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公开(公告)号：CN109941961A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910232023.8
申请日：2019-03-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及功能性薄膜技术领域，尤其涉及一种具有微纳米结构的多功能薄膜制备方法，包括以下步骤：制备滚筒压印模板；对滚筒压印模板进行防粘处理；采用滚筒压印模板对聚合物薄膜进行压印，干燥后得到具有微纳米结构的多功能薄膜。本发明的一种具有微纳米结构的多功能薄膜制备方法，简单、高效、成本较低，能够大面积地制备多功能薄膜，且制备得到的多功能薄膜具有较好的疏水自清洁性、增透性和广角性能，适合推广使用。
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公开(公告)号：CN109509954A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201910006730.5
申请日：2019-01-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P3/00
Abstract: 本发明涉及一种基于费马旋臂结构的人工表面等离激元波导，解决的是电模式表面等离激元波导各方向强度分布不均匀的技术问题，通过采用包括介质基板，以及设置在介质基板单面或对称面的金属费马旋臂结构，可以将表面等离激元束缚在金属费马旋臂结构单元周围，实现人工表面磁等离激元的高效传输。所述金属费马旋臂结构的厚度小于10-4倍工作波长的技术方案，较好的解决了该问题，并应用于等离激元波导中。
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公开(公告)号：CN109449313A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811241689.1
申请日：2018-10-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于溶胶-凝胶法制备有机发光二极管中空穴注入层的方法及构建的有机发光二极管，属于基本电气元件技术领域，该方法主要包括VOx前驱液的制备和空穴注入层的制备两个工艺环节，该方法中所使用的设备简单，合成工艺简单，易操作，且重复性好，由该方法获得的VOx前驱液具有水溶性、宽浓度耐受性、稳定性及优异的薄膜形态等优点，能够用于构建高性能的可见光或紫外有机发光二极管。
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公开(公告)号：CN106299564B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201610963317.4
申请日：2016-10-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/208
Abstract: 本发明公开一种基于微腔耦合结构的等离子体弯曲波导滤波器，包括金属薄膜、以及开设在金属薄膜上的弯曲波导和谐振腔。弯曲波导由入射波导、中间波导和出射波导组成。谐振腔位于中间波导的其中一侧和/或两侧。本发明将直波导变成两个直角组成的弯曲波导，这样中间的中间波导可以形成一个F‑P腔；并且在中间的中间波导的两侧增加两个矩形谐振腔，利用表面等离激元SPP与谐振腔的共振耦合作用，通过调节谐振腔的长度，实现等离激元滤波功能；此外，还可以通过调节谐振腔与波导的间距、谐振腔的长度以及谐振腔的个数，来实现滤波和电磁感应透明效应，并能体现一种特殊的耦合效果。
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公开(公告)号：CN108306622A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810384680.X
申请日：2018-04-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提出S波段宽带MMIC低噪声放大器,包括两级放大器：第一级场效应晶体管放大器、第一级栅极偏置网络、第一级漏极偏置网络、与第一级场效应晶体管放大器串联的第一传输线网、第二级场效应晶体管放大器、第二级栅极偏置网络和第二级漏极偏置网络；三级匹配网络：输入级匹配网络、级间匹配网络以及输出级匹配网络。本发明在第二级场效应晶体管源漏级并联负反馈网络，反馈网络的反馈电阻调节了放大器的增益，反馈网络的电容同时调节了信号的幅度和相位，还起到了直流隔离的作用。使得在较宽的频带内保持良好的增益平坦度，显著提高了低噪声放大器的线性度，降低了噪声系数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108259093A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810054580.0
申请日：2018-01-19
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种应用于跳频通信的高速超宽带半周期频率检测电路，通过对输入的频率信号分别进行上升沿和下降沿检测，并可在输入信号的半个周期内将频率转换为电压，提出并采用包络检测电容与采样开关结构，对采样电容进行峰值检测并实时跟踪，产生稳定的直流电压信号进行输出。边沿信号互锁控制工作方式，可使电路实现自动检测，自我恢复到初始状态，当检测到新的频率信号时，不需电路外部施加复位或重启信号，使电路对于跳频信号可实现连续检测，并适用于超宽带高速跳频信号的检测。本发明适用于超宽带跳频通信，可满足高速跳频模式，克服传统频率检测电路检测时间过长、检测频带范围窄、可检测频率不高、输出电压纹波抖动大、功耗高等不足。
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公开(公告)号：CN108110433A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711176679.X
申请日：2017-11-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/24
Abstract: 本发明公开一种基于石墨烯‑金属混合超表面的多功能THz极化转换器。自上而下由石墨烯‑金属混合超表面层、二氧化硅衬底层、硅介质基底层和金属地板层组成。石墨烯‑金属混合超表面层由多个石墨烯和金属超表面单元组成，这些石墨烯和金属超表面单元在二氧化硅衬底层的表面呈周期性排列。每个石墨烯和金属超表面单元由金属片和石墨烯片组成。金属片为蝶形，且金属片同时关于表面横向x轴对称和表面纵向y轴对称。本发明能够通过改变加载在石墨烯‑金属混合超表面层和硅介质基底层之间的偏置电压来达到调节石墨烯的费米能级的目的，从而实现本多功能极化转换器本体的线极化偏转和圆极化转换功能的切换。
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公开(公告)号：CN107967022A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201810054578.3
申请日：2018-01-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F3/26
CPC classification number: G05F3/26
Abstract: 本发明公开一种双输出低温漂基准电压源，由并联于电源VDD与地GND之间的启动电路、电流产生电路和双输出基准电压产生电路组成。启动电路，用于在电源上电时提供启动电流，使基准电压源摆脱简并偏置点。电流产生电路，利用共源共栅电流镜提高电源电压抑制比和电压调整率，产生提供双输出基准电压产生电路的输入电流，为基准电压产生电路提供电流。双输出基准电压产生电路，产生低温漂的两个基准电压。本发明能解决传统基准电压源电路的输出电压值单一，温漂系数和电源电压抑制比较差的问题。
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公开(公告)号：CN107833923A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711034834.4
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/20 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7831 , H01L29/20 , H01L29/401 , H01L29/42356 , H01L29/66446 , H01L29/66484
Abstract: 本发明公开了一种能够提高栅控能力以及减小短沟道效应的硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件及其制备方法。所述硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件包括单晶硅衬底、介质键合层、隔离层、背栅电极、背栅介质层、背栅界面控制层、InGaAs沟道层、上界面控制层、III-V族半导体源漏层、源漏金属层、顶栅介质层、顶栅电极；该制备方法包括步骤，首先在单晶硅衬底上设置第一键合片；然后在III-V族半导体外延衬底上依次沉积背栅介质层的材料层、背栅电极的材料层、在隔离层、第二键合片；将第一键合片和所述第二键合片键合在一起，形成介质键合层；然后再成形、源漏金属层、顶栅介质层、顶栅电极。采用该硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件及其制备方法能够提高MOSFET器件的栅控能力，满足高性能III-V族CMOS技术要求。
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公开(公告)号：CN107742606A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201711030930.1
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/2007
Abstract: 本发明公开了一种键合晶圆的结构及其制备方法，主要解决现有技术键合强度低以及键合的空隙率高的技术问题。该键合晶圆的结构及其制备方法通过将需要键合的两块晶圆进行清洗、蒸发沉积金属Al，在任一晶圆表面旋涂光刻胶、软烘烤、UV曝光、光刻胶显影，刻蚀形成等间距通道、在氧环境下低温键合以及低温退火键合得到晶圆键合结构，该晶圆键合结构包括上下两层晶圆层，以及在该两层晶圆层之间氧化与键合同时进行，使得键合后的表面具有三氧化二铝和气体混合的气体通道的技术方案，该键合晶圆的结构及其制备方法，实现了晶圆之间空隙小、键合强度高，以及基于SOI结构制造的器件散热性好；能够用于晶圆的低温键合。
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