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公开(公告)号:CN102393501B
公开(公告)日:2013-11-13
申请号:CN201110311567.7
申请日:2011-10-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种MOSFET可靠性测试分析系统的MOSFET静态参数测试方法,属于测量及分析技术领域。为了解决过去没有采用在模拟恶劣环境下进行加速退化寿命试验来实时连续检测MOSFET可靠性的方法。MOSFET可靠性测试分析系统包括:MOSFET退化实验环境模拟箱、MOSFET静态参数测试仪、下位机、上位机和PC机。静态参数测试仪测量退化实验环境模拟箱中MOSFET的阈值电压、跨导和沟道电阻。方法是首先将MOSFET置于退化实验环境模拟箱中,上位机中设置加速寿命实验所需的温度和湿度,预定测试次数,上位机将采集数据进行计算、储存和分析。用于评估MOSFET的可靠性。
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公开(公告)号:CN102621488B
公开(公告)日:2014-07-09
申请号:CN201210112645.5
申请日:2012-04-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/327
Abstract: 航天电磁继电器的贮存性能测试系统及测试方法,属于电磁继电器性能测试技术领域。它解决了现有航天电磁继电器测试仪不能实时检测航天电磁继电器在加速退化过程中性能参数的问题。它包括恒温箱、测继电器切换电路、接触电阻测试仪、时间参数测试仪、下位机和上位机,待测继电器切换电路由多个切换单元组成;测试方法为下位机根据上位机的控制指令,控制每个恒温箱达到预设定的温度和湿度,然后停止控制温度和湿度,测电磁继电器逐一与接触电阻测试仪和时间参数测试仪连接,通过时间参数测试仪控制待测电磁继电器动作,同时采集相关参数,并通过接触电阻测试仪采集该待测电磁继电器的开关的接触电阻。本发明用于测试航天电磁继电器的贮存性能。
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公开(公告)号:CN102393501A
公开(公告)日:2012-03-28
申请号:CN201110311567.7
申请日:2011-10-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种MOSFET可靠性测试分析系统及方法,属于测量及分析技术领域。为了解决过去没有采用在模拟恶劣环境下进行加速退化寿命试验来实时连续检测MOSFET可靠性的方法。MOSFET可靠性测试分析系统包括:MOSFET退化实验环境模拟箱、MOSFET静态参数测试仪、下位机、上位机和PC机。静态参数测试仪测量退化实验环境模拟箱中MOSFET的阈值电压、跨导和沟道电阻。方法是首先将MOSFET置于退化实验环境模拟箱中,上位机中设置加速寿命实验所需的温度和湿度,预定测试次数,上位机将采集数据进行计算、储存和分析。用于评估MOSFET的可靠性。
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公开(公告)号:CN102621488A
公开(公告)日:2012-08-01
申请号:CN201210112645.5
申请日:2012-04-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/327
Abstract: 航天电磁继电器的贮存性能测试系统及测试方法,属于电磁继电器性能测试技术领域。它解决了现有航天电磁继电器测试仪不能实时检测航天电磁继电器在加速退化过程中性能参数的问题。它包括恒温箱、测继电器切换电路、接触电阻测试仪、时间参数测试仪、下位机和上位机,待测继电器切换电路由多个切换单元组成;测试方法为下位机根据上位机的控制指令,控制每个恒温箱达到预设定的温度和湿度,然后停止控制温度和湿度,测电磁继电器逐一与接触电阻测试仪和时间参数测试仪连接,通过时间参数测试仪控制待测电磁继电器动作,同时采集相关参数,并通过接触电阻测试仪采集该待测电磁继电器的开关的接触电阻。本发明用于测试航天电磁继电器的贮存性能。
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公开(公告)号:CN106684726A
公开(公告)日:2017-05-17
申请号:CN201611020458.9
申请日:2016-11-21
IPC: H02B1/54
CPC classification number: H02B1/54
Abstract: 本发明提供了一种用于电气设备的非线性隔震装置。该装置包括:第一框体、置于第一框体内的第二框体、第一弹性连接件、第二弹性连接件;第二框体与第一框体沿第一方向可滑动连接;电气设备与第二框体沿第二方向可滑动连接,第二方向与第一方向呈预设角度;第一弹性连接件置于第一框体和第二框体之间,且两端分别与第一框体和第二框体铰接;第一弹性连接件约束第二框体沿第一方向的位移;第二弹性连接件置于第二框体内且两端分别与第一框体和电气设备相连接,第二弹性连接件约束电气设备沿第二方向的位移。本发明中的隔震装置,具备准零刚度特性,降低了共振频率,提高了隔震效果,并降低了电气设备受损的概率。
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