公开(公告)号：CN100530549C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200580028275.5

申请日：2005-08-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  矶部敦生 ,  山本良明

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78648 ,  B23K26/0604 ,  B23K26/066 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/78621 ,  H01L2029/7863

Abstract: 本发明的目的是提供激光照射设备和方法，其能够减小微晶区在整个被照射区中的比例并能够用激光束均匀地照射半导体膜。通过狭缝阻挡从激光振荡器发射的激光束的低强度部分，该激光束被镜片偏转，用两个凸柱镜将激光束整形成所需的尺寸。然后，向照射表面提供激光束。

公开(公告)号：CN101393919A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810149495.9

申请日：2008-09-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  矶部敦生 ,  乡户宏充 ,  冈崎丰

IPC: H01L27/12

Abstract: 提供一种半导体装置，其中示出在具有绝缘表面的衬底上其间夹着层间绝缘层层叠多个场效应晶体管。多个场效应晶体管分别具有半导体层，该半导体层是通过从半导体衬底剥离半导体层之后在衬底上接合该半导体层的步骤制造的。多个场效应晶体管分别由提供半导体层的应变的绝缘膜覆盖。再者，将半导体层的与其晶面平行的晶轴设定为半导体层的沟道长度方向，由此可以制造具有SOI结构的高性能化且及低耗电化的半导体装置。

公开(公告)号：CN101217150A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200710154325.5

申请日：2003-03-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  加藤清 ,  矶部敦生 ,  宫入秀和 ,  须泽英臣

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02609 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/04 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供有高电流驱动能力、能够高速运转并在多个半导体元件中几乎没有变化的半导体元件。它以下述事实为特征：半导体元件有包括多个晶体取向的第一结晶半导体区，第一结晶半导体区连接到导电的第二结晶半导体区，其中第一结晶半导体区在平行于在绝缘表面上的线形条状图形中延伸的绝缘膜的方向延伸，且第二结晶半导体区被提供，包括以线形条状图形延伸的绝缘膜。

公开(公告)号：CN101150135A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200710182288.9

申请日：2000-08-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 柴田宽 ,  矶部敦生

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/528 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1255 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78633

Abstract: 通过保证充足存储电容值(Cs)时获得较高孔径率，同时通过以适时方式分散电容器引线的负载(象素写入电流)以有效地减少负载，从而提供一种液晶显示装置。扫描线形成在与栅电极不同的层面上，电容器布置成与信号线平行。每个象素通过电介质与各自独立的电容器引线连接。这样，可避免由相邻象素的写入电流产生的电容器引线的电势变化，进而获得了满意的显示图象。

公开(公告)号：CN100350617C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN03107081.7

申请日：2003-03-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  加藤清 ,  矶部敦生 ,  宫入秀和 ,  须泽英臣

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/02609 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/04 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供有高电流驱动能力、能够高速运转并在多个半导体元件中几乎没有变化的半导体元件。它以下述事实为特征：半导体元件有包括多个晶体取向的第一结晶半导体区，第一结晶半导体区连接到导电的第二结晶半导体区，其中第一结晶半导体区在平行于在绝缘表面上的线形条状图形中延伸的绝缘膜的方向延伸，且第二结晶半导体区被提供，包括以线形条状图形延伸的绝缘膜。

公开(公告)号：CN1901167A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200610100169.X

申请日：2000-09-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 柴田宽 ,  矶部敦生

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  G02F1/1362 ,  G03B21/00

CPC classification number: H01L27/1248 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2201/40 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255

Abstract: 提供一种具有高显示品质的液晶显示器件，它具有高的孔径比而又确保有足够的存储电容(Cs)，同时还可通过将电容线的负荷(像素的写入电流)及时地分散开以便有效地减小该负荷。扫描线形成在与栅电极不同的层上，以便将电容线安置得与信号线平行。每个像素都通过介电质与各独立的电容线相连接。因而，由邻近像素的写入电流所引起的电容线的电位变化就可避免，由此可获得满意的显示图像。

公开(公告)号：CN1873949A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610088623.4

申请日：2006-05-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/66 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/42384 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908

Abstract: 与TFT形成在相同衬底上的半导体元件，包括具有杂质区的岛状半导体膜；形成在岛状半导体膜上的绝缘膜；通过在第一方向(沟道宽度方向)上间隔开距离a而在绝缘膜上分为多个部分的电极；形成为与电极侧壁接触的具有宽度b的绝缘体和形成在被分为多个部分的电极之间的区域中的绝缘体；形成在杂质区一部分表面上的硅化物层；和通过测量半导体元件的半导体膜的阻抗来评估TFT的特性。

公开(公告)号：CN1855573A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610084049.5

申请日：2006-04-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 今林良太 ,  古川忍 ,  矶部敦生 ,  荒井康行 ,  山崎舜平

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0512 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31683 ,  H01L51/0002 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0525 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0566

Abstract: 目的在于形成稠密且具有强绝缘电阻特性的高质量栅绝缘膜，并提出一种其中几乎没有隧道漏电流的高可靠性有机晶体管。本发明的有机晶体管的一个模式具有以下步骤：通过使用稠密等离子体用等离子激活来激活氧(或含氧的气体)或氮(或含氮的气体)等形成将变为栅极的导电层而形成栅绝缘膜，以及直接与将被绝缘的变为栅极的导电层的一部分反应，等离子体中的电子密度是1011cm－3或更大，且电子温度在0.2eV至2.0eV的范围内。

公开(公告)号：CN1855397A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610077224.8

申请日：2006-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法，其中该晶体管的沟道的基本长度被缩短以微型化半导体装置。此外，本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置实现了高速操作和高性能。而且，此外，本发明的一个目的是提供一种制造方法，其中制造工艺被简化。本发明的半导体装置具有：在具有绝缘表面的衬底上形成的岛状半导体薄膜以及在该岛状半导体薄膜上形成的栅电极，其中通过高密度等离子体氧化该栅电极的表面使该栅电极变细，且沟道的基本长度被缩短。

公开(公告)号：CN1828834A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610006425.9

申请日：2002-09-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  宫入秀和 ,  志贺爱子 ,  下村明久 ,  矶部敦生

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  B23K26/073 ,  B23K101/40

Abstract: 本发明的特征在于通过倾斜入射到凸透镜的激光束，出现诸如像散等的像差，并且激光束的形状在照射表面或其周围区域内形成线状。由于本发明具有非常简单的结构，光线调节较容易，并且器件尺寸变小。此外，由于光束相对于被照体倾斜入射，可防止返回光束。