公开(公告)号：CN102393501B

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201110311567.7

申请日：2011-10-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 翟国富 ,  陈世杰 ,  叶雪荣 ,  韩笑 ,  李求洋 ,  李岱霖 ,  胡汇达 ,  苏博男 ,  蒙航 ,  薛升俊 ,  马跃 ,  谭榕容 ,  邵雪瑾 ,  李享 ,  周月阁

IPC: G01R31/26

Abstract: 一种MOSFET可靠性测试分析系统的MOSFET静态参数测试方法，属于测量及分析技术领域。为了解决过去没有采用在模拟恶劣环境下进行加速退化寿命试验来实时连续检测MOSFET可靠性的方法。MOSFET可靠性测试分析系统包括：MOSFET退化实验环境模拟箱、MOSFET静态参数测试仪、下位机、上位机和PC机。静态参数测试仪测量退化实验环境模拟箱中MOSFET的阈值电压、跨导和沟道电阻。方法是首先将MOSFET置于退化实验环境模拟箱中，上位机中设置加速寿命实验所需的温度和湿度，预定测试次数，上位机将采集数据进行计算、储存和分析。用于评估MOSFET的可靠性。

公开(公告)号：CN103149442A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310050544.4

申请日：2013-02-08

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 任万滨 ,  陈宇 ,  梁慧敏 ,  薛升俊 ,  崔黎

IPC: G01R27/08

Abstract: 电触头材料接触电阻自动测试装置，涉及电触头材料接触电阻测试装置。它为解决目前没有可自动控制接触压力、支持多触头连续测量的电触头材料接触电阻测试装置。纵向和横向滑台均设置在机座的上表面上；纵向滑台通过横向与纵向滑台连接件与横向滑台相连；横向与纵向滑台连接件的上端固定设置有竖直滑台；竖直滑台上固定设置有压力传感器；压力传感器连接件的两端分别与弹性元件和压力传感器相连；探针通过探针夹具装设在探针夹具连接件上；多触头夹具体固定设置在纵向滑台的上表面上；待测电触头固定装设在多触头夹具体上；它实现了对触头接触力的自动控制和对多个触头的接触电阻的连续测量，具有测量准确、操作方便，效率高的优点。

公开(公告)号：CN103149442B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201310050544.4

申请日：2013-02-08

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 任万滨 ,  陈宇 ,  梁慧敏 ,  薛升俊 ,  崔黎

IPC: G01R27/08

Abstract: 电触头材料接触电阻自动测试装置，涉及电触头材料接触电阻测试装置。它为解决目前没有可自动控制接触压力、支持多触头连续测量的电触头材料接触电阻测试装置。纵向和横向滑台均设置在机座的上表面上；纵向滑台通过横向与纵向滑台连接件与横向滑台相连；横向与纵向滑台连接件的上端固定设置有竖直滑台；竖直滑台上固定设置有压力传感器；压力传感器连接件的两端分别与弹性元件和压力传感器相连；探针通过探针夹具装设在探针夹具连接件上；多触头夹具体固定设置在纵向滑台的上表面上；待测电触头固定装设在多触头夹具体上；它实现了对触头接触力的自动控制和对多个触头的接触电阻的连续测量，具有测量准确、操作方便，效率高的优点。

公开(公告)号：CN102841260B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201210358545.0

申请日：2012-09-24

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 任万滨 ,  薛升俊 ,  吕辛 ,  陈宇 ,  郑艳明

IPC: G01R27/14

Abstract: 直流微电阻测量系统，涉及直流微电阻测量系统，属于测量技术领域。本发明解决了现有采用直流、交流法和脉冲法测量接触电阻存在的由于放大器的量程和温漂误差影响测量精度的问题。本发明采用恒流源为串联连接的待测接触对和标准检流电阻提供激励电流；标准检流电阻对地的电压信号经电压跟随器实现采集；控制电路中嵌入有用于测量待测接触对的端电压的端电压测量模块、根据标准检流电阻的电压获得电流值的电流测量模块和计算被测接触对的接触电阻的电阻计算模块。本发明采用软件和硬件相结合的方式实现电阻的测量，有效的避免了放大器的量程即温漂对测量精度的影响，可广泛应用于微电阻的测量技术领域。

公开(公告)号：CN102841260A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201210358545.0

申请日：2012-09-24

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 任万滨 ,  薛升俊 ,  吕辛 ,  陈宇 ,  郑艳明

IPC: G01R27/14

Abstract: 直流微电阻测量系统，涉及直流微电阻测量系统，属于测量技术领域。本发明解决了现有采用直流、交流法和脉冲法测量接触电阻存在的由于放大器的量程和温漂误差影响测量精度的问题。本发明采用恒流源为串联连接的待测接触对和标准检流电阻提供激励电流；标准检流电阻对地的电压信号经电压跟随器实现采集；控制电路中嵌入有用于测量待测接触对的端电压的端电压测量模块、根据标准检流电阻的电压获得电流值的电流测量模块和计算被测接触对的接触电阻的电阻计算模块。本发明采用软件和硬件相结合的方式实现电阻的测量，有效的避免了放大器的量程即温漂对测量精度的影响，可广泛应用于微电阻的测量技术领域。

公开(公告)号：CN102393501A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201110311567.7

申请日：2011-10-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 翟国富 ,  陈世杰 ,  叶雪荣 ,  韩笑 ,  李求洋 ,  李岱霖 ,  胡汇达 ,  苏博男 ,  蒙航 ,  薛升俊 ,  马跃 ,  谭榕容 ,  邵雪瑾 ,  李享 ,  周月阁

IPC: G01R31/26

Abstract: 一种MOSFET可靠性测试分析系统及方法，属于测量及分析技术领域。为了解决过去没有采用在模拟恶劣环境下进行加速退化寿命试验来实时连续检测MOSFET可靠性的方法。MOSFET可靠性测试分析系统包括：MOSFET退化实验环境模拟箱、MOSFET静态参数测试仪、下位机、上位机和PC机。静态参数测试仪测量退化实验环境模拟箱中MOSFET的阈值电压、跨导和沟道电阻。方法是首先将MOSFET置于退化实验环境模拟箱中，上位机中设置加速寿命实验所需的温度和湿度，预定测试次数，上位机将采集数据进行计算、储存和分析。用于评估MOSFET的可靠性。