晶体管
    73.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102918650A

    公开(公告)日:2013-02-06

    申请号:CN201180028292.4

    申请日:2011-03-11

    CPC classification number: H01L29/41733 H01L29/7869

    Abstract: 本发明的目的之一是提供一种具有新的电极结构的晶体管,该晶体管即使降低在源电极(漏电极)与栅电极的重叠部分产生的寄生电容,也可以大致保持通态电流。通过将晶体管的源电极和漏电极形成为梳形,降低寄生电容。此外,通过控制梳形电极层的端部的宽度和电极齿形部分之间的间隔,可以产生从电极齿形部分的侧边流过的曲线电流。因为该曲线电流补偿因将电极形成为梳形而降低的线性电流,所以即使降低寄生电容,也可以保持与降低寄生电容以前大致相同的通态电流。

    薄膜晶体管、半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN100511712C

    公开(公告)日:2009-07-08

    申请号:CN200510054713.7

    申请日:2005-03-14

    Abstract: 本发明提供了一种半导体元件,即使其衬底受热收缩影响极大,例如其衬底为大尺寸衬底,该元件的工作也不受影响。此外,本发明提供了均含有该半导体元件的薄膜半导体电路和薄膜半导体器件。另外,即使出现轻微的掩模版偏移时,半导体元件的工作也不受影响。考虑到这些,形成多个栅电极以覆盖半导体层的低浓度杂质区域,该区域的掺杂浓度低于漏区一侧的漏区。此外,形成对应于各个栅电极的源区和漏区,使得电流流过各个栅电板相应沟道区的方向相反。另外,电流以第一方向流过的沟道区的数目等于电流以与第一方向相反的方向流过的沟道区数目。

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