知搜-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

29 条记录 (耗时 0.043 秒)

    包括法拉第笼的静电卡盘和相关的操作、监控和控制方法
    2.
    发明授权
    包括法拉第笼的静电卡盘和相关的操作、监控和控制方法 有权

    公开(公告)号：CN108074791B

    公开(公告)日：2019-11-29

    申请号：CN201710975318.5

    申请日：2017-10-16

    申请人： 朗姆研究公司

    发明人： 尼尔·马丁·保罗·本杰明 ,  亨利·波沃尼 ,  安东尼·J·里奇

    IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/683

    摘要： 本发明涉及包括法拉第笼的静电卡盘和相关的操作、监控和控制方法。将陶瓷组件附接到具有碗形状的下支撑结构。陶瓷组件具有构造成支撑衬底的顶表面。至少一个夹持电极位于陶瓷组件的上部区域内。主射频(RF)功率输送电极位于陶瓷组件内在至少一个夹持电极的竖直下方的位置处，使得陶瓷组件的在主RF功率输送电极与至少一个夹持电极之间的区域基本上没有其他导电材料。多个RF功率输送连接模块以基本均匀的方式围绕陶瓷组件的周边分布。RF功率输送连接模块中的每一个被配置为在其相应位置处形成从下支撑结构到主RF功率输送电极的电连接件。

    等离子体处理室中的同步且缩短的主从式射频脉冲
    4.
    发明公开
    等离子体处理室中的同步且缩短的主从式射频脉冲 有权

    公开(公告)号：CN103814155A

    公开(公告)日：2014-05-21

    申请号：CN201280033591.1

    申请日：2012-07-06

    申请人： 朗姆研究公司

    发明人： 尼尔·马丁·保罗·本杰明 ,  亚瑟·H·萨托

    IPC分类号： C23C16/00

    CPC分类号： H01J37/32082 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32935

    摘要： 用于处理衬底的等离子体处理装置和技术，其包括对第一RF信号和延时且缩短的第二RF信号的同步RF脉冲的使用。第一RF信号可以是主等离子体产生RF信号而第二RF信号可以是RF偏置信号，反之亦然。作为选择地或另外地，第一RF信号可以是高频RF信号而第二RF信号可以是低频RF信号。第一RF信号或者第二RF信号可作为主信号，同时另一个作为从信号。作为选择地，可采用外部电路作为主器件来控制第一RF信号和第二RF信号二者。跟踪和保持技术和电路被提供来确保用于工艺控制和其它目的的精确测量。

    等离子体处理室中的同步且缩短的主从式射频脉冲
    7.
    发明授权
    等离子体处理室中的同步且缩短的主从式射频脉冲 有权

    公开(公告)号：CN103814155B

    公开(公告)日：2016-05-18

    申请号：CN201280033591.1

    申请日：2012-07-06

    申请人： 朗姆研究公司

    发明人： 尼尔·马丁·保罗·本杰明 ,  亚瑟·H·萨托

    IPC分类号： C23C16/00

    CPC分类号： H01J37/32082 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32935

    摘要： 用于处理衬底的等离子体处理装置和技术，其包括对第一RF信号和延时且缩短的第二RF信号的同步RF脉冲的使用。第一RF信号可以是主等离子体产生RF信号而第二RF信号可以是RF偏置信号，反之亦然。作为选择地或另外地，第一RF信号可以是高频RF信号而第二RF信号可以是低频RF信号。第一RF信号或者第二RF信号可作为主信号，同时另一个作为从信号。作为选择地，可采用外部电路作为主器件来控制第一RF信号和第二RF信号二者。跟踪和保持技术和电路被提供来确保用于工艺控制和其它目的的精确测量。

    等离子体处理系统中的电流控制
    8.
    发明授权
    等离子体处理系统中的电流控制 有权

    公开(公告)号：CN102577631B

    公开(公告)日：2015-08-12

    申请号：CN201080043983.7

    申请日：2010-10-19

    申请人： 朗姆研究公司

    发明人： 龙茂林 ,  赛义德·贾法·雅法良-特哈妮 ,  亚瑟·萨托 ,  尼尔·马丁·保罗·本杰明 ,  诺曼·威廉姆斯

    IPC分类号： H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H03H7/40

    CPC分类号： H01J37/321 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32935

    摘要： 用于产生等离子体以处理至少晶片的等离子体处理系统。所述等离子体处理系统包括线圈，用以传导用于保持等离子体的至少一部分的电流。所述等离子体处理系统还包括与所述线圈耦合的传感器，用以测量所供应的电流的强度以提供强度测量结果，而无需测量所供应的电流的任何相位角。所述所供应的电流是所述电流或用于提供多个电流(例如，包括所述电流)的总电流。所述等离子体处理系统还包括与所述传感器耦合的控制器，用以利用所述强度测量结果和/或用所述强度测量结果得出的信息而无需利用与相位角测量有关的信息来产生命令，并且用以提供所述命令以控制所述所供应的电流的强度和/或所述总电流的强度。

    用于等离子体处理工具原位工艺监控和控制的方法和装置
    9.
    发明公开
    用于等离子体处理工具原位工艺监控和控制的方法和装置 有权

    公开(公告)号：CN102473631A

    公开(公告)日：2012-05-23

    申请号：CN201080029444.8

    申请日：2010-06-29

    申请人： 朗姆研究公司

    发明人： 维甲压库马尔·C·凡尼高泊 ,  尼尔·马丁·保罗·本杰明

    IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/00

    CPC分类号： H01J37/3299 ,  H01J37/32935

    摘要： 本发明提供了用于在方案的执行过程中实施自动的原位工艺控制模式的装置。所述装置包括被配置为至少在方案执行过程中收集传感器数据的第一集合以便于监控设定点的控制环路传感器，其中所述控制环路传感器是工艺控制环路的一部分。所述装置也包括被配置为至少收集传感器数据的第二集合的独立传感器，所述独立传感器不是工艺控制环路的一部分。所述装置还包括被配置为至少接收传感器数据的第一集合和传感器数据的第二集合中的至少一者的中心。所述装置还进一步包括与所述中心可通信地耦合的分析计算机，且所述分析计算机被配置为对传感器数据的第一集合和传感器数据的第二集合中的至少一者执行分析。