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公开(公告)号：CN103905012B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410117449.6
申请日：2014-03-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种可小型化设计的电感，包括：第一双极型晶体管(Q1)，第二双极型晶体管(Q2)，螺旋电感(Lf)，第一MOS管(M1)，第二MOS管(M2)。本发明结合了螺旋电感与晶体管合成电感(有源电感)的优点，能够获得大的电感值，并且电感值可调节，占用面积小，品质因子高，功耗低。
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公开(公告)号：CN103546119B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201310503465.4
申请日：2013-10-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/04
Abstract: 本发明提供一种高Q值超宽带可调谐有源电感，涉及射频集成电路技术领域，以解决现有有源电感的电感值、Q值均不高，实部损耗比较大的问题。该发明包括电源、输入端与CMOS源随结构，其中，还包括传输线结构、有源反馈偏置、负阻补偿网络，所述传输线结构并联于所述CMOS源随结构的栅极和漏极之间，所述有源反馈偏置中的第二晶体管M2的源级与所述CMOS源随结构中的第一晶体管M1的栅级连接，第三晶体管M3的漏极与所述第一晶体管M1的源级连接，所述负阻补偿网络与所述有源反馈偏置中的第三晶体管M3的漏极连接，并且与所述CMOS源随结构的第一晶体管M1的漏极连接。本发明具有较大的电感值和品质因子Q，并使实部损耗减小。
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公开(公告)号：CN103905012A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410117449.6
申请日：2014-03-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种可小型化设计的电感，包括：第一双极型晶体管（Q1），第二双极型晶体管（Q2），螺旋电感（Lf），第一MOS管（M1），第二MOS管（M2）。本发明结合了螺旋电感与晶体管合成电管（有源电感）的优点，能够获得大的电感值，并且电感值可调节，占用面积小，品质因子高，功耗低。
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公开(公告)号：CN103546104A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310503791.5
申请日：2013-10-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03F1/26
Abstract: 本发明提供一种小面积、线性度可调谐的高线性Cascode低噪声放大器，涉及射频集成电路领域，以解决现有低噪声放大器线性度不具有可调谐性，芯片面积过大的问题。该发明包括由共射级晶体管的集电极连接共基极晶体管的发射极构成的Cascode结构和创新的失真抵消通路，其中，所述失真抵消通路与所述Cascode结构的共射极晶体管集电极和共基极晶体管的发射极相连接，所述失真抵消通路包括并联了电容的共基极晶体管和集电极-基极短路连接的晶体管，所述低噪声放大器的阻抗匹配通过电阻串联电容的并联负反馈实现。本发明采用失真抵消通路，实现了宽带的高线性和线性度的可调谐；芯片面积有了极大的减小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103546104B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310503791.5
申请日：2013-10-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03F1/26
Abstract: 本发明提供一种小面积、线性度可调谐的高线性Cascode低噪声放大器，涉及射频集成电路领域，以解决现有低噪声放大器线性度不具有可调谐性，芯片面积过大的问题。该发明包括由共射级晶体管的集电极连接共基极晶体管的发射极构成的Cascode结构和创新的失真抵消通路，其中，所述失真抵消通路与所述Cascode结构的共射极晶体管集电极和共基极晶体管的发射极相连接，所述失真抵消通路包括并联了电容的共基极晶体管和集电极-基极短路连接的晶体管，所述低噪声放大器的阻抗匹配通过电阻串联电容的并联负反馈实现。本发明采用失真抵消通路，实现了宽带的高线性和线性度的可调谐；芯片面积有了极大的减小。
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公开(公告)号：CN103888083A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410106213.2
申请日：2014-03-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种宽带低噪声放大器，其包括第一双极型晶体管，第二双极型晶体管，第三双极型晶体管，第四双极型晶体管，第五双极型晶体管，第六双极型晶体管，第七双极型晶体管，第一MOS管，第二MOS管，第一电阻，第二电阻，第三电阻，第四电阻，第五电阻，第六电阻，第七电阻，第八电阻，第九电阻，第一电容，第二电容，第三电容，第四电容。该宽带低噪声放大器在保障宽带低噪声放大器良好的增益特性、良好的噪声特性的情况下，减小了芯片面积，同时实现了增益可调节。
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公开(公告)号：CN103546119A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310503465.4
申请日：2013-10-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/04
Abstract: 本发明提供一种高Q值超宽带可调谐有源电感，涉及射频集成电路技术领域，以解决现有有源电感的电感值、Q值均不高，实部损耗比较大的问题。该发明包括电源、输入端与CMOS源随结构，其中，还包括传输线结构、有源反馈偏置、负阻补偿网络，所述传输线结构并联于所述CMOS源随结构的栅极和漏极之间，所述有源反馈偏置中的第二晶体管M2的源级与所述CMOS源随结构中的第一晶体管M1的栅级连接，第三晶体管M3的漏极与所述第一晶体管M1的源级连接，所述负阻补偿网络与所述有源反馈偏置中的第三晶体管M3的漏极连接，并且与所述CMOS源随结构的第一晶体管M1的漏极连接。本发明具有较大的电感值和品质因子Q，并使实部损耗减小。
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公开(公告)号：CN103888083B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201410106213.2
申请日：2014-03-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种宽带低噪声放大器，其包括第一双极型晶体管，第二双极型晶体管，第三双极型晶体管，第四双极型晶体管，第五双极型晶体管，第六双极型晶体管，第七双极型晶体管，第一MOS管，第二MOS管，第一电阻，第二电阻，第三电阻，第四电阻，第五电阻，第六电阻，第七电阻，第八电阻，第九电阻，第一电容，第二电容，第三电容，第四电容。该宽带低噪声放大器在保障宽带低噪声放大器良好的增益特性、良好的噪声特性的情况下，减小了芯片面积，同时实现了增益可调节。
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公开(公告)号：CN103532517A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310503445.7
申请日：2013-10-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/04
Abstract: 本发明提供一种具有大电感值、高Q值的新型可调有源电感，涉及射频集成电路技术，以解决现有的有源电感具有等效电感值和Q值较低，并且带宽较窄的缺点的问题。该发明包括输入输出端、Cascode结构和偏置电流源，其中，还包括有源电阻反馈和分流支路，所述有源电阻反馈包括无源电阻和第二NMOS管并联，并且所述有源电阻反馈两端分别与所述第二晶体管的基极和所述第三晶体管的集电极连接；所述分流支路包括第一NMOS管，并且所述第一NMOS管的漏极与第三晶体管的发射极连接。本发明通过对有源电阻反馈和分流支路中的NMOS管电压的调节，实现了有源电感具有大的电感值、高的Q值以及对电感值和Q值的可调谐性。
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