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公开(公告)号：CN116299812A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310029560.9
申请日：2023-01-09
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种金属‑介质偏振光栅及其制备方法，金属‑介质偏振光栅从下自上依次包括Si衬底层、SiO2介质层、SiO2光栅层、以及Al金属光栅层，所述SiO2光栅层上设有若干凹槽，所述凹槽表面上为Al/SiO2金属光栅层。该金属‑介质偏振光栅的制备方法为：(1)在Si衬底层表面镀上一层SiO2薄膜；(2)在步骤(1)的SiO2介质层表面旋涂一层HSQ光刻胶并依次进行低温固化、电子光刻曝光、热显影；(3)在步骤(2)的SiO2光栅层表面设置金属挡板，沉积金属，制备得到金属‑介质偏振光栅。与现有技术相比，本发明降低了制备难度，提升了其TM的透过率和消光比。
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公开(公告)号：CN118759779A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411072361.7
申请日：2024-08-06
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明公开了一种宽带MEMs光学相控阵装置及其移相方法，属于光学相控阵技术领域。其装置包括若干上层衍射层和若干下层MEMs位移驱动器，每个上层衍射层与每个下层MEMs位移驱动器连接组成一个MEMs移相单元，若干个MEMs移相单元组成的阵列构成一个光学相控阵。其移相方法为上层衍射光栅将一定角度的入射光反射到一个所需的衍射级次上；下层MEMs位移驱动器带动上层衍射光栅位移；根据光栅的位移‑相移定律，实现宽带移相器的功能；每个所述MEMs单元按特定相移需求进行位移，构成一个宽带光学相控阵装置。本发明与现有MEMs光学相控阵及移相技术相比，本发明的相位调制不随波长变化，并且调制速度能到达微秒量级，因此基于该移相器的光学相控阵在宽带应用场景下具有极大优势。
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公开(公告)号：CN118759778A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411072357.0
申请日：2024-08-06
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明公开了一种基于超表面的MEMs光学相控阵，属于光学相控阵技术领域。其装置包括若干MEMs横向位移器和若干超表面光栅，每个MEMs横向位移器与每个超表面光栅由下到上集成连接组成一个移相器单元，每个移相器单元均位于控制电路上，若干个移相器单元组成相控阵。本发明提供的一种基于超表面的MEMs光学相控阵，其中超表面光栅器具有高衍射效率和高激光损伤阈值以及MEMs横向位移器具有微秒级的响应速度。与现有MEMs相控阵技术相比，本发明提出的基于超表面的MEMs光学相控阵具有更高的光学效率、更强的激光负载和更快的扫描速度，在满足光束扫描系统小型化和轻量化的同时具备更优的性能，在导弹制导、测绘、无人驾驶等领域有着重要的作用。
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