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公开(公告)号：CN105489464B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201510894141.7
申请日：2012-11-12
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 克伦·雅克布卡纳里克
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/32082 , H01J37/321 , H01J37/32128 , H01J37/32137 , H01J37/32146 , H01J37/32165 , H01J2237/334 , H05H1/46 , H05H2001/4682
摘要： 提供一种用于对处理腔室中的衬底进行处理的方法，处理腔室具有至少一个等离子体产生源、和用于向腔室提供处理气体的气体源。该方法包含用具有射频频率的射频信号激发等离子体产生源。该方法还包含使用至少第一气体脉冲频率给气体源施加脉冲，使得在气体脉冲周期的第一部分期间，第一处理气体流至腔室，在气体脉冲周期的第二部分期间，第二处理气体流至腔室，气体脉冲周期与第一气体脉冲频率关联。相对于第一处理气体的反应气体比惰性气体的比率，第二处理气体的反应气体比惰性气体的比率较低。第二处理气体通过从第一处理气体去除至少一部分反应气体流而形成。
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公开(公告)号：CN103987876A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201280056139.7
申请日：2012-11-12
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 克伦·雅克布卡纳里克
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/32082 , H01J37/321 , H01J37/32128 , H01J37/32137 , H01J37/32146 , H01J37/32165 , H01J2237/334 , H05H1/46 , H05H2001/4682
摘要： 提供一种用于对处理腔室中的衬底进行处理的方法，处理腔室具有至少一个等离子体产生源、和用于向腔室提供处理气体的气体源。该方法包含用具有射频频率的射频信号激发等离子体产生源。该方法还包含使用至少第一气体脉冲频率给气体源施加脉冲，使得在气体脉冲周期的第一部分期间，第一处理气体流至腔室，在气体脉冲周期的第二部分期间，第二处理气体流至腔室，气体脉冲周期与第一气体脉冲频率关联。相对于第一处理气体的反应气体比惰性气体的比率，第二处理气体的反应气体比惰性气体的比率较低。第二处理气体通过从第一处理气体去除至少一部分反应气体流而形成。
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公开(公告)号：CN106256012B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201580007623.4
申请日：2015-02-06
申请人： 通快许廷格有限公司
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32944 , G01R19/165 , H01J37/32128 , H01J37/32917 , H01J37/32926 , H01J37/32935
摘要： 一种监测等离子体过程中的放电的方法，包括以下步骤：a.将周期性电源信号(71a)提供给等离子体过程；b.确定电源信号的第一时段内的第一时间间隔(Δt)内的第一电源信号波形；c.确定电源信号的第二时段内的第二时间间隔(Δt)内的第二电源信号波形(31，51)，其中，第二时间间隔(Δt)在第二时段中的位置与第一时间间隔(Δt)在第一时段内的位置相对应；d.将第二时间间隔的第二电源信号波形(31，51)与第一时间间隔的第一电源信号波形或参考信号波形(50，60)进行比较，并确定第一比较结果；e.如果第一比较结果与给定第一比较结果相对应，则对第二时间间隔(Δt)中的第二电源信号波形(31，51)、第一时间间隔(Δt)中的第一电源波形、或参考信号波形(50，60)中的一个信号波形进行时间偏移，并且将经时间偏移的信号与未进行时间偏移的信号波形中的一个信号波形进行比较，从而获得第二比较结果。
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公开(公告)号：CN105308212B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201380068674.9
申请日：2013-11-20
申请人： 西南研究院 , 国际壳牌研究有限公司
IPC分类号： C23C16/513 , C23C16/04 , F16L58/04
CPC分类号： C09D183/04 , B05D1/62 , B05D5/08 , B05D7/222 , B05D2202/10 , C23C16/045 , C23C16/401 , C23C16/507 , E21B17/00 , F16L58/1009 , H01J37/32128 , H01J37/3244 , H01J37/32669 , H01J37/32834 , Y10T428/139
摘要： 一种用于沉积涂层的方法包括在管状结构的内部体积内产生真空，其中所述管状结构也包括内表面。将气体供给至所述管状结构的内部体积，其中所述气体包括气相中的等离子体前体。所述管状结构相对于接地偏压。形成具有密度并沿着所述管状结构的长度周期性设置的等离子体。产生等离子体前体气体的正离子，所述正离子沉积于所述内表面上，从而在所述内表面上形成涂层，其中所述涂层显示出大于120°的水接触角。
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公开(公告)号：CN106256012A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201580007623.4
申请日：2015-02-06
申请人： 通快许廷格有限公司
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32944 , G01R19/165 , H01J37/32128 , H01J37/32917 , H01J37/32926 , H01J37/32935
摘要： 一种监测等离子体过程中的放电的方法，包括以下步骤：a.将周期性电源信号(71a)提供给等离子体过程；b.确定电源信号的第一时段内的第一时间间隔(Δt)内的第一电源信号波形；c.确定电源信号的第二时段内的第二时间间隔(Δt)内的第二电源信号波形(31，51)，其中，第二时间间隔(Δt)在第二时段中的位置与第一时间间隔(Δt)在第一时段内的位置相对应；d.将第二时间间隔的第二电源信号波形(31，51)与第一时间间隔的第一电源信号波形或参考信号波形(50，60)进行比较，并确定第一比较结果；e.如果第一比较结果与给定第一比较结果相对应，则对第二时间间隔(Δt)中的第二电源信号波形(31，51)、第一时间间隔(Δt)中的第一电源波形、或参考信号波形(50，60)中的一个信号波形进行时间偏移，并且将经时间偏移的信号与未进行时间偏移的信号波形中的一个信号波形进行比较，从
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公开(公告)号：CN101617392B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN200780051826.9
申请日：2007-12-14
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 拉金德尔·德辛德萨 , 哈德森·艾瑞克 , 阿列克谢·马拉赫塔诺夫 , 安德烈亚斯·菲舍尔
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32174 , G03F7/427 , H01J37/32091 , H01J37/32128 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01L21/306 , H01L21/31138
摘要： 本发明提供了用于控制电子损失于上电极的方法和布置，包括用于将上电极进一步负偏置以使得带电物质被捕获在等离子体室内较长的时间而由此增大等离子体密度的技术和设备。将上电极上的感应RF信号整流，因此将上电极进一步负偏置。如果需要，整流RF信号还可以被放大，因此更进一步负驱动上电极。
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公开(公告)号：CN105938785A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201610116444.0
申请日：2016-03-02
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 阿列克谢·马拉霍塔诺夫 , 菲力克斯·科扎克维奇 , 约翰·帕特里克·霍兰德 , 布雷特·雅各布斯
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32183 , H01F38/14 , H01F2038/146 , H01J37/32128 , H01J37/3255 , H01J37/32568 , H03H7/38 , H03H7/40 , H01J37/32807
摘要： 本发明涉及用于用RF产生器操作以控制等离子体工艺的阻抗匹配电路，描述了一种阻抗匹配电路(IMC)。所述阻抗匹配电路包括第一电路。第一电路具有耦合到千赫(kHz)射频(RF)产生器的输入。IMC包括第二电路。所述第二电路具有耦合到低频兆赫(MHz)RF产生器的输入。IMC包括第三电路。所述第三电路具有耦合到高频MHz RF产生器的输入。IMC包括第一、第二和第三电路的耦合到RF传输线的输入的输出。第一电路和第二电路提供通过第一电路发送的kHz RF信号和通过第二电路发送的低频MHz RF信号之间的隔离。
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公开(公告)号：CN105308212A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201380068674.9
申请日：2013-11-20
申请人： 西南研究院 , 国际壳牌研究有限公司
IPC分类号： C23C16/513 , C23C16/04 , F16L58/04
CPC分类号： C09D183/04 , B05D1/62 , B05D5/08 , B05D7/222 , B05D2202/10 , C23C16/045 , C23C16/401 , C23C16/507 , E21B17/00 , F16L58/1009 , H01J37/32128 , H01J37/3244 , H01J37/32669 , H01J37/32834 , Y10T428/139
摘要： 一种用于沉积涂层的方法包括在管状结构的内部体积内产生真空，其中所述管状结构也包括内表面。将气体供给至所述管状结构的内部体积，其中所述气体包括气相中的等离子体前体。所述管状结构相对于接地偏压。形成具有密度并沿着所述管状结构的长度周期性设置的等离子体。产生等离子体前体气体的正离子，所述正离子沉积于所述内表面上，从而在所述内表面上形成涂层，其中所述涂层显示出大于120°的水接触角。
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公开(公告)号：CN103987876B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201280056139.7
申请日：2012-11-12
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 克伦·雅克布卡纳里克
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/32082 , H01J37/321 , H01J37/32128 , H01J37/32137 , H01J37/32146 , H01J37/32165 , H01J2237/334 , H05H1/46 , H05H2001/4682
摘要： 提供一种用于对处理腔室中的衬底进行处理的方法，处理腔室具有至少一个等离子体产生源、和用于向腔室提供处理气体的气体源。该方法包含用具有射频频率的射频信号激发等离子体产生源。该方法还包含使用至少第一气体脉冲频率给气体源施加脉冲，使得在气体脉冲周期的第一部分期间，第一处理气体流至腔室，在气体脉冲周期的第二部分期间，第二处理气体流至腔室，气体脉冲周期与第一气体脉冲频率关联。相对于第一处理气体的反应气体比惰性气体的比率，第二处理气体的反应气体比惰性气体的比率较低。第二处理气体通过从第一处理气体去除至少一部分反应气体流而形成。
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公开(公告)号：CN1852764A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200480016492.8
申请日：2004-04-19
申请人： 等离子控制系统有限责任公司
发明人： P·A·普日比尔
IPC分类号： B01J19/08
CPC分类号： H01J37/32522 , H01J37/32082 , H01J37/321 , H01J37/32128 , H01J37/32174 , H01Q7/00 , H01Q21/205 , H05H1/46
摘要： 公开了作为用于产生高密度等离子体的方法和系统的一部分的射频驱动电路和正交天线装置/配置。该天线装置是可由具有适当阻抗匹配、以提供低阻抗的射频发生器/电路驱动的正交天线系统，公开的射频驱动电路使用开关型放大器元件，并提供低输出阻抗。公开的低输出阻抗射频驱动电路消除了对用于和与等离子体相关联的固有阻抗变化连接的匹配电路的需要。还公开了为射频等离子体源提供调谐的电容或电感值的选择。还提供了用于以大约数十Hz到高达数百KHz的频率在两个或多个功率电平之间快速切换等离子体的方法。
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