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公开(公告)号：CN102965614A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210480267.6
申请日：2012-11-23
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种激光薄膜的制备方法，属于薄膜光学技术领域。该方法的步骤为熔石英基板的冷加工、熔石英基板的氢氟酸刻蚀、熔石英基板的超声波清洗、熔石英基板的真空离子束清洗、在熔石英基板上制备薄膜、缺陷后处理。实验证明，采用本发明可以从激光薄膜制备的整个工艺流程上有效控制缺陷的产生，使激光薄膜的缺陷密度下降了一个数量级，将激光薄膜的整体损伤阈值提高3倍，可以与现有的基板加工、清洗及薄膜制备工艺兼容。具有工艺重复性好、可控性强、效果明显等优点，完全可以应用于未来的高功率激光薄膜领域。
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公开(公告)号：CN102175594A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110045915.0
申请日：2011-02-25
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明公开了一种三波长脉冲激光共同作用下损伤阈值测量装置和装调方法，所述测量装置将三波长激光分离，单独进行能量控制和光束汇聚，再经过与分光系统光程匹配的光束耦合系统确保三波长在时间上同步。利用准直激光、两个通光光阑，三波长光束首先进行初步准直；利用在线显微镜监测各个波长激光对感光相纸的损伤信息，通过激光辐照前后图像的对比分析，计算出不同波长在被测样品上产生的损伤点的中心坐标，以此为参考，先后调节各个波长的光斑位置，直至三波长光斑中心重合。
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公开(公告)号：CN119984506A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510459386.0
申请日：2025-04-14
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明具体公开了一种软硬联合优化的片上光谱成像系统集成误差抑制方法，涉及光谱成像技术领域。该误差抑制方法包括：S1、设计编码滤光片的内圈正方形单元结构，使其与探测器像元一一对应，并通过半导体工艺制备滤光片；S2、通过端到端深度学习框架联合优化滤光片结构参数与光谱重构模型，抑制配准误差；S3、采用模拟退火算法优化滤光片排列模式，最小化相邻滤光片光谱差异。本发明提出的一种软硬联合优化的片上光谱成像系统集成误差抑制方法在保证系统紧凑集成的同时，显著降低了配准误差对光谱成像系统的影响，为片上计算光谱成像的高精度应用提供了一种全新的解决方案。
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公开(公告)号：CN119784614A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411580103.X
申请日：2024-11-07
Applicant: 同济大学
IPC: G06T5/60 , G02B17/06 , H04N23/55 , H04N23/54 , H04N23/95 , G06T5/20 , G06T5/73 , G06N3/0464 , G06N3/0455 , G06N3/08
Abstract: 本发明涉及一种基于计算成像驱动加工简化的反射式光学系统，包括反射式光学系统、探测器和图像重建系统，反射式光学系统包括第一自由曲面反射镜、第二偶次非球面反射镜和第三自由曲面反射镜，探测器与反射式光学系统的焦平面重合，图像重建系统包括NPU图像数据处理器，该NPU图像数据处理器运行有图像复原算法模型；入射光依次经过第一自由曲面反射镜、第二偶次非球面反射镜和第三自由曲面反射镜聚焦后入射到探测器上，通过探测器将探测结果传输到图像重建系统中进行处理，输出接近衍射极限像质的图像。与现有技术相比，本发明能够将光学系统加工要求降低至少一个数量级，且具有接近衍射极限像质的成像质量。
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公开(公告)号：CN119619015A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411739957.8
申请日：2024-11-29
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明公开了一种基于椭偏和紫外可见光谱互校准的介质薄膜测试方法，包括以下步骤：首先拟合椭偏光谱获得折射率和消光系数的初值，对比正常消光系数色散模型，确定异常波段；其次拟合透射光谱，截取对应椭偏仪异常波段的透射光谱折射率和消光系数；然后计算加权因子和平移因子，校准透射光谱在异常波段的折射率和消光系数；最后校正异常波段的椭偏光谱，重新拟合获得校准的折射率和消光系数。本发明采用上述的一种基于椭偏和紫外可见光谱互校准的介质薄膜测试方法，应用紫外可见光谱的结果内标特定波段的椭偏光谱，实现折射率和厚度的准确拟合，从而提高了介质薄膜检测精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119197336A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411401655.X
申请日：2024-10-09
Applicant: 同济大学
IPC: G01B11/02
Abstract: 本发明公开了一种基于铬原子跃迁频率的纳米长度计量系统及方法，属于纳米长度计量领域，所述纳米长度计量系统包括物理波长基准和工作标准物质，所述物理波长基准为锁定至铬原子(7S3→7P4)跃迁谱线的425.55nm激光波长，所述工作标准物质为利用原子光刻方法制备的铬自溯源系列光栅，光栅周期均溯源于物理波长基准，所述铬自溯源系列光栅包括一维铬自溯源光栅和二维铬自溯源光栅。本发明采用上述的一种基于铬原子跃迁频率的纳米长度计量系统，利用激光汇聚原子沉积的方式将铬原子跃迁频率这一自然常数物化到铬自溯源光栅上，使光栅具有独立溯源性的同时又具有超高准确性和一致性。
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公开(公告)号：CN119124001A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411278096.8
申请日：2024-09-12
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明公开了一种基于自溯源光栅的外差式精密位移测量系统，属于精密位移测量技术领域。包括单频激光模块、移频模块、外差位移测量模块、自溯源光栅和信号处理模块。单频激光模块产生单频激光，经过移频模块，得到两个频率不同且偏振态互相正交的线偏振光，构成外差光源。外差激光经外差位移测量模块，入射至自溯源光栅上，衍射光沿原光路返回至外差位移测量模块，得到具有位移信息的测量信号与参考信号，最后通过信号处理模块解算出两路信号的相位差并做位移换算。实现一种具有高稳定性与分辨力，且位移量值独立溯源的超精密位移测量系统，兼具外差光栅干涉仪的抗环境干扰能力，有着测量高分辨力，测量结果独立且可靠溯源的优势。
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公开(公告)号：CN118938606A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410993764.9
申请日：2024-07-24
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明公开了一种基于自溯源光栅的电子束直写加工偏差校准修正方法，包括以下步骤:利用原子光刻技术制备标准光栅；获取涂有电子束光刻胶的衬底；生成特定周期的光栅GDS文件，并导入电子束光刻机的电脑，利用电子束光刻技术制备待测光栅；通过信号比对装置对标准光栅和待测光栅的周期信号进行计算和比对测量，得到电子束光刻制备的待测光栅的误差值；通过周期误差值反馈，在版图绘制中修改曝光版图的周期，并利用电子束光刻重新制备新光栅。本发明通过自溯源光栅修正电子束光刻制备光栅的周期误差，具有测量学上周期的自溯源性，可以为电子束光刻技术提供直接的精准标尺，解决了制备过程和传统测量方法带来的误差，减小了电子束光刻技术的误差。
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公开(公告)号：CN118938421A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410983252.4
申请日：2024-07-22
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明公开了一种高能激光内通道的气体热效应控制装置，涉及激光技术领域，设置于内通道上，激光内通道包括依次垂直连接的进光段、转折段、输出段，包括波前探测装置和气体散热装置，波前探测装置包括设置于进光段一端的波前探测器和设置于输出段一端的信号光发射器，气体散热装置包括均匀气流单元、控温流道、气流通道和监测装置，若干气流通道均匀分布于内通道的侧壁上，控温流道设置于内通道的侧壁内，控温流道与气流通道间隔分布，均匀气流单元覆盖在气流通道上。本发明采用上述结构的一种用于高能激光内通道的气体热效应控制装置，能够实时探测内通道气体热效应导致的气体热畸变，均匀稳定控制内通道气体的温度，保证光束传输不变性。
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公开(公告)号：CN117991427B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410284689.9
申请日：2024-03-13
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明公开了一种低损耗、高反射率的193nm薄膜及其制备方法，包括基底、薄膜，所述薄膜设置在所述基底上；膜系结构为Sub/(HL)^n/Air，其中，Sub为薄膜元件基板，Air为出射介质空气，H和L分别为1/4中心波长光学厚度的高折射率材料薄膜层和低折射率材料薄膜层，n为高低折射率材料的膜堆数。本发明采用上述一种低损耗、高反射率的193nm薄膜及其制备方法，能够有效抑制193nm高反射薄膜中的LaF3薄膜的结晶，进而降低反射膜的粗糙度、抑制散射损耗，并提高薄膜的反射率；而且有效提升了电子束蒸发193nm LaF3/AlF3多层高反膜的反射率和成膜质量，同时制作成本低，易于推广，在紫外光刻领域具有广泛的应用前景。
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