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公开(公告)号：CN104242830B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201410484497.9
申请日：2014-09-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供一种基于有源电感的可重配置超宽带低噪声放大器，具有高增益且增益可调，小面积，低噪声等特点。该低噪声放大器包括并联反馈放大器，Cascode放大器，基于全差分浮地有源电感反馈的共源放大器和输出缓冲级。所述并联反馈放大器，采用电阻替代传统的螺旋电感来实现宽带输入阻抗匹配，减小了芯片的面积，并且这种结构增大了跨导，使跨导由原来的gmN或gmP变为gmN+gmP，降低了放大器的噪声。Cascode放大器和共源放大器级联组成了中间放大级，增大了整个放大器的增益。所述有源电感为全差分浮地有源电感，整个放大器只采用了一个有源电感，极大地减小了芯片的面积，并且通过调节其偏置电压可以改变电感值的大小，进而改变低噪声放大器的增益，实现增益的可调。
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公开(公告)号：CN104091825B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201410331788.4
申请日：2014-07-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/165
Abstract: 本发明公开了一种超结集电区SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用由n型半导体柱和p型半导体柱交替排列的超结集电区结构，引入横向电场，改善集电区电场分布，从而达到提高器件击穿电压的目的。基区Ge组分采用从发射结侧向集电结侧呈递增的阶梯形分布结构，引入少子加速电场，有效减小基区渡越时间，从而提高器件特征频率。器件电流增益和特征频率的温度敏感性也得到改善，有效避免了器件静态工作点的漂移，有利于器件稳定工作。与常规的功率异质结双极晶体管相比，所述晶体管既具有高击穿电压特性，又具有优异的频率特性，且器件静态工作点不易随工作偏置及工作温度的变化而发生漂移，可实现器件在亚太赫兹功率应用领域的稳定工作。
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公开(公告)号：CN106301237A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610589332.7
申请日：2016-07-25
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H03F1/0216 , H03F1/26 , H03F1/56 , H03F3/189 , H03F2200/372 , H03F2200/451
Abstract: 本发明提供了一种低功耗三频带低噪声放大器，包括：带有源极电感和栅极电感的共源-共栅拓扑结构的输入级，能够进行三频带信号放大的电路模块和采用三重电流复用技术的放大输出级，分别实现本发明低噪声放大器的输入阻抗匹配和低的噪声，在三个频带下产生高阻抗进而对三个频带信号进行放大和实现低功耗、高增益、输出阻抗匹配。本发明低噪声放大器，能够在0.9GHz、2.0GHz和2.6GHz三个频带下工作，增益S21分别为19.76dB、22.67dB和23.07dB，在2.5V的静态工作电压下，功耗仅为13.3mW。
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公开(公告)号：CN103943670A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410146902.6
申请日：2014-04-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/737 , H01L29/0817 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/165
Abstract: 本发明公开了一种应变硅异质结双极晶体管，尤其是同时具有大电流增益和高击穿电压的超结集电区应变硅异质结双极晶体管。所述晶体管采用SiGe虚拟衬底结构，并在弛豫SiGe集电区中引入n型柱区和p型柱区交替排列的超结结构，其上分别外延生长应变SiGe基区和应变Si发射区。所述晶体管在弛豫SiGe集电区上外延生长应变SiGe基区可有效提高SiGe基区内Ge含量，增大发射区和基区间的带隙差，从而达到提高发射效率、增大器件电流增益的目的。同时，所述晶体管在集电区采用超结结构，可引入横向电场，改善集电区电场分布，从而达到提高器件击穿电压的目的。与常规的功率异质结双极晶体管相比，所述晶体管在保持优异高频特性的同时电流增益更大，击穿电压更高，可有效拓展异质结双极晶体管在射频和微波功率领域的应用。
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公开(公告)号：CN103905012A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410117449.6
申请日：2014-03-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种可小型化设计的电感，包括：第一双极型晶体管（Q1），第二双极型晶体管（Q2），螺旋电感（Lf），第一MOS管（M1），第二MOS管（M2）。本发明结合了螺旋电感与晶体管合成电管（有源电感）的优点，能够获得大的电感值，并且电感值可调节，占用面积小，品质因子高，功耗低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103546104A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310503791.5
申请日：2013-10-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03F1/26
Abstract: 本发明提供一种小面积、线性度可调谐的高线性Cascode低噪声放大器，涉及射频集成电路领域，以解决现有低噪声放大器线性度不具有可调谐性，芯片面积过大的问题。该发明包括由共射级晶体管的集电极连接共基极晶体管的发射极构成的Cascode结构和创新的失真抵消通路，其中，所述失真抵消通路与所述Cascode结构的共射极晶体管集电极和共基极晶体管的发射极相连接，所述失真抵消通路包括并联了电容的共基极晶体管和集电极-基极短路连接的晶体管，所述低噪声放大器的阻抗匹配通过电阻串联电容的并联负反馈实现。本发明采用失真抵消通路，实现了宽带的高线性和线性度的可调谐；芯片面积有了极大的减小。
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公开(公告)号：CN103545399A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310518342.8
申请日：2013-10-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/0304
Abstract: 本发明公开一种行波电极渐变耦合脊波导InP双异质结光敏晶体管（DHPT）。采用双异质结结构，包括一InP发射区-InGaAsP基区构成的（e-b）异质结和一InGaAsP基区-InGaAsP集电区构成的（b-c）异质结，代替传统异质结光敏晶体管（HPT）e-b结单异质结结构；一掺杂浓度很高的InGaAsP基区作为DHPT的光吸收层；一InGaAsP基区，InGaAsP集电区和InGaAsP次集电区形成的渐变耦合脊波导结构实现被探测光被侧边探测吸收，代替传统HPT光从顶端垂直入射的方式。光传输方向与载流子传输方向垂直，能分别优化光吸收效率和工作速度。一发射极电极和集电极电极构成的行波电极，可以有效的减少传统电极在传输高频信号时的分布效应，减少寄生电容对高速传输的影响，进一步提高器件的工作速度。
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公开(公告)号：CN118073958A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410100537.9
申请日：2024-01-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/024
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器液体喷流控温系统，包括由进液口、出液口、喷流柱、液体腔室、下螺纹孔、下密封凹槽和腔壁组成的喷流控温腔，由绕流柱、上螺纹孔、上密封凹槽、台板和焊盘组成的控温台。喷流柱顶端包含多圈喷流孔，其中同一圈上的喷流孔均具有相同的半径且喷流孔间的间距均相等，同时同一圈上喷流孔顶部与台板之间的距离均相等。喷流孔半径和喷流孔顶部与台板之间的距离分别随着喷流孔圈数从中心向外侧增加呈指数性减小和线性减小。同时本发明所述的控温台底部中心区域包含多圈绕流柱。本发明可以实现对半导体激光器温度的快速、便捷、精准调控，进而同步提升半导体激光器的光学和热学性能。
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公开(公告)号：CN113838927B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202110985799.4
申请日：2021-08-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/735 , H01L29/06 , H01L29/45
Abstract: 本发明公开了一种电荷等离子体SiGe异质结双极晶体管，为npn型晶体管。采用SiGe材料制备基区，与未掺杂的Si发射区和Si集电区形成异质结，通过有效改变发射结处能带结构来提高器件的电流增益。同时考虑到金属镉的功函数为4.07eV，易于与未掺杂的Si形成良好的金‑半接触，有效诱导产生n型电荷等离子体，且具有优良的导电性，较好的抗熔焊性，以及优异的抗拉强度和高耐磨性等优点，因此本发明采用金属镉作为发射极和集电极的电极材料，用于调节发射极和集电极下方对应发射区和集电区内n型载流子浓度。通过上述结构的有效配合，实现了晶体管电流增益、击穿电压和特征频率的同步提高。
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公开(公告)号：CN109742138B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN201910000686.7
申请日：2019-01-02
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种具有低温度敏感性的SOI SiGe异质结双极晶体管。晶体管采用由SiO2绝缘层和Si3N4绝缘层组成的多层绝缘层结构，可以有效减小衬底寄生电容，提高器件频率特性；降低漏电流，使得器件具有更低的功耗；消除闩锁效应以及改善混频信号电路串扰问题。Si3N4绝缘层改善器件热阻，达到降低器件整体温度分布的目的。晶体管的SiGe基区中Ge组分采用从发射结侧向集电结侧呈递增的阶梯型分布结构，在保证较高特征频率和较大电流增益的同时，使器件电流增益随温度变化趋势变缓，器件的温度敏感性得到改善。所述晶体管的结温更低，电流增益和静态工作点抗扰动能力更强，可在较宽的工作偏置范围内实现器件的热稳定工作。
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