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公开(公告)号：CN1604288A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410085220.5
申请日：2004-09-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/311 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L21/76802 , H01L21/76804 , H01L21/76819 , H01L27/12 , H01L27/1248 , H01L29/41733
Abstract: 本发明的目的是提供一种高成品率地制作可靠性高的半导体器件的制作方法。在本发明中，对构成半导体器件的至少2层或更多层的层间绝缘膜执行蚀刻而选择性地清除该层间绝缘膜，在形成开口部分时，执行两个阶段的蚀刻。在执行该两个阶段的蚀刻时，至少给使用的第一气体(第一蚀刻用气体)和第二气体(第二蚀刻用气体)中的一方掺杂惰性气体。
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公开(公告)号：CN118119214A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311567947.6
申请日：2023-11-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种方便性、实用性或可靠性良好的新颖显示装置、显示模块、电子设备。显示装置包括第一发光器件、第二发光器件及第一层。第一发光器件包括第一电极、第二电极、第一电极与第二电极之间的第一单元及第一电极与第一单元之间的第二层。第一单元包含第一发光性材料。第二发光器件包括第三电极、第四电极、第三电极与第四电极之间的第二单元及第三电极与第二单元之间的第三层。第二单元包含第二发光性材料。第一层在第一电极与第二层之间且在第三电极与第三层之间，并且与第一电极与第三电极之间的第一间隙重叠。
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公开(公告)号：CN117769900A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202280054251.0
申请日：2022-08-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K71/00 , H10K59/131 , H10K59/124
Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置。该显示装置包括如下制造步骤：在第一像素电极上形成第一膜；在第一膜及第一导电层上形成第一掩模膜；加工第一膜及第一掩模膜而在第一像素电极上形成第一层及第一掩模层且在第一导电层上形成第二掩模层；在第一掩模层及第二掩模层上形成第一绝缘膜；使用感光性树脂组成物在第一绝缘膜上形成第二绝缘膜；去除第二绝缘膜中的与第二掩模层重叠的部分和与第一掩模层重叠的部分；进行加热处理，然后去除第一掩模层的一部分而使第一层的顶面露出；以及以覆盖第一层、第一导电层及第二绝缘层的方式形成公共电极。
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公开(公告)号：CN117730625A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202280052825.0
申请日：2022-07-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/22
Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置。显示装置包括依次具有像素电极、发光层、功能层、公共层及公共电极的多个发光器件，且包括位于彼此相邻的发光层的侧面之间的绝缘层。发光层及功能层在各发光器件中设置为岛状，多个发光器件公用公共层。公共层及公共电极以覆盖该绝缘层的方式设置。在剖视时，该绝缘层的端部具有锥角大于0度且小于90度的锥形形状。多个发光器件各自包含发射蓝色光的第一发光材料和发射比蓝色长的波长的光的第二发光材料。以与多个发光器件的每一个重叠的方式设置有着色层。
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公开(公告)号：CN117561795A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202280045098.5
申请日：2022-06-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/22
Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置。该显示装置包括具有第一像素电极、第一层以及公共电极的第一发光器件、具有第二像素电极、第二层以及该公共电极的第二发光器件、第一着色层、使与第一着色层不同的颜色的光透过的第二着色层、第一绝缘层以及第二绝缘层，第一层和第二层都包含发射蓝色光的第一发光材料及发射比蓝色长的波长的光的第二发光材料且彼此分离，第一绝缘层覆盖第一层的顶面的一部分及侧面、第二层的顶面的一部分及侧面，第二绝缘层隔着第一绝缘层与第一层的顶面的一部分及侧面、第二层的顶面的一部分及侧面重叠，公共电极覆盖第二绝缘层，并且当从截面看时，第二绝缘层的端部呈锥形角度小于90°的锥形形状。
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公开(公告)号：CN117397367A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202280038334.0
申请日：2022-06-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/22
Abstract: 提供一种高清晰的显示装置。提供一种实现高颜色再现性的显示装置。提供一种高亮度的显示装置。提供一种可靠性高的显示装置。显示装置包括第一绝缘层、设置在第一绝缘层的开口内部的第一导电层、第一导电层及第一绝缘层上的第一EL层、与第一EL层的侧面及第一绝缘层的顶面接触的第二绝缘层以及第一EL层及第二绝缘层上的第二导电层。
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公开(公告)号：CN117178632A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202280029100.X
申请日：2022-04-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/26
Abstract: 提供一种显示质量高的显示装置。该显示装置包括第一像素以及与第一像素相邻地配置的第二像素，第一像素包括第一像素电极、第一像素电极上的第一EL层以及第一EL层上的公共电极，第二像素包括第二像素电极、第二像素电极上的第二EL层以及第二EL层上的公共电极，第一像素电极及第二像素电极各自的侧面具有锥形形状，锥形形状的锥角小于90°，显示装置具有第一像素电极和第二像素电极之间的距离为1μm以下的区域。
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公开(公告)号：CN113196501A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980083166.5
申请日：2019-11-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/108 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 本发明提供一种晶体管特性的偏差少的半导体装置。本发明提供一种包括晶体管的半导体装置，其中晶体管包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；第一氧化物上的第一导电体、第二导电体以及配置在第一导电体与第二导电体之间的第二氧化物；第二氧化物上的第二绝缘体；以及第二绝缘体上的第三导电体，与第三导电体重叠的区域的第一氧化物的顶面低于与第一导电体重叠的区域的第一氧化物的顶面，在与第三导电体重叠的区域中，第一氧化物的侧面与顶面之间具有弯曲面，弯曲面的曲率半径为1nm以上且15nm以下。
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公开(公告)号：CN110709998A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201880011285.5
申请日：2018-01-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/07 , H01L27/12 , H01L27/06 , H01L27/1156 , H01L21/8258 , H01L21/822 , H01L21/82 , H01L21/8234 , H01L27/108 , H01L21/34 , H03K19/177 , H03K3/356
Abstract: 提供一种适合于微型化及高集成化的半导体装置。本发明的一个实施方式包括：含有相邻的第一区域和第二区域、其间设置有第一区域及第二区域的第三区域和第四区域的第一氧化物；第一区域上的第二氧化物；第二氧化物上的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一导电体；在第二氧化物上并在第一绝缘体及第一导电体的侧面的第二绝缘体；在第二区域上并在第二绝缘体的侧面的第三绝缘体；以及隔着第三绝缘体在第二区域上的第二导电体。第三绝缘体的一部分位于第二导电体和第二绝缘体的侧面之间。
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公开(公告)号：CN103797620B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201280044740.4
申请日：2012-09-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01M4/133 , B82Y30/00 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/366 , H01M4/386 , H01M4/625 , H01M10/0525 , H01M10/465 , Y02E60/122 , Y02T10/7011
Abstract: 提供一种蓄电装置,具有大的充/放电容量和较低的由于充/放电所导致的电池特性的劣化，并能够进行急速充/放电。一种蓄电装置包括负电极。该负电极包括集电体及设置在集电体上的活性物质层，活性物质层包括从集电体突出的多个突起及设置在该多个突起上的石墨烯。多个突起的轴朝向同一方向。另外，在集电体和多个突起之间也具有共同部。
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