公开(公告)号：CN103116134A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201310049645.X

申请日：2013-02-07

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 翟国富 ,  叶雪荣 ,  谭榕容 ,  赵薇 ,  胡汇达 ,  周月阁 ,  宛然 ,  李岱霖 ,  王瑛琪 ,  陈岑

IPC: G01R31/34 ,  G06F19/00

Abstract: 双余度舵机剩余寿命预测装置及实现双余度舵机剩余寿命的预测方法，涉及直升机用双余度舵机剩余寿命预测装置及实现双余度舵机剩余寿命的预测方法。它为解决目前对应用于航空领域的小型电机剩余寿命的预测精度低的问题。舵机驱动控制器设置有舵机调速信号接口和电流信号接口；信号采集单元的舵机敏感状态信号输出端连接上位机的舵机敏感状态信号输入端；上位机接收并存储舵机敏感状态信号，预测方法：一、预先设置参数；二、舵机驱动控制器控制舵机；三、在信号采集单元采集数据发送给上位机；四、上位机存储；五、数据融合，得到状态特征曲线：得到舵机电枢电流脉动频率的初值，六、得到剩余使用寿命。它适用于舵机剩余寿命的预测。

公开(公告)号：CN103116134B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201310049645.X

申请日：2013-02-07

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 翟国富 ,  叶雪荣 ,  谭榕容 ,  赵薇 ,  胡汇达 ,  周月阁 ,  宛然 ,  李岱霖 ,  王瑛琪 ,  陈岑

IPC: G01R31/34 ,  G06F19/00

Abstract: 双余度舵机剩余寿命预测装置及实现双余度舵机剩余寿命的预测方法，涉及直升机用双余度舵机剩余寿命预测装置及实现双余度舵机剩余寿命的预测方法。它为解决目前对应用于航空领域的小型电机剩余寿命的预测精度低的问题。舵机驱动控制器设置有舵机调速信号接口和电流信号接口；信号采集单元的舵机敏感状态信号输出端连接上位机的舵机敏感状态信号输入端；上位机接收并存储舵机敏感状态信号，预测方法：一、预先设置参数；二、舵机驱动控制器控制舵机；三、在信号采集单元采集数据发送给上位机；四、上位机存储；五、数据融合，得到状态特征曲线：得到舵机电枢电流脉动频率的初值，六、得到剩余使用寿命。它适用于舵机剩余寿命的预测。

公开(公告)号：CN102393501A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201110311567.7

申请日：2011-10-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 翟国富 ,  陈世杰 ,  叶雪荣 ,  韩笑 ,  李求洋 ,  李岱霖 ,  胡汇达 ,  苏博男 ,  蒙航 ,  薛升俊 ,  马跃 ,  谭榕容 ,  邵雪瑾 ,  李享 ,  周月阁

IPC: G01R31/26

Abstract: 一种MOSFET可靠性测试分析系统及方法，属于测量及分析技术领域。为了解决过去没有采用在模拟恶劣环境下进行加速退化寿命试验来实时连续检测MOSFET可靠性的方法。MOSFET可靠性测试分析系统包括：MOSFET退化实验环境模拟箱、MOSFET静态参数测试仪、下位机、上位机和PC机。静态参数测试仪测量退化实验环境模拟箱中MOSFET的阈值电压、跨导和沟道电阻。方法是首先将MOSFET置于退化实验环境模拟箱中，上位机中设置加速寿命实验所需的温度和湿度，预定测试次数，上位机将采集数据进行计算、储存和分析。用于评估MOSFET的可靠性。

公开(公告)号：CN102393501B

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201110311567.7

申请日：2011-10-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 翟国富 ,  陈世杰 ,  叶雪荣 ,  韩笑 ,  李求洋 ,  李岱霖 ,  胡汇达 ,  苏博男 ,  蒙航 ,  薛升俊 ,  马跃 ,  谭榕容 ,  邵雪瑾 ,  李享 ,  周月阁

IPC: G01R31/26

Abstract: 一种MOSFET可靠性测试分析系统的MOSFET静态参数测试方法，属于测量及分析技术领域。为了解决过去没有采用在模拟恶劣环境下进行加速退化寿命试验来实时连续检测MOSFET可靠性的方法。MOSFET可靠性测试分析系统包括：MOSFET退化实验环境模拟箱、MOSFET静态参数测试仪、下位机、上位机和PC机。静态参数测试仪测量退化实验环境模拟箱中MOSFET的阈值电压、跨导和沟道电阻。方法是首先将MOSFET置于退化实验环境模拟箱中，上位机中设置加速寿命实验所需的温度和湿度，预定测试次数，上位机将采集数据进行计算、储存和分析。用于评估MOSFET的可靠性。