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公开(公告)号：CN100585882C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200510091746.9
申请日：2000-03-29
IPC: H01L31/18
Abstract: 太阳能电池的制造方法，所说的太阳能电池在其一对电极之间具有一种由至少两层杂质浓度和/或种类不同的半导体薄膜组成的积层结构，其特征在于，其中的至少一层半导体薄膜的形成包括下述工序：把含有硅化合物的液体涂料组合物涂布于基板上以形成涂膜的工序、接着对该涂膜进行热处理和/或光处理以获得硅膜的工序。
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公开(公告)号：CN1294626C
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN00800438.2
申请日：2000-03-29
IPC: H01L21/208 , C01B33/02
CPC classification number: C23C18/06 , C08G77/60 , C09D183/16 , C23C18/08 , H01L21/0242 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02628 , H01L21/02636 , H01L29/6675 , H01L51/0005 , Y02P20/582
Abstract: 本发明涉及包括用喷墨头(12)把油墨组合物(11)选择性的喷至基片的预定区域以形成硅前体图案以及其后用热和或光处理把硅前体转变成无定形硅膜或多晶硅膜的硅膜形成方法。该方法可被用来以省能、低价在基片的大面积部分提供硅膜图案。
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公开(公告)号：CN1722475A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510091746.9
申请日：2000-03-29
IPC: H01L31/18
Abstract: 太阳能电池的制造方法，所说的太阳能电池在其一对电极之间具有一种由至少两层杂质浓度和/或种类不同的半导体薄膜组成的积层结构，其特征在于，其中的至少一层半导体薄膜的形成包括下述工序：把含有硅化合物的液体涂料组合物涂布于基板上以形成涂膜的工序、接着对该涂膜进行热处理和/或光处理以获得硅膜的工序。
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公开(公告)号：CN104716212A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201410752944.4
申请日：2014-12-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L31/05 , H01L31/048 , G04C10/00
CPC classification number: H01L31/042 , G04C10/02 , G04G17/06 , H01L31/0445 , H01L31/0508 , Y02E10/50 , Y10T29/49117
Abstract: 本发明提供一种具备能够以低成本制造串联连接了多个太阳能单电池的结构的太阳能电池模块的太阳能表。太阳能表具备：在可挠性基底(113)的一个面形成了粘结层(114)的连接部件(110)、粘接于粘结层(114)的多个太阳能单电池(101、102)、和形成在连接部件(110)的正面或背面中的一个面或两个面且对多个太阳能单电池(101、102)之间进行电连接的布线。
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公开(公告)号：CN1297577A
公开(公告)日：2001-05-30
申请号：CN00800439.0
申请日：2000-03-29
IPC: H01L21/208 , C01B33/02
CPC classification number: H01L21/0242 , C30B7/00 , C30B7/005 , C30B29/06 , H01L21/0237 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/02595 , H01L21/02628 , H01L21/02675
Abstract: 一种硅膜成形方法,包括:将包含无碳的环状硅烷化合物和/或硼或磷改性的硅烷化合物的溶液涂布到基板上以形成硅前体膜,然后对该膜实施热和/或光处理,从而将硅前体转化为半导体硅。该方法可用来以低成本、容易而又简单地提供作为性能优良的电子材料的硅膜,因为它不包括DVD之类的方法所涉及的真空加工。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100473245C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200510068871.8
申请日：2005-05-12
CPC classification number: G02B3/0043 , B82Y30/00 , G02B3/0012 , H01L27/3244 , H01L51/5275 , Y10S264/72
Abstract: 本发明提供一种光射出效率很高的有机薄膜元件，及以简便方法制造有机薄膜元件的方法，利用该元件制造电光学装置的方法，及制造电子仪器的方法。本发明的有机薄膜元件的制造方法，是在至少一个电极为透明电极的一对薄膜电极间含有有机薄膜的有机薄膜元件制造方法，包括：向基质材料上喷射含有透明电极形成材料的原料液，形成透明电极的工序；和在上述透明电极上形成有机薄膜的工序，从而解决了上述课题。
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公开(公告)号：CN1199241C
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN00800439.0
申请日：2000-03-29
IPC: H01L21/208 , C01B33/02
CPC classification number: H01L21/0242 , C30B7/00 , C30B7/005 , C30B29/06 , H01L21/0237 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/02595 , H01L21/02628 , H01L21/02675
Abstract: 一种硅膜成形方法，包括：将包含无碳的环状硅烷化合物和/或硼或磷改性的硅烷化合物的溶液涂布到基板上以形成硅前体膜，然后对该膜实施热和/或光处理，从而将硅前体转化为半导体硅。该方法可用来以低成本、容易而又简单地提供作为性能优良的电子材料的硅膜，因为它不包括DVD之类的方法所涉及的真空加工。
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公开(公告)号：CN1579009B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN03801384.3
申请日：2003-04-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/208 , H01L21/316 , H01L29/78 , B05D7/00
CPC classification number: H01L21/288 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02628 , H01L21/02639 , H01L21/76838 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/1292
Abstract: 本发明是一种在基体材料上形成具有多个层的薄膜装置的制造方法，其特征在于，形成多个层中的至少一层的工序，具有：使喷出包含所述一层的构成成分的液态材料的喷嘴与基体材料的相对位置移动的工序，和将液态材料从喷嘴向基体材料喷出的工序。在成膜室(110)内由喷嘴将液态材料喷出并涂敷于基板，形成薄膜。该基板经第一热处理部(103A)、第二热处理部(103B)的热处理，能够提高膜的结晶性、致密性、以及与其它膜的紧密接合性。
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公开(公告)号：CN1579009A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN03801384.3
申请日：2003-04-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/208 , H01L21/316 , H01L29/78 , B05D7/00
CPC classification number: H01L21/288 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02628 , H01L21/02639 , H01L21/76838 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/1292
Abstract: 本发明是一种在基体材料上形成具有多个层的薄膜装置的制造方法，其特征在于，形成多个层中的至少一层的工序，具有：使喷出包含所述一层的构成成分的液态材料的喷嘴与基体材料的相对位置移动的工序，和将液态材料从喷嘴向基体材料喷出的工序。在成膜室(110)内由喷嘴将液态材料喷出并涂敷于基板，形成薄膜。该基板经第一热处理部(103A)、第二热处理部(103B)的热处理，能够提高膜的结晶性、致密性、以及与其它膜的紧密接合性。
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公开(公告)号：CN1297576A
公开(公告)日：2001-05-30
申请号：CN00800438.2
申请日：2000-03-29
IPC: H01L21/208 , C01B33/02
CPC classification number: C23C18/06 , C08G77/60 , C09D183/16 , C23C18/08 , H01L21/0242 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02628 , H01L21/02636 , H01L29/6675 , H01L51/0005 , Y02P20/582
Abstract: 本发明涉及包括用喷墨头(12)把油墨组合物(11)选择性的喷至基片的预定区域以形成硅前体图案以及其后用热和或光处理把硅前体转变成无定形硅膜或多晶硅膜的硅膜形成方法。该方法可被用来以省能、低价在基片的大面积部分提供硅膜图案。
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