公开(公告)号：CN100576595C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN03158666.X

申请日：2003-09-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高山彻 ,  鹤自卓也 ,  后藤裕吾

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/12 ,  H05B33/04

CPC classification number: H01L51/529 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5253

Abstract: 本发明的目的是解决上述使用含有氟树脂的膜(聚四氟乙烯(R))作为元件的保护膜时产生的释放热的问题，以及解决因氟元素引起的金属材料腐蚀的问题。因此，本发明采用在形成元件后形成无机绝缘膜，最后形成含有氟树脂的膜的叠层结构，这样就使含有氟树脂的膜不与元件的金属材料接触而形成，从而达到防止因含有氟树脂的膜中的氟元素引起金属材料腐蚀的目的。无机绝缘膜具有防止含有氟树脂的膜中的氟元素和金属材料起反应的功能(即阻挡性)。而且，该无机绝缘膜采用高导热性的材料形成以便释放元件产生的热。

公开(公告)号：CN1492723A

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：CN03158666.X

申请日：2003-09-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高山彻 ,  鹤自卓也 ,  后藤裕吾

IPC: H05B33/12 ,  H05B33/04

CPC classification number: H01L51/529 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5253

Abstract: 本发明的目的是解决上述使用含有氟树脂的膜(聚四氟乙烯(R))作为元件的保护膜时产生的释放热的问题，以及解决因氟元素引起的金属材料腐蚀的问题。因此，本发明采用在形成元件后形成无机绝缘膜，最后形成含有氟树脂的膜的叠层结构，这样就使含有氟树脂的膜不与元件的金属材料接触而形成，从而达到防止因含有氟树脂的膜中的氟元素引起金属材料腐蚀的目的。无机绝缘膜具有防止含有氟树脂的膜中的氟元素和金属材料起反应的功能(即阻挡性)。而且，该无机绝缘膜采用高导热性的材料形成以便释放元件产生的热。