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公开(公告)号：CN1297576A
公开(公告)日：2001-05-30
申请号：CN00800438.2
申请日：2000-03-29
IPC分类号： H01L21/208 , C01B33/02
CPC分类号： C23C18/06 , C08G77/60 , C09D183/16 , C23C18/08 , H01L21/0242 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02628 , H01L21/02636 , H01L29/6675 , H01L51/0005 , Y02P20/582
摘要： 本发明涉及包括用喷墨头(12)把油墨组合物(11)选择性的喷至基片的预定区域以形成硅前体图案以及其后用热和或光处理把硅前体转变成无定形硅膜或多晶硅膜的硅膜形成方法。该方法可被用来以省能、低价在基片的大面积部分提供硅膜图案。
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公开(公告)号：CN1300445A
公开(公告)日：2001-06-20
申请号：CN00800465.X
申请日：2000-03-29
IPC分类号： H01L31/042 , H01L21/208
摘要： 太阳能电池的制造方法,所说的太阳能电池在其一对电极之间具有一种由至少两层杂质浓度和/或种类不同的半导体薄膜组成的积层结构,其特征在于,其中的至少一层半导体薄膜的形成包括下述工序:把含有硅化合物的液体涂料组合物涂布于基板上以形成涂膜的工序、接着对该涂膜进行热处理和/或光处理以获得硅膜的工序。
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公开(公告)号：CN1297577A
公开(公告)日：2001-05-30
申请号：CN00800439.0
申请日：2000-03-29
IPC分类号： H01L21/208 , C01B33/02
CPC分类号： H01L21/0242 , C30B7/00 , C30B7/005 , C30B29/06 , H01L21/0237 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/02595 , H01L21/02628 , H01L21/02675
摘要： 一种硅膜成形方法,包括:将包含无碳的环状硅烷化合物和/或硼或磷改性的硅烷化合物的溶液涂布到基板上以形成硅前体膜,然后对该膜实施热和/或光处理,从而将硅前体转化为半导体硅。该方法可用来以低成本、容易而又简单地提供作为性能优良的电子材料的硅膜,因为它不包括DVD之类的方法所涉及的真空加工。
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公开(公告)号：CN1223011C
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN00800465.X
申请日：2000-03-29
IPC分类号： H01L31/042 , H01L21/208
摘要： 太阳能电池的制造方法，所说的太阳能电池在其一对电极之间具有一种由至少两层杂质浓度和/或种类不同的半导体薄膜组成的积层结构，其特征在于，其中的至少一层半导体薄膜的形成包括下述工序：把含有硅化合物的液体涂料组合物涂布于基板上以形成涂膜的工序、接着对该涂膜进行热处理和/或光处理以获得硅膜的工序。
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公开(公告)号：CN1199241C
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN00800439.0
申请日：2000-03-29
IPC分类号： H01L21/208 , C01B33/02
CPC分类号： H01L21/0242 , C30B7/00 , C30B7/005 , C30B29/06 , H01L21/0237 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/02595 , H01L21/02628 , H01L21/02675
摘要： 一种硅膜成形方法，包括：将包含无碳的环状硅烷化合物和/或硼或磷改性的硅烷化合物的溶液涂布到基板上以形成硅前体膜，然后对该膜实施热和/或光处理，从而将硅前体转化为半导体硅。该方法可用来以低成本、容易而又简单地提供作为性能优良的电子材料的硅膜，因为它不包括DVD之类的方法所涉及的真空加工。
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公开(公告)号：CN100353496C
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN03110610.2
申请日：2003-04-21
申请人： 精工爱普生株式会社 , 日商捷时雅股份有限公司
IPC分类号： H01L21/208 , H01L21/205 , H01L31/04 , C23C18/00 , C01B33/00 , C01B33/107
CPC分类号： C08G77/60 , C01B33/04 , C09D183/16 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02628
摘要： 本发明提供一种高级硅烷组合物，其特征在于其中含有经对具有光聚合性的硅烷化合物的溶液或具有光聚合性的液体硅烷化合物照射紫外线光聚合而成的高级硅烷化合物。而且本发明还提供一种硅膜的形成方法，其特征在于将上述高级硅烷组合物涂布在基板上。上述高级硅烷组合物由于含有分子量更大的高级硅烷化合物，所以从在基板上涂布时的湿润性、沸点和安全性的观点来看，能够特别容易形成优质硅膜。
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公开(公告)号：CN100585882C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200510091746.9
申请日：2000-03-29
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 太阳能电池的制造方法，所说的太阳能电池在其一对电极之间具有一种由至少两层杂质浓度和/或种类不同的半导体薄膜组成的积层结构，其特征在于，其中的至少一层半导体薄膜的形成包括下述工序：把含有硅化合物的液体涂料组合物涂布于基板上以形成涂膜的工序、接着对该涂膜进行热处理和/或光处理以获得硅膜的工序。
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公开(公告)号：CN1294626C
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN00800438.2
申请日：2000-03-29
IPC分类号： H01L21/208 , C01B33/02
CPC分类号： C23C18/06 , C08G77/60 , C09D183/16 , C23C18/08 , H01L21/0242 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02628 , H01L21/02636 , H01L29/6675 , H01L51/0005 , Y02P20/582
摘要： 本发明涉及包括用喷墨头(12)把油墨组合物(11)选择性的喷至基片的预定区域以形成硅前体图案以及其后用热和或光处理把硅前体转变成无定形硅膜或多晶硅膜的硅膜形成方法。该方法可被用来以省能、低价在基片的大面积部分提供硅膜图案。
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公开(公告)号：CN1722475A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510091746.9
申请日：2000-03-29
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 太阳能电池的制造方法，所说的太阳能电池在其一对电极之间具有一种由至少两层杂质浓度和/或种类不同的半导体薄膜组成的积层结构，其特征在于，其中的至少一层半导体薄膜的形成包括下述工序：把含有硅化合物的液体涂料组合物涂布于基板上以形成涂膜的工序、接着对该涂膜进行热处理和/或光处理以获得硅膜的工序。
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公开(公告)号：CN1457085A
公开(公告)日：2003-11-19
申请号：CN03110610.2
申请日：2003-04-21
申请人： 精工爱普生株式会社 , 日商捷时雅股份有限公司
IPC分类号： H01L21/208 , H01L21/205 , H01L31/04 , C23C18/00 , C01B33/00 , C01B33/107
CPC分类号： C08G77/60 , C01B33/04 , C09D183/16 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02628
摘要： 本发明提供一种高级硅烷组合物，其特征在于其中含有经对具有光聚合性的硅烷化合物的溶液或具有光聚合性的液体硅烷化合物照射紫外线光聚合而成的高级硅烷化合物。而且本发明还提供一种硅膜的形成方法，其特征在于将上述高级硅烷组合物涂布在基板上。上述高级硅烷组合物由于含有分子量更大的高级硅烷化合物，所以从在基板上涂布时的湿润性、沸点和安全性的观点来看，能够特别容易形成优质硅膜。
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