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公开(公告)号：CN107045560A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201611166040.9
申请日：2016-12-16
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 穆罕默德·德里亚·特泰克 , 萨拉瓦纳普里亚·西里拉曼 , 安德鲁·D·贝利三世 , 朱莱恩·休布 , 亚历克斯·帕特森 , 理查德·A·戈奇奥
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明涉及通过表面动力学模型优化进行蚀刻轮廓匹配的方法和装置。公开了优化计算机化模型的方法，其通过使用多个模型参数将半导体器件上的蚀刻特征轮廓与成组的独立输入参数相关联。所述优化方法可以修改模型参数以便利用模型生成的蚀刻轮廓使得其减小表示在使用成组的独立输入参数的不同的成组的值执行的试验蚀刻工艺获得的蚀刻轮廓与从模型产生的并且对应于试验蚀刻轮廓的计算蚀刻轮廓之间的组合差的尺度。所述尺度可以通过将计算蚀刻轮廓和对应的实验蚀刻轮廓投射到用于计算这些轮廓之间的差的经降维的子空间上来计算。本文还公开了采用这种优化的模型的系统，以及使用这种模型近似地确定蚀刻特征的轮廓的方法。
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公开(公告)号：CN107039307A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610924742.2
申请日：2016-10-24
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 达蒙·蒂龙·格内特 , 乔恩·麦克切斯尼 , 亚历克斯·帕特森 , 德里克·约翰·威特科维基 , 奥斯丁·恩戈
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明涉及用连接等离子体处理系统的端部执行器自动更换消耗部件。群集工具组件包括真空传送模块，具有连接到真空传送模块的第一侧的处理模块。隔离阀具有第一和第二侧，隔离阀的第一侧耦合到处理模块的第二侧。更换站耦合到隔离阀的第二侧。更换站包括更换操作器和部件缓冲区。部件缓冲区包括用于容纳新的或使用过的消耗部件的多个隔室。处理模块包括升降机构，以使安装在处理模块中的消耗部件放置到升高位置。升高位置使更换操作器能访问，以使消耗部件能从处理模块移除并存储在部件缓冲区的隔室。更换操作器被配置为使消耗部件的更换件从部件缓冲区回到处理模块。在处理模块和更换站被保持在真空状态下时，由更换操作器和处理模块进行更换。
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公开(公告)号：CN104103477B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201410138310.X
申请日：2014-04-08
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01J37/02 , H01J37/305 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32009 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/32633 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136
摘要： 本文所公开的实施方式涉及用于半导体制造的内部等离子体格栅，具体涉及蚀刻半导体衬底的改进的方法和装置。等离子体格栅组件被定位在反应室中以将所述室分成上部和下部子室。等离子体格栅组件可以包括具有特定的高宽比的槽的一个或多个等离子体格栅，从而允许某些物质从上部子室通到下部子室。在使用多个等离子体格栅的情况下，一个或多个格栅可以是可移动的，允许至少在所述下部子室维持等离子体条件的延续性。在某些情况下，在上部子室中产生电子‑离子等离子体。通过格栅到下部子室的电子当它们通过时受到冷却。在某些情况下，这导致在下部子室中的离子‑离子等离子体。
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公开(公告)号：CN104254187B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201410301183.0
申请日：2014-06-27
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H05H1/02
CPC分类号： H01J37/32174 , H01J37/32082 , H01J37/321 , H01J37/32128 , H01J37/32146 , H01J37/32422 , H01J37/32706
摘要： 本发明涉及控制等离子体室内的离子能量，具体描述了控制等离子体室内的离子能量的系统和方法。所述系统之一包括耦合到正弦RF发生器用于接收正弦信号的上电极和用于产生非正弦信号的非正弦RF发生器。该系统进一步包括耦合到非正弦RF发生器的功率放大器。功率放大器用于放大非正弦信号以产生放大信号。该系统包括耦合到功率放大器的滤波器。滤波器用于利用滤波信号过滤放大信号以产生滤波后信号。该系统包括耦合到滤波器的卡盘。卡盘面向上电极的至少一部分且包括下电极。下电极用于接收滤波后信号以促使实现卡盘处的离子能量在下限阈值和上限阈值之间。
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公开(公告)号：CN106611727A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201610196076.5
申请日：2016-03-31
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： G05B19/418 , G05B19/41875 , G05B2219/32212 , G05B2219/45031 , G05B2219/50291 , H01L21/67167 , H01L21/6719 , Y02P90/22 , H01L21/67011
摘要： 本发明涉及在原位从半导体处理模块移除和更换消耗部件的系统。群集工具组件包括真空传送模块，具有连接到真空传送模块的第一侧的处理模块。隔离阀具有第一侧和第二侧，隔离阀的第一侧耦接到处理模块的第二侧。更换站耦接到隔离阀的第二侧。更换站包括更换操作器和部件缓冲区。部件缓冲区包括用于容纳新的或使用过的消耗部件的多个隔室。处理模块包括升降机构，以使安装在处理模块中的消耗部件放置到升高位置。升高位置使更换操作器能访问，以使消耗部件能从处理模块移除并存储在部件缓冲区的隔室。更换操作器被配置为使消耗部件的更换件从部件缓冲区回到处理模块。在处理模块和更换站被保持在真空状态下时，由更换操作器和处理模块进行更换。
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公开(公告)号：CN104241072B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410265091.1
申请日：2014-06-13
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/32119
摘要： 本发明提供了用于高射频功率导体蚀刻系统的锤头TCP线圈支架。本发明提供了一种室，所述室具有设置在所述室的天花板上的陶瓷窗口。所述室包括陶瓷支架，所述陶瓷支架具有从中心区延伸到外周的多根辐条，所述辐条中的每根包括在背离辐条的轴的方向上使所述陶瓷支架径向扩展的锤头形状。还包括设置成穿过所述陶瓷支架的多个螺钉孔。所述多个螺钉孔被限定为使螺钉能连接到具有内线圈和外线圈的TCP线圈。外线圈将设置在每根辐条的锤头形状下方，并且径向间隙被限定在每个锤头形状之间。径向间隙绕着外线圈限定不连续的环。多个螺钉设置成穿过螺钉孔，用于连接TCP线圈。
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公开(公告)号：CN106449396A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610604517.0
申请日：2016-07-28
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/321 , H01J37/32146 , H01J37/32422 , H01L21/67069 , H01L21/67011 , H01L2221/67
摘要： 本发明描述了用于反向脉冲的系统和方法。所述方法中的一种包括：接收具有第一状态和第二状态的数字信号。该方法还包括：产生在所述数字信号处于所述第一状态时具有高状态并且在所述数字信号处于所述第二状态时具有低状态的变压器耦合等离子体(TCP)射频(RF)脉冲信号。所述方法还包括：提供TCP射频脉冲信号到所述等离子体室的一个或多个线圈；产生在所述数字信号处于所述第一状态时具有低状态并且在所述数字信号处于所述第二状态时具有高状态的偏置射频脉冲信号；以及提供所述偏置射频脉冲信号到所述等离子体室的卡盘。
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公开(公告)号：CN104220636B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201380018698.3
申请日：2013-03-22
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 西奥多罗斯·帕纳戈普路斯 , 约翰·霍兰 , 亚历克斯·帕特森
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/3211
摘要： 公开了用于控制具有至少一个电感耦合等离子体(ICP)处理室的等离子体处理系统中的等离子体的方法和装置。ICP室中至少使用第一/中心射频线圈、相对于第一/中心射频线圈同心地设置的第二/边缘射频线圈、和至少具有第三/中部射频线圈的射频线圈组，第三/中部射频线圈相对于第一/中心射频线圈和第二/边缘射频线圈以使第三/中部射频线圈被设置在第一/中心射频线圈与第二/边缘射频线圈之间的方式同心地设置。在处理期间，在相同方向上将射频电流提供给第一/中心射频线圈和第二/边缘射频线圈，同时在相反方向上(相对于提供给第一/中心射频线圈和第二/边缘射频线圈的电流的方向)将射频电流提供给第三/中部射频线圈。
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公开(公告)号：CN104078301B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410119441.3
申请日：2014-03-27
申请人： 朗姆研究公司
摘要： 本发明涉及具有加热器和空气放大器的射频室中的温度控制，提出了用于控制半导体制造室中的窗的温度的系统、方法和计算机程序。一种装置包括空气放大器、充气空间、加热器、温度传感器和控制器。空气放大器耦合到增压气体并在启动时产生空气流。空气放大器还耦合到充气空间和加热器。充气空间接收所述空气流并使所述空气流分布在等离子体室的窗上。当加热器被启动时，所述空气流在处理过程中被加热，而当加热器没有启动时，所述空气流冷却所述窗。温度传感器位于等离子体室的窗周围，且控制器被限定来基于由温度传感器测得的温度启动空气放大器和加热器二者。
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公开(公告)号：CN104851793A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510084901.8
申请日：2015-02-16
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/32119 , H01J37/3244 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/67069
摘要： 本发明涉及用于改善晶片蚀刻不均匀性的系统和方法。衬底处理系统包括处理室，处理室包括介电窗和用于在处理期间支撑衬底的底座。气体供给系统向所述处理室供给气体。线圈邻近所述介电窗布置在所述处理室外侧。射频(RF)源供给RF信号至所述线圈以在所述处理室内产生射频等离子体。N个通量衰减区段布置成与所述线圈相邻的间隔开的模式，其中，N是大于1的整数。
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