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公开(公告)号：CN117305790A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311291701.0
申请日：2023-10-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于温度测量技术领域，尤其是高温温度测量，具体提供一种用于高温温度测量的C轴择优取向AlN薄膜缺陷构造方法，用以提高温度判读精度。本发明采用中频反应磁控溅射法实现C轴择优取向AlN薄膜的制备，并在溅射过程中通过活性气体掺杂的方式在C轴择优取向AlN薄膜中构造均匀可控的晶格缺陷，本发明提供的晶格缺陷构造方法工艺简单、稳定性和重复性良好、无需中子辐照、成本低廉。将此具备均匀可控晶格缺陷的C轴择优取向AlN薄膜作为温度敏感材料，能够实现高温温度测量，并且提高温度判读精度。
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公开(公告)号：CN116949428A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310810203.6
申请日：2023-07-03
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于薄膜传感器设计与生产技术领域，具体为一种C/SiC复合材料基底薄膜传感器用绝缘层及其制备方法。是利用相似化学键能够形成键过渡这一特点:采用SiO2薄膜层作为填补层、采用Si3N4薄膜层作为缓冲层，依次设于C/SiC复合材料基底上后，三者具有相同Si元素，存在类似化学键，使其在各自界面处可形成键过渡，使整个绝缘层具有良好的附着力。阻挡层采用Al2O3薄膜层，绝缘层选择以Al2O3为主要成分材料制备且设于阻挡层之上，同样利用绝缘层材料与Al2O3化学成分相近这一特点，在界面处形成化学键合，提高绝缘层与Al2O3阻挡层之间的附着力。从而实现薄膜传感器在高温高压恶劣环境下的稳定性和可靠性的提升。
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公开(公告)号：CN116124320A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310031433.2
申请日：2023-01-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01K11/26
Abstract: 一种拓宽声表面波无线温度传感器测温范围的设计方法，属于声表面波传感器技术领域。具体为在压电基片上设计两个谐振频率具有特定关系的谐振器，两个谐振器需在压电基片同一平行方向，采用串联方式连接，并确定一个截止频率来区分两个谐振器。本发明需要确定三个参数即可有效拓宽声表面波无线传感器测温范围，且不会影响天线增益，根据温度要求可以增加SAW谐振器数量，相比传统的增加天线带宽方案，测温范围明显增加，且不会减小无线测试距离。
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公开(公告)号：CN114895106B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210309868.4
申请日：2022-03-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R27/02
Abstract: 基于近场扫描微波显微镜的电阻率测量方法，涉及材料测量技术。本发明包括下述步骤：1)采用近场扫描微波显微镜在给定距离下测量预定数量的、电阻率已知的各样品的品质因数和谐振频率，形成品质因数比值/电阻率关系曲线，以及谐振频率比值/电阻率曲线；2)测量目标物的品质因素和谐振频率，计算出目标物品质因数比值和目标物谐振频率比值，3)将前述目标物谐振频率比值与谐振频率比值/电阻率曲线进行比对，并将前述目标物品质因数比值与品质因数比值/电阻率曲线进行比对，得到目标物的电阻率的数值。本发明可准确测量目标物的电阻率。
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公开(公告)号：CN112786472B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202110011402.1
申请日：2021-01-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明属于半导体器件的测试技术领域，具体涉及一种介电温度系数修正的深能级瞬态谱测试方法。本发明通过结合DLTS测试的等效电路，分析了MIS结构中绝缘层电容对DLTS信号的影响，再对DLTS测试数据进行分析，计算出MIS结构中绝缘层电容的影响因子α，然后根据DLTS谱线数据和影响因子对原始的DLTS信号谱经行了修正，得到了准确的DLTS信号谱。解决了介电常数对温度有依赖性的材料制作成MIS结构时，现有DLTS测试不准确的问题，最终本发明准确的得到了该类MIS结构的缺陷能级、陷进浓度和截获面积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109657787B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN201811552899.2
申请日：2018-12-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明涉及计算机与电子信息技术领域，具体涉及一种二值忆阻器的神经网络芯片。本发明利用忆阻器具有的开关比，即存在高低两种阻态，与二值化神经网络结合起来以在不同材料的忆阻器上完成存储和运算，并将其与中央处理器结合，以提高神经网络的计算效率和速度。除执行神经网络算法外，本发明还可利用二值化神经网络架构进行类似于FPGA的现场编程；即输入经过特殊编码处理的数据流，对照其应输出结果按照二值化神经网络的方法进行现场学习，当正确率达到100％时即停止学习，该网络即可执行对应功能。
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公开(公告)号：CN114239654A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111548498.1
申请日：2021-12-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及热释电检测的温度识别分类领域，具体为一种基于双波段热释电器件的温度识别分类方法。本发明根据双波段热释电器件输出的双波段特性，利用目标黑体不同温度可映射不同双波段比值的特点，将双波段比值作为该信号的主要特征，再额外加上时域和频域的一部分特征作为该信号的特征集，从而对信号的主要特征提取完毕；并与机器学习相结合，进而达到良好的温度识别分类效果。本发明易于实现且能达到良好的分类效果，有效解决了现有的温度识别分类方法受限于各自类别使得普适性较低的问题，且可以应用于其他领域，为其他领域的发展提供新的思路。
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公开(公告)号：CN112928158A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201911234564.0
申请日：2019-12-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/66
Abstract: 本发明涉及一种基于自旋织构的存储器，包括基底、铁电层和铁磁层；所述铁电层位于所述基底上；所述铁磁层位于所述铁电层上；所述基底的材料为导电材料，所述铁电层的材料为GeTe、SnTe或HfO2，所述铁磁层的材料为传导电子具有自旋极化的材料。本发明的存储器件具有低功耗、尺寸小、可高密度集成、结构设计简单、读写速度快、与CMOS工艺兼容的优势。本发明还涉及一种基于自旋织构的存储器的制备方法。
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公开(公告)号：CN112786472A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110011402.1
申请日：2021-01-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明属于半导体器件的测试技术领域，具体涉及一种介电温度系数修正的深能级瞬态谱测试方法。本发明通过结合DLTS测试的等效电路，分析了MIS结构中绝缘层电容对DLTS信号的影响，再对DLTS测试数据进行分析，计算出MIS结构中绝缘层电容的影响因子α，然后根据DLTS谱线数据和影响因子对原始的DLTS信号谱经行了修正，得到了准确的DLTS信号谱。解决了介电常数对温度有依赖性的材料制作成MIS结构时，现有DLTS测试不准确的问题，最终本发明准确的得到了该类MIS结构的缺陷能级、陷进浓度和截获面积。
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公开(公告)号：CN109440074B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201811485665.0
申请日：2018-12-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种高能量输出的氢爆膜桥及其制备方法，属于火工品技术领域。所述氢爆膜桥自下而上依次为基片、桥区薄膜层和保护层，所述桥区薄膜层为储氢薄膜。本发明选择储氢薄膜作为冲击片雷管的膜桥材料，该储氢薄膜在电能、脉冲激光能量等外界能量作用下发生等离子爆炸，同时由于膜桥中含有大量氢，储氢薄膜自身也会发生氢爆；因此，该储氢薄膜在电能、脉冲激光能量等外界能量的作用下会同时发生等离子爆炸和氢爆，极大地提高了该过程的单位能量输出和能量转换效率，提升了爆炸箔的可靠性和稳定性，并有效降低了起爆能量和起爆电压。
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