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公开(公告)号:CN116288154B
公开(公告)日:2025-05-16
申请号:CN202310306522.3
申请日:2023-03-27
Applicant: 同济大学
IPC: C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/24 , C23C14/22 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B82Y20/00 , C23C14/54 , G02B1/10
Abstract: 本发明涉及薄膜光学技术领域,尤其是涉及一种氧化铪复合薄膜及其制备方法。本发明旨在解决离子束辅助沉积工艺制备的氧化铪薄膜因易结晶、表面空洞缺陷密集而导致的粗糙度较大的问题,以及离子束轰击引起的薄膜吸收较大的问题。本发明在传统制备的纯氧化铪薄膜制备中插入薄层的氧化硅薄膜,将厚层氧化铪拆分隔离为数层纳米薄层,一方面可以有效抑制氧化铪薄膜的结晶,减少薄膜表面的孔洞缺陷,从而降低薄膜粗糙度;另一方面,部分含量氧化硅的引入也会降低氧化铪薄膜的吸收。与现有技术相比,本发明可以有效降低离子束辅助沉积工艺制备氧化铪薄膜表面粗糙度和吸收,同时制作成本低,易于推广,在超高精度激光测量领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN117055238B
公开(公告)日:2025-03-21
申请号:CN202311107446.X
申请日:2023-08-31
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种可调焦高功率激光准直系统,所述激光准直系统包括光纤接头标准转接件、密封支架、过渡支架、移动筒、固定支架、螺纹调节圈、准直支架和准直透镜;所述光纤接头标准转接件接入所述密封支架,所述密封支架与所述过渡支架配合并固定在一起,整体和所述移动筒同轴配合;所述准直透镜安装在所述准直支架上,并整体固定在所述固定支架上;所述螺纹调节圈和准直支架通过螺纹配合安装;所述固定支架与准直支架为螺纹配合连接,且具两者具备旋转限位作用,旋转螺纹调节圈控制准直支架直线移动以实现准直透镜到光纤位置连续可调。与现有技术相比,本发明具有可实现焦距自由调节的优点。
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公开(公告)号:CN118759779A
公开(公告)日:2024-10-11
申请号:CN202411072361.7
申请日:2024-08-06
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明公开了一种宽带MEMs光学相控阵装置及其移相方法,属于光学相控阵技术领域。其装置包括若干上层衍射层和若干下层MEMs位移驱动器,每个上层衍射层与每个下层MEMs位移驱动器连接组成一个MEMs移相单元,若干个MEMs移相单元组成的阵列构成一个光学相控阵。其移相方法为上层衍射光栅将一定角度的入射光反射到一个所需的衍射级次上;下层MEMs位移驱动器带动上层衍射光栅位移;根据光栅的位移‑相移定律,实现宽带移相器的功能;每个所述MEMs单元按特定相移需求进行位移,构成一个宽带光学相控阵装置。本发明与现有MEMs光学相控阵及移相技术相比,本发明的相位调制不随波长变化,并且调制速度能到达微秒量级,因此基于该移相器的光学相控阵在宽带应用场景下具有极大优势。
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公开(公告)号:CN108515743B
公开(公告)日:2020-07-28
申请号:CN201810466339.9
申请日:2018-05-09
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种金属/介质超宽带吸收薄膜及其制备方法,所述金属/介质超宽带吸收薄膜包括由下而上依次设置的基板、第一薄膜和第二薄膜,所述第一薄膜(2)为由低折射率介质膜层L和高吸收金属薄层H交替设置构成的金属/介质膜堆,且第一薄膜与基板接触的一侧为低折射率介质膜层L,所述第二薄膜为一单层低折射率介质减反膜AR。与现有技术相比,本发明省略了传统厚层贵金属衬底,增加了薄膜与基板间的附着力和牢固度,选材方法新颖,实现了400nm‑7000nm约7μm的吸收带宽,薄膜平均吸收率大于92%。
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公开(公告)号:CN107748404B
公开(公告)日:2019-10-01
申请号:CN201710865078.3
申请日:2017-09-22
Applicant: 同济大学
IPC: G02B5/08
Abstract: 本发明涉及一种低散射损耗的高反射薄膜,包括由下而上依次设置的基板、第一薄膜、第二薄膜和第三薄膜,第一薄膜、第二薄膜和第三薄膜均由高折射率材料膜层H和低折射率材料膜层L交替设置构成,第一薄膜为1/4中心波长光学厚度的标准高反射薄膜结构,第二薄膜和第三薄膜均为全介质法珀腔薄膜结构,第一薄膜与基板接触的一侧为高折射率材料膜层H,第三薄膜与空气接触的一侧为高折射率材料膜层H,第一薄膜、第二薄膜和第三薄膜连接处高折射率材料膜层H和低折射率材料膜层L交替设置。与现有技术相比,本发明具有有效降低散射、材料选择范围广、制作成本低和易于推广等优点,在超高精度激光测量领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN106099629B
公开(公告)日:2018-10-26
申请号:CN201610629924.7
申请日:2016-08-04
Applicant: 同济大学
IPC: H01S3/06
Abstract: 本发明涉及一种超宽角度范围抑制板条激光器自发放大辐射的方法,具体为:在激光增益介质和金属热沉之间使用一个金属/介质宽带吸收膜来抑制自发放大辐射。金属/介质宽带吸收膜包括两部分,靠近激光增益介质部分是一层微米级厚度SiO2倏逝波薄膜,以保证信号激光全反射传输,在SiO2倏逝波薄膜之上镀制一种宽角度减反射高吸收金属/介质薄膜,使其能够在0°~全反射角°的超宽角度范围内,吸收穿透SiO2倏逝波薄膜的杂散激光,来抑制自发放大辐射。本发明可以根据实际的需求设计波长,在激光器领域有广阔的应用前景,可以从原理上解决限制激光器功率增大的因素,具有较高的可制备性,便于推广,为高功率固体激光器中ASE抑制问题提供一个全新的解决方案。
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公开(公告)号:CN107893216A
公开(公告)日:2018-04-10
申请号:CN201710944000.0
申请日:2017-09-30
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种修正石英监控法制备宽带增透膜沉积误差的方法,该方法包括以下步骤:1)设计监控厚度,制备一四层膜系,该四层膜系包括由高折射率材料制成的两种厚度的两层薄膜和由低折射率材料制成的两种厚度的两层薄膜;2)通过对制备的四层膜系的逆向反演及线性拟合,获得高折射率材料和低折射率材料的薄膜厚度偏差;3)以相同材料的所述薄膜厚度偏差对待制备的宽带增透膜的镀膜参数进行修正。与现有技术相比,本发明可以有效地修正沉积误差并提高光谱性能、操作简单且普适性强,使得宽带增透膜可以在实际中广泛生产。
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公开(公告)号:CN106435487A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201610908397.3
申请日:2016-10-10
Applicant: 同济大学
CPC classification number: C23C14/30 , C23C14/022 , C23C14/10 , C23C28/04
Abstract: 本发明公开了一种非线性晶体三硼酸锂晶体表面高激光损伤阈值增透膜的制备方法。针对LBO晶体各向异性强及增透膜的损伤机理,该方法的步骤包括LBO晶体表面采用IAD工艺镀SiO2膜、在LBO晶体表面IAD工艺镀制的薄膜上采用溶胶-凝胶法进行镀膜。由本发明制备的LBO增透膜光学特性优异、损伤阈值高、环境稳定性好,可以与现有的基板加工、清洗及薄膜制备工艺兼容。具有工艺重复性好、可控性强、易于推广等优点,在未来的高功率激光薄膜领域具有广泛应用前景。
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公开(公告)号:CN104535984B
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201410828917.0
申请日:2014-12-29
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种双通道复合波长近红外激光雷达发射系统光学镜头。两路光学通道的共用激光光源和前级扩束系统,两路通道输出不同口径的平行光束,通过转换镜切换进行分时工作,满足了紧凑化和低成本的要求,实现了模块化设计;共用的前级扩束系统利用两种光学材料进行消色差设计,满足复合工作波长的需求。通过改变激光光源输出波长,系统功能实现复合工作波长、双发射通道输出不同口径平行光束的多工作模态。本发明中的两路光学通道光轴平行,在调整好测试设备与待测目标后,仅仅调整系统的工作波长和移动切换镜即可对待测目标进行不同波段、不同测试模式的测量,显著提高了测量的便捷性。从工程应用角度考虑,为确保系统的切换复位精度,本发明采用了固定大口径折反射通道,对小口径通道加入反射切换机构的方式。
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公开(公告)号:CN102873048B
公开(公告)日:2014-07-16
申请号:CN201210417513.3
申请日:2012-10-29
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种激光薄膜表面的清洗方法,具体步骤为:用蘸有丙酮的棉签轻拭激光薄膜表面,将擦拭后的激光薄膜置于第一清洗槽中,第一清洗槽中加入碱性溶液对该样品进行清洗,溶液温度为室温;所述碱性溶液体积比为NH4OH:H2O2:H2O=1:10:50;将所得溶液分别在120KHz~180KHz、200KHz~300KHz频率下先后超声2~4分钟;所得样品放置于第二清洗槽中,用去离子水漂洗,去离子水温度为室温;将样品放置第三清洗槽3中,第三清洗槽中加入去离子水,分别在120KHz~180KHz、200KHz~300KHz频率下先后超声3~6分钟;取出样品,重复清洗,干燥,即得所需产品。本发明的优点是在达到较高清洗效率、有效去除表面有机污染物和污染颗粒的同时,对激光薄膜不会造成物理损伤,避免了薄膜在高功率激光系统使用中因为薄膜表面吸附的颗粒而引起的薄膜烧蚀损坏,保证激光薄膜在高功率激光系统使用中具有高的损伤阈值。
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