公开(公告)号：CN101635263A

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200910165266.0

申请日：2004-11-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山下晃央 ,  福本由美子 ,  后藤裕吾

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/82 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1333

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G02F1/133305 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/326

Abstract: 为提供一种高产量制造具有优良抗冲击性的显示装置的方法，特别是一种制造具有用塑料衬底制成的光学膜的显示装置的方法。该制造显示装置的方法包括步骤：在第一衬底上顺序形成金属膜、氧化物膜和光学滤光片；从所述第一衬底上分离包括所述光学滤光片的层；将包括光学滤光片的层贴到第二衬底上；在第三衬底的一个表面上形成包含像素的层；将该含有像素的层贴到第四衬底上；以及将包括光学滤光片的层贴到所述第三衬底的另一表面。

公开(公告)号：CN100530576C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200310123567.X

申请日：2003-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 桑原秀明 ,  高山彻 ,  后藤裕吾 ,  丸山纯矢 ,  大野由美子 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/50 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76251 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明的目的是提供一种低成本，小体积，并且高集成化的半导体器件。本发明利用转移技术，将用半导体薄膜形成的半导体元件转移到用半导体衬底形成的半导体元件之上，从而制作半导体器件。跟常规的MCP相比，本发明可以用更低成本，并更高产量地大量生产半导体器件，而且可以减少每个半导体器件的生产成本。

公开(公告)号：CN100392860C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200310119911.8

申请日：2003-11-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 三崎舜平 ,  高山彻 ,  鹤目卓也 ,  后藤裕吾

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136 ,  G09F9/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/022 ,  H01L21/3127 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/003 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338 ,  H05B33/04

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件的结构除了具有薄膜，轻量，有曲面柔性外，还有防止湿气和氧等从外界侵入到元件形成层的效果。本发明具有用含有氟树脂的膜覆盖元件形成层的结构，通过用分隔开的岛状半导体膜形成包含在元件形成层的TFT，不但实现了薄膜轻量化，同时实现了具有柔性的结构，而且，防止了湿气和氧等从外界侵入。

公开(公告)号：CN100388411C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200310124240.4

申请日：2003-12-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 丸山纯矢 ,  大野由美子 ,  高山彻 ,  后藤裕吾 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/00 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/6835 ,  H01L27/1214 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2924/3025

Abstract: 一种分离方法，包括步骤：依此次序形成金属膜、第一氧化物和含有氢的半导体膜；将支撑物粘接到含有该第一氧化物和该半导体膜的释放层，并从提供有该金属层的衬底通过物理方法分离粘接到该支撑物的该释放层。在分离方法中，进行热处理以便使半导体膜中含有的氢扩散，通过还原在金属膜和第一氧化物膜之间的表面边界处形成的第二氧化物来形成第三氧化物，并分离含有该第二氧化物和该第三氧化物的薄膜、含有该第二氧化物和该第三氧化物的薄膜与该金属膜之间的表面边界，或含有该第二氧化物和该第三氧化物的薄膜与该第一氧化物之间的表面边界。

公开(公告)号：CN1886769A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200480035192.4

申请日：2004-11-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山下晃央 ,  福本由美子 ,  后藤裕吾

IPC: G09F9/00 ,  H05B33/10 ,  G02F1/1333

CPC classification number: H01L33/005 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/133305 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/15 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/003 ,  H01L51/524 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/326 ,  H01L2933/0025

Abstract: 提供一种高产量地制造具有较佳抗冲击属性的显示设备的方法，特别是提供一种制造具有使用塑料基板形成的光学薄膜的显示设备的方法。制造显示设备的这种方法包括以下步骤：在第一基板上层压金属膜、氧化物膜、以及滤光片；从第一基板中剥离滤光片；将滤光片贴到第二基板上；在第三基板上形成包括像素的层；以及将包括像素的层贴到滤光片上。

公开(公告)号：CN1875298A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200480032138.4

申请日：2004-10-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山下晃央 ,  福本由美子 ,  后藤裕吾

IPC: G02B5/20 ,  B32B37/00 ,  G02B5/30 ,  G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/133516 ,  B32B37/12 ,  B32B37/24 ,  B32B38/10 ,  B32B2037/243 ,  B32B2457/202 ,  B32B2551/00 ,  G02B5/201 ,  G02B5/223

Abstract: 为了提供了一种制作形成在塑料基板上的光学膜的方法。提供一种制作光学膜的方法，包括以下步骤：将分离层和滤光器层叠在第一基板上，使滤光器与第一基板分离，将滤光器附着到第二基板上。由于根据本发明制作的光学膜具有柔性，因此可以将它设置在具有弯曲表面的部分或显示器件上。另外，光学膜不在高温下处理，因此可以形成具有高成品率和高可靠性的光学膜。而且，可以形成具有极好的抗冲击特性的光学膜。

公开(公告)号：CN1517948A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200310123564.6

申请日：2003-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  丸山纯矢 ,  后藤裕吾 ,  大野由美子 ,  秋叶麻衣

IPC: G06K19/077 ,  G06K19/02

CPC classification number: G06K19/077 ,  G06K19/07703 ,  G06Q20/105 ,  G06Q20/3415 ,  G07F7/1008 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2224/45147

Abstract: 本发明的目的是提供一种高功能智能卡，该智能卡可以防止更换脸部相片等伪造行为，从而可以确保该卡的安全，并且该卡可以显示脸部相片以外的图像。具有显示器件和多个薄膜集成电路的智能卡，该卡用多个薄膜集成电路控制显示器件的驱动，用于显示器件以及多个薄膜集成电路的半导体元件由多晶半导体膜形成，多个薄膜集成电路被层叠，显示器件和多个薄膜显示器件被搭载到同一个印刷线路板上，智能卡的厚度在0.05mm－1mm的范围内。

公开(公告)号：CN1516253A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN200310123567.X

申请日：2003-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 桑原秀明 ,  高山彻 ,  后藤裕吾 ,  丸山纯矢 ,  大野由美子 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/50 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76251 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明的目的是提供一种低成本，小体积，并且高集成化的半导体器件。本发明利用转移技术，将用半导体薄膜形成的半导体元件转移到用半导体衬底形成的半导体元件之上，从而制作半导体器件。跟常规的MCP相比，本发明可以用更低成本，并更高产量地大量生产半导体器件，而且可以减少每个半导体器件的生产成本。

公开(公告)号：CN1505161A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310119911.8

申请日：2003-11-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 三崎舜平 ,  高山彻 ,  鹤目卓也 ,  后藤裕吾

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136 ,  G09F9/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/022 ,  H01L21/3127 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/003 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338 ,  H05B33/04

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件的结构除了具有薄膜，轻量，有曲面柔性外，还有防止湿气和氧等从外界侵入到元件形成层的效果。本发明具有用含有氟树脂的膜覆盖元件形成层的结构，通过用分隔开的岛状半导体膜形成包含在元件形成层的TFT，不但实现了薄膜轻量化，同时实现了具有柔性的结构，而且，防止了湿气和氧等从外界侵入。

公开(公告)号：CN1492723A

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：CN03158666.X

申请日：2003-09-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高山彻 ,  鹤自卓也 ,  后藤裕吾

IPC: H05B33/12 ,  H05B33/04

CPC classification number: H01L51/529 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5253

Abstract: 本发明的目的是解决上述使用含有氟树脂的膜(聚四氟乙烯(R))作为元件的保护膜时产生的释放热的问题，以及解决因氟元素引起的金属材料腐蚀的问题。因此，本发明采用在形成元件后形成无机绝缘膜，最后形成含有氟树脂的膜的叠层结构，这样就使含有氟树脂的膜不与元件的金属材料接触而形成，从而达到防止因含有氟树脂的膜中的氟元素引起金属材料腐蚀的目的。无机绝缘膜具有防止含有氟树脂的膜中的氟元素和金属材料起反应的功能(即阻挡性)。而且，该无机绝缘膜采用高导热性的材料形成以便释放元件产生的热。