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公开(公告)号：CN100521160C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200510087997.X
申请日：1997-08-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/84 , H01L21/762 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 一种转移方法，包括：提供基板；在上述基板上形成被转移层；使转移体与上述被转移层结合；和将上述被转移层从上述基板移走，而将上述被转移层转移到上述转移体；再使用上述基板于另一转移。
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公开(公告)号：CN1197044C
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN01801421.6
申请日：2001-05-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 井上聪
CPC classification number: G09G3/344 , G02F1/167 , G09G3/2074 , G09G2300/08 , G09G2310/021 , G09G2310/0267 , G09G2310/0275
Abstract: 控制器(4)按一定的帧频进行中断处理。进入中断处理后，对是否应更新电子墨水层的数据进行判断，并从存储器(6)读出要更新的数据内容进行写入。接着，控制器(4)用基于计数器的计数值的时间计测判断更新时机是否到来，进而指令更新操作。该更新是在经过了可保持电子墨水层的存储性的设定时间后，为继续保持数据而进行的再写入操作。
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公开(公告)号：CN1381034A
公开(公告)日：2002-11-20
申请号：CN01801421.6
申请日：2001-05-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 井上聪
CPC classification number: G09G3/344 , G02F1/167 , G09G3/2074 , G09G2300/08 , G09G2310/021 , G09G2310/0267 , G09G2310/0275
Abstract: 控制器(4)按一定的帧频进行中断处理。进入中断处理后,对是否应更新电子墨水层的数据进行判断,并从存储器(6)读出要更新的数据内容进行写入。接着,控制器(4)用基于计数器的计数值的时间计测判断更新时机是否到来,进而指令更新操作。该更新是在经过了可保持电子墨水层的存储性的设定时间后,为继续保持数据而进行的再写入操作。
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公开(公告)号：CN1196832A
公开(公告)日：1998-10-21
申请号：CN97190821.4
申请日：1997-06-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 井上聪
IPC: H01L29/78 , H01L21/311
CPC classification number: H01L29/78696 , G02F1/13454
Abstract: 本发明提供一种具有可减少Vgs－Ids特性的变坏的结构的薄膜晶体管。该薄膜晶体管(16)具有由N型杂质扩散区构成的源区(17)、漏区(18)和栅电极(19),栅电极(19)的正下方成为沟道区(30)。此外,在源区(17)、漏区(18)中,通过多个接触孔(20)分别与源电极(21)、漏电极(22)连接。而且在沟道区(30)的内部,在多个部位并隔开一定间隔地形成P型杂质扩散区(23)。
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公开(公告)号：CN100592467C
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200610101859.7
申请日：1997-08-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/336 , H01L21/84 , G02F1/1368
Abstract: 本发明提供一种剥离方法和相应的转移方法，包括：从基板剥离脱离件，其中：剥离所述脱离件包括以多束连续实施的光束照射；以及以所述多束光束中的第一光束照射的第一区域与以所述多束光束中的第二光束照射的第二区域部分重叠。还提供一种采用所述剥离或转移方法制造薄膜器件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1983514A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610100303.6
申请日：1997-08-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/762 , H01L21/84 , H01L21/336 , G02F1/136
Abstract: 本发明提供一种剥离方法，包括：从基板剥离脱离件，其中：剥离所述脱离件包括以多束连续实施的光束照射；以所述多束光束中的第一光束照射第一区域；以所述多束光束中的第二光束照射第二区域部分；以及第一区域不与以强度比第二光束的最高强度的90％高的部分所述第二光束照射的部分第二区域重叠，或者不与以所述第二光束中强度无变化的部分光束照射的部分所述第二区域重叠。此外，提供了相应的转移方法，以及按照相应剥离方法或转移方法制造薄膜器件的方法。
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公开(公告)号：CN1703938A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN02811117.6
申请日：2002-12-18
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/3253 , H01L51/524 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 有效制造有机EL显示体。将形成由薄膜晶体管11构成的驱动电路的驱动电路基板(100)和层压透明电极层31、由绝缘物质构成的提岸层32、空穴注入层33、有机EL层34和阴极层36的发光基板(300)贴合，制造发光装置(1000)。
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公开(公告)号：CN1673848A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510056478.7
申请日：2005-03-22
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明提供一种能较容易地实施维护作业和破损零部件的更换作业的广告装置。具备收容有射出投射光L的光学引擎12的投射单元2、和配设有被从背面投射投射光L而显示图像的屏幕面板15a、15b的显示单元3，投射单元2以及显示单元3被可相互分割地一体化。由此，因为能够在将两单元2、3分割开的状态下进行维护作业和破损零部件的更换作业，所以能够较容易地进行这些作业。
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公开(公告)号：CN1217405C
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN03107529.0
申请日：2003-03-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/1281 , H01L27/3244 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。该方法是：在玻璃基板(10)上形成由多个的像素电路排列而成的薄膜电路的情况下，首先，在玻璃基板(10)上，以成为多个像素电路的排列间隔(P1)的自然数倍(在本图为1倍)的间隔，形成应成为半导体膜结晶化时的起点的多个的凹部(112)。然后，在形成了凹部(112)的基板(10)上形成非结晶的硅膜，通过对该硅膜进行热处理，使其结晶化，在以凹部(112)大致作为中心的范围内形成基本单结晶的硅膜。利用以各个的凹部(112)为大致中心而形成的各个基本单结晶的硅膜形成像素电路。从而，能够提高构成半导体装置的半导体元件的特性，并抑制其特性的不一致性。
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公开(公告)号：CN1145215C
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN98800930.7
申请日：1998-06-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/336 , H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1266 , B23K26/40 , B23K26/57 , B23K2103/172 , G02F1/13454 , G02F1/1362 , H01L21/2007 , H01L21/76264 , H01L21/76275 , H01L21/76283 , H01L21/76289 , H01L27/1214 , H01L29/78603 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368
Abstract: 一种将形成于衬底上的薄膜器件转移到一次转移体上，之后又转移到二次转移体上的薄膜器件制作方法。在激光可透过的衬底(100)上设有如非晶硅等的第1分离层(120)。在该衬底(100)上形成TFT等的薄膜器件(140)。并且，在薄膜器件(140)上形成如热熔性粘合层等第2分离层(160)，在其上形成一次转移体(180)。通过光照使第1分离层的内聚力减弱而将衬底(100)去除，并将薄膜器件(140)转移到一次转移体(180)。并且，在露出的薄膜器件(140)的下面通过粘合层(190)粘合二次转移体(200)。于是，通过例如热熔融使第2分离层的内聚力减弱而去除一次转移体。结果，薄膜器件(140)就可保持与衬底(100)的叠层关系原样不变而转移到二次转移体(200)上。
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