一 ,  西川尚男 ,  下田达也

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L28/55 ,  G11C11/22 ,  H01L27/101

Abstract: 本发明涉及构成强电介质电容器的强电介质层具有特定的图形，能够减小信号电极的杂散电容的存储单元阵列及其制造方法，以及强电介质存储装置。存储单元阵列(100A)中，以矩阵状排列了由强电介质电容器(20)构成的存储单元。强电介质电容器(20)具有：第1信号电极(12)；在与第1信号电极(12)交叉的方向上排列的第2信号电极(16)；以及沿着第1信号电极(12)或者第2信号电极(16)以直线状配置了的强电介质层(14)。另外，也可以仅在第1信号电极(12)与第2信号电极(16)的交叉区域中以块状配置强电介质层(14)。

公开(公告)号：CN1652325A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510052587.1

申请日：2001-08-21

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 长谷川和正 ,  名取荣治 ,  西川尚男 ,  小口幸一 ,  下田达也

IPC: H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159

Abstract: 一种单矩阵型强电介质存储装置的制造方法，其特征在于，包括：在绝缘性基体上形成多个槽的工序，在上述绝缘性基体上形成金属层以便填充上述槽的工序，通过对上述金属层进行研磨使上述绝缘性基体和上述金属层表面平坦化，在上述槽内形成第1信号电极的上述平坦化工序，在上述绝缘性基体和上述第1信号电极上形成强电介质层的工序，以及在上述强电介质层上与上述第1信号电极交叉的方向上形成第2信号电极的工序。

公开(公告)号：CN1388990A

公开(公告)日：2003-01-01

申请号：CN01802501.3

申请日：2001-08-21

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 名取荣治 ,  长谷川和正 ,  小口幸一 ,  西川尚男 ,  下田达也

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L28/55 ,  G11C11/22 ,  H01L27/101

Abstract: 本发明涉及构成强电介质电容器的强电介质层具有特定的图形,能够减小信号电极的杂散电容的存储单元阵列及其制造方法,以及强电介质存储装置。存储单元阵列(100A)中,以矩阵状排列了由强电介质电容器(20)构成的存储单元。强电介质电容器(20)具有:第1信号电极(12);在与第1信号电极(12)交叉的方向上排列的第2信号电极(16);以及沿着第1信号电极(12)或者第2信号电极(16)以直线状配置了的强电介质层(14)。另外,也可以仅在第1信号电极(12)与第2信号电极(16)的交叉区域中以块状配置强电介质层(14)。