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公开(公告)号：CN100392891C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200310110299.8
申请日：1997-11-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H05B33/10 , H01L27/3211 , H01L27/3218 , H01L27/3244 , H01L27/3281 , H01L27/3283 , H01L51/0005 , H01L51/001 , H01L51/5246 , H01L51/5253 , H01L51/5284 , H01L51/56 , Y10S428/917 , Y10T428/10 , Y10T428/24868 , Y10T428/31855
Abstract: 本发明的有机EL元件的制造方法的特征是，它包含：在透明基板(804)上形成象素电极(801)、(802)、(803)的工序；在象素电极上按喷墨方式形成由有机化合物构成的发光层(806)、(807)、(808)的工序。借此可以简便而且短时间地进行高精度的图案成形，也可以简单地进行膜设计和发光性能的最优化，而且可以容易地调整发光效率。
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公开(公告)号：CN1231892C
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN99800936.9
申请日：1999-04-01
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G06K7/12 , B41J2/01 , G11B7/0033 , G11B7/00455 , G11B7/0052 , G11B7/14 , G11B7/24 , G11B11/18 , G11B20/00 , G11B20/00086 , G11B20/1261
Abstract: 一种用于记录所希望的信息的信息记录方法，其中，在控制电路(150)中，根据表示置于表存储器(151)中的打算记录的信息与发光波长的对应关系的表数据来确定与应记录的信息对应的光的特性，选择通过供给能量来发出被确定的特性的光的发光材料，利用记录头(110)在记录媒体的基板上(10)供给该发光材料来设置发光元件。再者，对记录了信息的记录媒体供给能量，从发光材料得到发光，确定该光的特性，利用该特性重放信息。可容易地实现新颖的信息记录，可提高安全性。
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公开(公告)号：CN1203367C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN01802683.4
申请日：2001-07-03
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G03B21/62
CPC classification number: G03B21/625
Abstract: 在相当于并列设置在具有光穿透性的基板上而构成的透镜体及上述各透镜体的边界部上，形成光吸收材料图形，这样构成的穿透型屏幕的制造方法，是将透镜用组成物排出、弹着在具有光穿透性的基板上，用该透镜用组成物的液滴形成微小透镜体或其前驱体。可提供一种穿透型屏幕的制造方法，这种制造方法可用低成本实现明亮的、对比度高的、没有乱真纹和光斑的可显示高质量影像的穿透型屏幕。
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公开(公告)号：CN1297576A
公开(公告)日：2001-05-30
申请号：CN00800438.2
申请日：2000-03-29
IPC: H01L21/208 , C01B33/02
CPC classification number: C23C18/06 , C08G77/60 , C09D183/16 , C23C18/08 , H01L21/0242 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02628 , H01L21/02636 , H01L29/6675 , H01L51/0005 , Y02P20/582
Abstract: 本发明涉及包括用喷墨头(12)把油墨组合物(11)选择性的喷至基片的预定区域以形成硅前体图案以及其后用热和或光处理把硅前体转变成无定形硅膜或多晶硅膜的硅膜形成方法。该方法可被用来以省能、低价在基片的大面积部分提供硅膜图案。
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公开(公告)号：CN1547870B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN03800910.2
申请日：2003-05-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L51/5262 , H01L27/3244 , H01L27/3295 , H01L51/5281
Abstract: 一种发光装置及电子仪器，在基板(2)上形成的一对电极(7、8)之间至少配置有发光层(5)的结构的有机EL装置，基板(2)由透明电极所构成，所述一对的电极(7、8)由在发光层(5)的基板(2)一侧配置的阳极(7)、与在发光层(5)的与基板(2)相反一侧配置的阴极(7)所构成，在阳极(7)的附近，配置有将从基板(2)一侧入射到有机EL装置的外来光R0中的一部分透过、另一部分反射的半反射膜。根据本发明，提供能够抑制在有机EL装置的显示部的反射、能够提高显示质量的发光装置及电子仪器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1953239B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200610101662.3
申请日：1997-11-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H05B33/10 , H01L27/3211 , H01L27/3218 , H01L27/3244 , H01L27/3281 , H01L27/3283 , H01L51/0005 , H01L51/001 , H01L51/5246 , H01L51/5253 , H01L51/5284 , H01L51/56 , Y10S428/917 , Y10T428/10 , Y10T428/24868 , Y10T428/31855
Abstract: 本发明提供一种制造有机电致发光元件的方法，包括下列步骤：形成一个像素电极；在所述像素电极之上形成空穴注入输送层；在所述空穴注入输送层之上形成发光层，其中，所述发光层和所述空穴注入输送层的材料处于相互浸透的状态且在所述发光层和所述空穴注入输送层的界面附近彼此扩散进入。
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公开(公告)号：CN100365672C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN99801673.X
申请日：1999-07-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G09F9/00
CPC classification number: H04N9/30 , G02F1/133603 , G02F1/133621 , G02F2001/133622 , G02F2201/34 , G02F2203/15
Abstract: 把周期性地配置了在一块玻璃基板(103)上内装了光学谐振器结构的，以红、绿及蓝色进行发光的EL元件(100R、100G、100B)的面状光源设置到不具备滤色片的光调制面板(101)的背面上。利用光调制面板(101)，对点亮EL元件(100R、100G、100B)所产生的各色光进行调制，得到彩色图像。
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公开(公告)号：CN1905157A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610101653.4
申请日：1997-11-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H05B33/10 , H01L27/3211 , H01L27/3218 , H01L27/3244 , H01L27/3281 , H01L27/3283 , H01L51/0005 , H01L51/001 , H01L51/5246 , H01L51/5253 , H01L51/5284 , H01L51/56 , Y10S428/917 , Y10T428/10 , Y10T428/24868 , Y10T428/31855
Abstract: 本发明提供一种制造有机电致发光元件的方法，包括下列步骤：形成若干像素电极；通过喷墨法在所述像素电极之上使发光化合物放电，以便形成发光层图案；在所述发光层之上形成反电极。
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公开(公告)号：CN1703938A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN02811117.6
申请日：2002-12-18
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/3253 , H01L51/524 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 有效制造有机EL显示体。将形成由薄膜晶体管11构成的驱动电路的驱动电路基板(100)和层压透明电极层31、由绝缘物质构成的提岸层32、空穴注入层33、有机EL层34和阴极层36的发光基板(300)贴合，制造发光装置(1000)。
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公开(公告)号：CN1199241C
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN00800439.0
申请日：2000-03-29
IPC: H01L21/208 , C01B33/02
CPC classification number: H01L21/0242 , C30B7/00 , C30B7/005 , C30B29/06 , H01L21/0237 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/02595 , H01L21/02628 , H01L21/02675
Abstract: 一种硅膜成形方法，包括：将包含无碳的环状硅烷化合物和/或硼或磷改性的硅烷化合物的溶液涂布到基板上以形成硅前体膜，然后对该膜实施热和/或光处理，从而将硅前体转化为半导体硅。该方法可用来以低成本、容易而又简单地提供作为性能优良的电子材料的硅膜，因为它不包括DVD之类的方法所涉及的真空加工。
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