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公开(公告)号：CN110060914B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201910120027.7
申请日：2015-02-16
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及衬底处理系统和用于衬底处理系统的气体充气室装置。所述气体充气室装置包括：气体充气室主体，其具有内开口和外边缘，其中：所述气体充气室主体布置成在线圈和处理室之间限定气体充气室，并且所述线圈布置在所述气体充气室主体的所述外边缘的周围和外部；以及多个通量衰减部分，其中：所述多个通量衰减部分布置在所述气体充气室主体的所述外边缘的外部，并且所述通量衰减部分(i)与所述气体充气室主体的所述外边缘外部的所述线圈的一些部分重叠；(ii)不与所述气体充气室主体的所述外边缘外部的所述线圈的其它部分重叠。所述衬底处理系统包括所述气体充气室装置。
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公开(公告)号：CN102577631A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080043983.7
申请日：2010-10-19
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 龙茂林 , 赛义德·贾法·雅法良-特哈妮 , 亚瑟·萨托 , 尼尔·马丁·保罗·本杰明 , 诺曼·威廉姆斯
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065 , H03H7/40
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/32174 , H01J37/32935
摘要： 用于产生等离子体以处理至少晶片的等离子体处理系统。所述等离子体处理系统包括线圈，用以传导用于保持等离子体的至少一部分的电流。所述等离子体处理系统还包括与所述线圈耦合的传感器，用以测量所供应的电流的强度以提供强度测量结果，而无需测量所供应的电流的任何相位角。所述所供应的电流是所述电流或用于提供多个电流(例如，包括所述电流)的总电流。所述等离子体处理系统还包括与所述传感器耦合的控制器，用以利用所述强度测量结果和/或用所述强度测量结果得出的信息而无需利用与相位角测量有关的信息来产生命令，并且用以提供所述命令以控制所述所供应的电流的强度和/或所述总电流的强度。
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公开(公告)号：CN103996593A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410053976.5
申请日：2014-02-18
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01J37/09
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32009 , H01J37/32082 , H01J37/32642 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/76898
摘要： 本发明涉及一种用于等离子体晶片处理的混合边缘环，具体公开了一种在等离子体处理室中使用的边缘环组件，所述边缘环组件包括：射频导电环，其被定位在底板的环形表面上，并被配置为包围所述底板的上部，且在被定位在所述底板的上表面上的晶片的外缘下面延伸；以及晶片边缘保护环，其被定位在所述射频导电环的上表面的上方并且被配置为在所述晶片的外缘上延伸。所述保护环具有：厚度均匀的内缘部分，所述内缘部分在所述晶片的外缘上延伸；从所述内缘部分向外延伸到水平上表面的圆锥形上表面；以及内环槽，所述内环槽被定位在所述射频导电环的上表面上并且被配置为在所述晶片的外缘上延伸。
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公开(公告)号：CN110060914A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910120027.7
申请日：2015-02-16
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及衬底处理系统和用于衬底处理系统的气体充气室装置。所述气体充气室装置包括：气体充气室主体，其具有内开口和外边缘，其中：所述气体充气室主体布置成在线圈和处理室之间限定气体充气室，并且所述线圈布置在所述气体充气室主体的所述外边缘的周围和外部；以及多个通量衰减部分，其中：所述多个通量衰减部分布置在所述气体充气室主体的所述外边缘的外部，并且所述通量衰减部分(i)与所述气体充气室主体的所述外边缘外部的所述线圈的一些部分重叠；(ii)不与所述气体充气室主体的所述外边缘外部的所述线圈的其它部分重叠。所述衬底处理系统包括所述气体充气室装置。
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公开(公告)号：CN103996593B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410053976.5
申请日：2014-02-18
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01J37/09
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32009 , H01J37/32082 , H01J37/32642 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/76898
摘要： 本发明涉及一种用于等离子体晶片处理的混合边缘环，具体公开了一种在等离子体处理室中使用的边缘环组件，所述边缘环组件包括：射频导电环，其被定位在底板的环形表面上，并被配置为包围所述底板的上部，且在被定位在所述底板的上表面上的晶片的外缘下面延伸；以及晶片边缘保护环，其被定位在所述射频导电环的上表面的上方并且被配置为在所述晶片的外缘上延伸。所述保护环具有：厚度均匀的内缘部分，所述内缘部分在所述晶片的外缘上延伸；从所述内缘部分向外延伸到水平上表面的圆锥形上表面；以及内环槽，所述内环槽被定位在所述射频导电环的上表面上并且被配置为在所述晶片的外缘上延伸。
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公开(公告)号：CN104051215B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201410097999.6
申请日：2014-03-17
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 约翰·C·小瓦尔考 , 布拉德福德·J·林达克 , 亚瑟·萨托
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32926 , G01R31/40 , H01J37/32917 , H01J37/3299
摘要： 本发明描述了确定等离子体系统中的故障装置，具体涉及用于确定在等离子体系统中的故障装置的系统和方法。方法中的一种包括接收等离子体系统的等离子体室中是否产生等离子体的指示。所述等离子体系统包括处理部分和功率传输部分。该方法还包括响应于接收到产生所述等离子体的指示判定等离子体系统是否在限制范围内操作，在所述处理部分从所述功率传输部分解耦时，确定在功率传输部分的输出处的变量的值，以及将所确定的值与所述变量的预记录值进行比较。该方法包括判定所确定的值是否在所述预记录值的范围之外，并在判定所确定的值在所述预记录值的所述范围之外时，确定所述功率传输部分内的故障装置。
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公开(公告)号：CN104051215A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410097999.6
申请日：2014-03-17
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 约翰·C·小瓦尔考 , 布拉德福德·J·林达克 , 亚瑟·萨托
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32926 , G01R31/40 , H01J37/32917 , H01J37/3299
摘要： 本发明描述了确定等离子体系统中的故障装置，具体涉及用于确定在等离子体系统中的故障装置的系统和方法。方法中的一种包括接收等离子体系统的等离子体室中是否产生等离子体的指示。所述等离子体系统包括处理部分和功率传输部分。该方法还包括响应于接收到产生所述等离子体的指示判定等离子体系统是否在限制范围内操作，在所述处理部分从所述功率传输部分解耦时，确定在功率传输部分的输出处的变量的值，以及将所确定的值与所述变量的预记录值进行比较。该方法包括判定所确定的值是否在所述预记录值的范围之外，并在判定所确定的值在所述预记录值的所述范围之外时，确定所述功率传输部分内的故障装置。
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公开(公告)号：CN104851793B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201510084901.8
申请日：2015-02-16
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/306
摘要： 本发明涉及用于改善晶片蚀刻不均匀性的系统和方法。衬底处理系统包括处理室，处理室包括介电窗和用于在处理期间支撑衬底的底座。气体供给系统向所述处理室供给气体。线圈邻近所述介电窗布置在所述处理室外侧。射频(RF)源供给RF信号至所述线圈以在所述处理室内产生射频等离子体。N个通量衰减区段布置成与所述线圈相邻的间隔开的模式，其中，N是大于1的整数。
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