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公开(公告)号：CN103149844B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201310097447.0
申请日：2013-03-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G05B13/04
Abstract: 继电器批次产品吸合电压一致性控制方法，本发明涉及继电器批次产品吸合电压一致性控制方法。本发明是要解决继电器产品研发过程中缺乏一致性控制方法指导研发人员对可控参数分配合理的容差，进而导致制造过程中批次产品一致性差的问题，而提出了继电器批次产品吸合电压一致性控制方法。一、正交试验设计；二、试验数据贡献率分析；三、建立容差分配目标函数；四、确定关键参数及其容差；五、继电器制造过程控制。本发明应用于继电器研发阶段的一致性控制领域。
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公开(公告)号：CN102621488B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201210112645.5
申请日：2012-04-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/327
Abstract: 航天电磁继电器的贮存性能测试系统及测试方法，属于电磁继电器性能测试技术领域。它解决了现有航天电磁继电器测试仪不能实时检测航天电磁继电器在加速退化过程中性能参数的问题。它包括恒温箱、测继电器切换电路、接触电阻测试仪、时间参数测试仪、下位机和上位机，待测继电器切换电路由多个切换单元组成；测试方法为下位机根据上位机的控制指令，控制每个恒温箱达到预设定的温度和湿度，然后停止控制温度和湿度，测电磁继电器逐一与接触电阻测试仪和时间参数测试仪连接，通过时间参数测试仪控制待测电磁继电器动作，同时采集相关参数，并通过接触电阻测试仪采集该待测电磁继电器的开关的接触电阻。本发明用于测试航天电磁继电器的贮存性能。
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公开(公告)号：CN103699763A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201410024894.8
申请日：2014-01-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 基于最小二乘拟合的开关电源健康状态评估方法，属于开关电源的健康状态评估技术领域。本发明为了解决现有开关电源健康状态评估方法中存在数据采集困难及评估结果可靠性差的问题。它首先建立开关电源仿真模型，确定影响开关电源输出特性的关键应力因素，及关键应力因素的波动范围；再确定开关电源的关键元器件，并建立各关键元器件的退化模型；通过修改参数的方法，依次对各关键元器件的退化模型进行定量的退化注入；然后构建开关电源的输出特征参数退化模型；采集开关电源的各关键应力因素值及输出特征参数值，根据开关电源的输出特征参数退化模型，获得开关电源的健康状态评估结果。本发明用于开关电源健康状态评估。
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公开(公告)号：CN103218502A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310177866.5
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 基于蒙特卡洛模拟的接触器释放电压合格率预测方法，属于接触器检测技术领域。本发明解决了现有接触器设计过程中对释放电压参数进行检验的方法存在的需要加工制作样品导致设计和测试成本高和设计周期长的问题。本发明根据接触器设计文件确定对释放电压有影响的三种参数设计值及上下限、采用独立同分布的中心极限定理利用MATLAB产生N组参数组合；然后根据该N组参数组合获得N组释放电压特性参数；进而获得释放电压参数的分布特性；最后根据该分布特性和接触器的释放电压设计参数利用Simpson法则获得接触器释放电压合格率。本发明适用于在接触器的设计环节对接触器释放电压的合格率进行预测分析，进而为接触器的设计者提供修正设计参数的依据。
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公开(公告)号：CN103065878A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210570266.0
申请日：2012-12-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01H51/01
Abstract: 永磁螺管式接触器，属于输配电设备的大功率电器领域，涉及一种永磁接触器。本发明解决了现有直流螺管式接触器闭合回跳和线圈的耗能大的问题。圆筒形铁芯位于外壳内部，且所述圆筒形铁芯与外壳同轴，圆环形永磁体设置在外壳的底部和圆筒形铁芯的上端面之间，且所述圆环形永磁体与外壳的底部和圆筒形铁芯的上端面均紧密接触，圆环形永磁体沿圆筒形铁芯的轴向充磁，励磁线圈位于外壳与圆筒形铁芯的径向间隙内，衔铁嵌入在圆筒形铁芯的腔体内，连杆的一端与衔铁固定连接，且连杆与壳体同轴，反力弹簧套在连杆上、且位于衔铁和轭铁之间，连杆的外部还套有回跳弹簧，所述回跳弹簧位于桥式触头和连杆之间。本发明适用于直流螺管式接触器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102788709A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210281836.4
申请日：2012-08-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01M99/00
Abstract: 星载电子设备多余物自动检测装置及检测方法，属于星载电子设备内部活动多余物的检测技术领域。它包括检测工控机，它还包括数据采集卡、风冷式振动系统、多个隔音器、卡具、卡具振动加速度传感器、加速度信号调理电路、被测星载电子设备、声音传感器组和声音信号调理电路；它通过数据采集卡把被测多余物的声音信号采集至检测工控机处理，检测工控机实时显示多余物声音信号并可进行回放、储存，同时检测工控机在内部进行数据处理后，直接输出是否存在多余物的判别结果。本发明适用于星载电子设备多余物的检测。
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公开(公告)号：CN101815428B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010145561.2
申请日：2010-04-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开一种励磁系统霍尔传感器的电磁干扰源及其安装面的确定方法，包括以下步骤：在励磁系统正常工作即干扰源存在的情况下，连接霍尔传感器信号线，但不固定到安装位置上，将霍尔传感器以多种放置位置接近干扰母线排，分别在上述不同位置情况下进行试验测试，并记录霍尔传感器检测到的干扰电流数值；比较对应上述放置位置情况的干扰电流数值，找到最大的干扰电流数值，则在该最大的干扰电流数值所对应的放置位置下，靠近干扰母线排的一侧即为霍尔传感器受干扰敏感部位，该部位应该远离干扰源；调整线路，重新安装霍尔传感器至合理安装位置，使霍尔传感器受干扰敏感部位远离干扰源。该方法能够快速有效地查找干扰源，提高屏蔽设计效率。
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公开(公告)号：CN101706477B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200910073193.2
申请日：2009-11-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N29/04
Abstract: 本发明提供一种无需使用声耦合剂、无需配备复杂的机械结构和盛装耦合剂的容器、检测装置结构简单、对缺陷大小量化精度高的一种基于电磁超声斜入射体波的检测装置及方法。它是由电磁超声探头阵列和电磁超声探伤仪组成的，电磁超声探头阵列通过屏蔽线连接电磁超声探伤仪。本发明通过电磁超声斜入射体波检测车轮轮箍缺陷，可以实现车轮轮箍缺陷高效、高速的检测。本发明使用电磁超声技术实现车轮轮箍缺陷检测，无需配备复杂的机械结构和盛装耦合剂的容器，使用一个发射接收探头和一个接收探头对车轮轮箍缺陷进行检测，通过端面反射波和缺陷反射波双重检测，对缺陷大小进行量化的精度高。本发明可以实现对车轮轮箍缺陷的在线检测。
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公开(公告)号：CN102435672A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110259950.2
申请日：2011-09-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N29/04
Abstract: 一种检测台及利用这种检测台的航天电子设备多余物自动检测装置及检测方法，涉及多余物检测领域。它解决了现有的应用于航天电子设备多余物自动检测过程中的检测台所采用的多余物激活方式为机械撞击，导致检测台的使用寿命低进而导致检测安全性能，以及由于机械冲击导致的机械噪声大进而导致航天电子设备多余物检测精度的问题。本发明中检测台的多余物的激活方式采用制动单元进行，相比于现在的机械式激活方式，本发明的检测台的使用寿命高，从而保证良好的检测安全性能，同时，本发明的多余物检测装置及检测方法采用减速机驱动转台，采用隔音器消除机械噪声，大幅度提高了多余物检测精度。本发明还具有多余物材质识别能力。本发明适用于多余物检测。
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公开(公告)号：CN102393501A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110311567.7
申请日：2011-10-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种MOSFET可靠性测试分析系统及方法，属于测量及分析技术领域。为了解决过去没有采用在模拟恶劣环境下进行加速退化寿命试验来实时连续检测MOSFET可靠性的方法。MOSFET可靠性测试分析系统包括：MOSFET退化实验环境模拟箱、MOSFET静态参数测试仪、下位机、上位机和PC机。静态参数测试仪测量退化实验环境模拟箱中MOSFET的阈值电压、跨导和沟道电阻。方法是首先将MOSFET置于退化实验环境模拟箱中，上位机中设置加速寿命实验所需的温度和湿度，预定测试次数，上位机将采集数据进行计算、储存和分析。用于评估MOSFET的可靠性。
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