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公开(公告)号：CN106169531A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610557381.2
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/48 , H01L33/005 , H01L33/02
Abstract: 本发明公开了一种ODR结构的倒装发光二极管及制备方法、倒装高压LED，包括衬底上依次设置N型层、有源层和P型层，经刻蚀形成台阶裸露出部分N型层，P型层和裸露出的N型层上形成电流扩展层，电流扩展层上形成DBR层，DBR层刻蚀裸露出部分电流扩展层，DBR层和裸露出的部分电流扩展层上形成Ag反射层，Ag反射层经剥离分别形成和P型层与N型层上的电流扩展层欧姆接触的P接触金属层和N接触金属层。本发明提高了芯片的亮度，不需要额外蒸镀金属与N‑GaN形成欧姆接触，节省了工艺步骤和材料，成本低。另外，对于倒装高压LED，该Ag反射层既可以作为形成ODR结构的高反射金属，又可以作为原胞之间的互联金属，节省了工艺步骤，提高了芯片的亮度。
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公开(公告)号：CN106129219A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610557364.9
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种增强光取出效率的LED芯片结构，包括衬底、N‑GaN层、有源层、P‑GaN层、低折射率填充料、P电极和N电极，衬底上依次形成N‑GaN层、有源层和P‑GaN层，有源层和P‑GaN层经蚀刻形成台阶沟道裸露出部分N‑GaN层，台阶沟道内填充低折射率填充料，裸露出的部分N‑GaN层和N电极连接，P型层和P电极连接。本发明大大增加了LED芯片侧向光的正向取出效率，增加了LED芯片的正向光强度。
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公开(公告)号：CN106129214A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610557040.5
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/005 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/48 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片的P电极结构、LED芯片结构及其制造方法，P电极由多层金属构成，其中最底层为Al，LED芯片结构包括衬底、N型层、有源层、P型层、ITO透明导电层、P电极和N电极，衬底上依次形成N型层、有源层和P型层，N型层和N电极连接，P型层上形成ITO透明导电层，ITO透明导电层上形成P电极，其中P电极的最底层为金属Al,Al经加热渗透进ITO透明导电层，使ITO透明导电层和P型层形成肖特基接触。本发明提升了电极的光反射率，提高了LED芯片的亮度，并且使得LED芯片的制作工艺更简单。
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公开(公告)号：CN106129192A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610567049.4
申请日：2016-07-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0075
Abstract: 本发明公开的一种发光二极管制备工艺，本发明的通过角度互补的方式制作具有等腰梯形截面的发光二极管，先通过光阻层和DBR阻挡层配合塑性，确定等腰梯形截面的倾斜角度，去掉光阻层后在DBR阻挡层之间的间隙中生长第二N‑GaN层、有源层以及P‑GaN，因此形成的发光二极管的角度由光阻层的角度决定，所以只需对光阻层角度进行控制就能够控制发光二极管的角度，而这个角度需要结合预先设定的LED灯高度、宽度等参数来控制。本发明根据发光二极管的宽度、高度来准确地控制反射光的出射角度，实现不同角度的出光结构，以避免光损失，提高出光量。
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公开(公告)号：CN105932034A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610458487.7
申请日：2016-06-23
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L27/15 , H01L33/005
Abstract: 增加ESD保护的LED芯片及其制造方法，涉及LED的生产技术领域。本发明在P极焊盘和第一绝缘层之间的透明导电层上设置图形化的a‑Si层；在部分第一绝缘层和部分图形化的a‑Si层上设置图形化的Drain极层；在透明导电层和另一部分图形化的a‑Si层设置图形化的Source极层；在透明导电层和图形化的Source极层、裸露的a‑Si层、部分图形化的Drain极层上设置第二绝缘层。本发明为可极大提升芯片ESD防护效果，为目前正装结构芯片提供一种具有ESD防护功能结构，该结构相对传统的齐纳二极管组方式更为简单，易于生产，也利于降低生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105789397A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610212121.1
申请日：2016-04-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066
Abstract: 一种正装GaN LED芯片及其制作方法，涉及发光二极管LED的生产技术领域。先在衬底的同一侧制作外延层和透明导电层，在N电极扩展条制作区域的透明导电层上，由透明导电层向N?GaN层分别刻蚀形成若干均匀分布的N电极流出孔道；在透明导电层上蒸镀形成电流阻挡层；在P电极扩展条制作区域的电流阻挡层上，由电流阻挡层向透明导电层分别刻蚀形成若干均匀分布的P电极注入孔道；对上述N电极流出孔道上方的电流阻挡层进行延续刻蚀；制作出P电极和P电极扩展条，N电极和N电极扩展条。本发明制作工艺简单、合理、方便，可大大降低成本。
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公开(公告)号：CN105702828A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610212122.6
申请日：2016-04-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Inventor： 陈亮 , 李俊贤 , 吕奇孟 , 吴奇隆 , 陈凯轩 , 张永 , 刘英策 , 李小平 , 魏振东 , 周弘毅 , 黄新茂 , 蔡立鹤 , 林志伟 , 姜伟 , 卓祥景 , 方天足
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L33/405 , H01L31/1884 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 一种复合透明导电层的制作工艺，涉及发光二极管LED芯片、太阳能电池、光电探测器等光电半导体器件的生产技术领域。本发明先在基础材料上形成10nm～300nm的透明导电薄膜层，在所述透明导电薄膜层上蒸镀具有高反射率的金属层，然后再通过100～500℃的合金工艺，制成复合透明导电层。此纳米金属颗粒会促进电流在晶界处（晶粒与晶粒之间）的扩散，相比于常规透明导电层，该复合透明导电层将拥有更好电流扩散效果，应用于光电半导体器件中能增加半导体器件的外量子效率。
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公开(公告)号：CN105374908A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510649507.4
申请日：2015-10-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/145
Abstract: 本发明公开一种蓝绿发光二极管芯片制作工艺，在衬底上依次生成非故意掺杂层、第一n型导电层、第一电流阻挡层、第一n型接触层、第二电流阻挡层、第二n型接触层、第三电流阻挡层、第二n型导电层、有源区、限制层、p型导电层和p型接触层；在p型接触层上掩模、光刻、ICP蚀刻至n型导电层；在裸露的第二n型导电层上掩模、光刻，采用ICP蚀刻穿第三电流阻挡层，裸露第二n型接触层的表面；在裸露的第二n型接触层表面再掩模、光刻，采用ICP蚀刻穿第二电流阻挡层，裸露第一n型接触层的表面；掩模、光刻p型接触层，在裸露的p型接触层上蒸镀ITO导电层；制作p电极和n电极。本发明可以提高电流扩展效果，提高发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN105355744A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510912098.2
申请日：2015-12-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种倒装蓝绿发光二极管芯片，涉及发光二极管的生产技术领域，本发明包括依次设置在衬底一侧的外延层，第一电极连接在第一型欧姆接触层上，金属反射层设置在透明导电层之上，第二电极设置在金属反射层上，在第一电极和外延层之间设置电极隔离层，在芯片表面及侧面设置芯片保护层，第一型欧姆接触层至少包括两层第一型欧姆接触结构层，第一电极与各第一型欧姆接触结构层均连接。本发明通过在外延生长结构中设置不同第一型欧姆接触层，通过芯片结构设置台阶式第一型欧姆接触面，形成有效地电流扩展趋势，增强了第一型电流扩展效果，降低了工作电压，有效提高发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN105304782A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510649958.8
申请日：2015-10-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/14
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/14
Abstract: 本发明公开一种蓝绿发光二极管芯片，包括p区、n区及有源区，有源区设置在p区与n区之间，在p区的导电层上设置p电极；n区外延结构采用由n型接触层与电流阻挡层交替构成的多级复合接触层，在多级复合接触层上设置多个接触面的n电极。本发明可以提高电流扩展效果，进而提高发光二极管的发光效率。
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