公开(公告)号：CN103226629A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201310097322.8

申请日：2013-03-25

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 翟国富 ,  叶雪荣 ,  蒙航 ,  赵韩 ,  刘高锋 ,  肖斌 ,  蔡昭文 ,  梁慧敏

IPC: G06F17/50

Abstract: 继电器批次产品吸合时间一致性控制方法，本发明涉及继电器批次产品吸合时间一致性控制方法。本发明是要解决继电器产品研发过程中缺乏一致性控制方法指导研发人员对可控参数分配合理的容差，进而导致制造过程中批次产品一致性差的问题，而提出了继电器批次产品吸合时间一致性控制方法。一、正交试验设计；二、试验数据贡献率分析；三、建立容差分配目标函数；四、确定关键参数及其容差；五、继电器制造过程控制。本发明应用于继电器研发阶段的一致性控制领域。

公开(公告)号：CN102393501A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201110311567.7

申请日：2011-10-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 翟国富 ,  陈世杰 ,  叶雪荣 ,  韩笑 ,  李求洋 ,  李岱霖 ,  胡汇达 ,  苏博男 ,  蒙航 ,  薛升俊 ,  马跃 ,  谭榕容 ,  邵雪瑾 ,  李享 ,  周月阁

IPC: G01R31/26

Abstract: 一种MOSFET可靠性测试分析系统及方法，属于测量及分析技术领域。为了解决过去没有采用在模拟恶劣环境下进行加速退化寿命试验来实时连续检测MOSFET可靠性的方法。MOSFET可靠性测试分析系统包括：MOSFET退化实验环境模拟箱、MOSFET静态参数测试仪、下位机、上位机和PC机。静态参数测试仪测量退化实验环境模拟箱中MOSFET的阈值电压、跨导和沟道电阻。方法是首先将MOSFET置于退化实验环境模拟箱中，上位机中设置加速寿命实验所需的温度和湿度，预定测试次数，上位机将采集数据进行计算、储存和分析。用于评估MOSFET的可靠性。

公开(公告)号：CN102393501B

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201110311567.7

申请日：2011-10-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 翟国富 ,  陈世杰 ,  叶雪荣 ,  韩笑 ,  李求洋 ,  李岱霖 ,  胡汇达 ,  苏博男 ,  蒙航 ,  薛升俊 ,  马跃 ,  谭榕容 ,  邵雪瑾 ,  李享 ,  周月阁

IPC: G01R31/26

Abstract: 一种MOSFET可靠性测试分析系统的MOSFET静态参数测试方法，属于测量及分析技术领域。为了解决过去没有采用在模拟恶劣环境下进行加速退化寿命试验来实时连续检测MOSFET可靠性的方法。MOSFET可靠性测试分析系统包括：MOSFET退化实验环境模拟箱、MOSFET静态参数测试仪、下位机、上位机和PC机。静态参数测试仪测量退化实验环境模拟箱中MOSFET的阈值电压、跨导和沟道电阻。方法是首先将MOSFET置于退化实验环境模拟箱中，上位机中设置加速寿命实验所需的温度和湿度，预定测试次数，上位机将采集数据进行计算、储存和分析。用于评估MOSFET的可靠性。

公开(公告)号：CN201857176U

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN201020104406.1

申请日：2010-02-01

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 战威 ,  王政邦 ,  刘强 ,  蒙航

IPC: B66B1/52 ,  B66B3/00

Abstract: 本实用新型是一种电梯呼唤显示一体盒属于电梯部件制造。电梯呼唤显示一体盒由单片机控制单元、人体检测单元、上下行方向显示灯、上下行呼唤按钮及其应答灯、楼层显示灯组成。上下行方向显示灯、楼层显示灯的高电平端与单机控制单元输入端连接。本实用新型可使有人呼唤电梯请求离开后，呼唤请求自动清除，提高电梯运动效率。