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公开(公告)号：CN103545399B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201310518342.8
申请日：2013-10-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/0304
Abstract: 本发明公开一种行波电极渐变耦合脊波导InP双异质结光敏晶体管（DHPT）。采用双异质结结构，包括一InP发射区-InGaAsP基区构成的（e-b）异质结和一InGaAsP基区-InGaAsP集电区构成的（b-c）异质结，代替传统异质结光敏晶体管（HPT）e-b结单异质结结构；一掺杂浓度很高的InGaAsP基区作为DHPT的光吸收层；一InGaAsP基区，InGaAsP集电区和InGaAsP次集电区形成的渐变耦合脊波导结构实现被探测光被侧边探测吸收，代替传统HPT光从顶端垂直入射的方式。光传输方向与载流子传输方向垂直，能分别优化光吸收效率和工作速度。一发射极电极和集电极电极构成的行波电极，可以有效的减少传统电极在传输高频信号时的分布效应，减少寄生电容对高速传输的影响，进一步提高器件的工作速度。
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公开(公告)号：CN104898761A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510357334.9
申请日：2015-06-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: G05F3/28
Abstract: 本发明提供了一种晶体管合成电感，包括：隔直流电容，第一跨导放大器，第二跨导放大器，反馈晶体管，第一电流镜，第二电流镜。两个跨导放大器分别为一个正跨导放大器与一个负跨导放大器，两个跨导放大器交叉连接构成回转器，回转器把第二跨导放大器的输入电容回转为等效电感。两个电流镜与反馈晶体管构成的电流镜反馈环路跨接在两个跨导放大器的输入端之间，用来减小因输入信号幅度的变化而引起的品质因子Q值的变化。本发明中的晶体管合成电感，当输入信号的幅度变化时，Q值基本保持恒定。具有恒定Q值的晶体管合成电感用于电压控制(电流控制)振荡器中，能够降低振荡器的相位噪声。
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公开(公告)号：CN104362987A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410559718.4
申请日：2014-10-18
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H03F1/0205 , H03F1/3205 , H03F3/165 , H03F2200/372 , H03G1/0029
Abstract: 超宽带可变增益放大器涉及射频集成电路技术领域。该放大器包括Cascode输入级，电流复用放大级，输出缓冲级和电流镜增益控制级。本发明采用Cascode结构实现输入匹配和噪声匹配，同时获得高增益。本发明采用两级电流复用结构将放大级和输出缓冲级连接起来，有效地降低该放大器的功耗。本发明采用电流镜增益控制结构实现增益可控，同时保证了电路的良好线性度和功率效率。
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公开(公告)号：CN106208997A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610589625.5
申请日：2016-07-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03G3/30
CPC classification number: H03G3/3036
Abstract: 超宽带双重增益控制电路实现了超宽带增益可变双重控制技术，该电路包括一个超宽频带内大范围增益可变电路和一个超宽频带内动态信号增益可变电路。该电路可以用于超宽带接收系统中，共同作用实现超宽带可变增益放大器的大范围增益可变和超宽频带内良好的增益平坦度。其中超宽频带内大范围增益可变电路为后级恒定增益放大单元提供可变的直流偏置，实现大范围增益变化；超宽频带内动态信号增益可变电路作为恒定增益放大电路的反馈支路提供特定频带内的增益微调，实现平坦度的改善。
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公开(公告)号：CN103545398B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201310485411.X
申请日：2013-10-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/0304
Abstract: 基区渐变的单向载流子传输的双异质结光敏晶体管探测器属于半导体光电子技术领域，是一种可同时实现高响应度、高截止频率的光敏晶体管(UTC-DHPT)探测器。本发明包括：一InP衬底，利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法在InP衬底上依次制备出InP缓冲层、InGaAsP次集电区、InGaAsP集电区、两层不同材料带隙波长的InGaAsP过渡层、材料带隙波长渐变的InGaAsP基区、InP发射区、InP盖层、InGaAs欧姆接触层；一发射极，采用溅射的方法制作在InGaAs欧姆接触层上；一基极，采用溅射的方法制作在InGaAsP基区之上；一集电极，采用蒸镀的方法制作在InP衬底上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103545398A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310485411.X
申请日：2013-10-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/0304
Abstract: 基区渐变的单向载流子传输的双异质结光敏晶体管探测器属于半导体光电子技术领域，是一种可同时实现高响应度、高截止频率的光敏晶体管(UTC-DHPT)探测器。本发明包括：一InP衬底，利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法在InP衬底上依次制备出InP缓冲层、InGaAsP次集电区、InGaAsP集电区、两层不同材料带隙波长的InGaAsP过渡层、材料带隙波长渐变的InGaAsP基区、InP发射区、InP盖层、InGaAs欧姆接触层；一发射极，采用溅射的方法制作在InGaAs欧姆接触层上；一基极，采用溅射的方法制作在InGaAsP基区之上；一集电极，采用蒸镀的方法制作在InP衬底上。
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公开(公告)号：CN103545399A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310518342.8
申请日：2013-10-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/0304
Abstract: 本发明公开一种行波电极渐变耦合脊波导InP双异质结光敏晶体管（DHPT）。采用双异质结结构，包括一InP发射区-InGaAsP基区构成的（e-b）异质结和一InGaAsP基区-InGaAsP集电区构成的（b-c）异质结，代替传统异质结光敏晶体管（HPT）e-b结单异质结结构；一掺杂浓度很高的InGaAsP基区作为DHPT的光吸收层；一InGaAsP基区，InGaAsP集电区和InGaAsP次集电区形成的渐变耦合脊波导结构实现被探测光被侧边探测吸收，代替传统HPT光从顶端垂直入射的方式。光传输方向与载流子传输方向垂直，能分别优化光吸收效率和工作速度。一发射极电极和集电极电极构成的行波电极，可以有效的减少传统电极在传输高频信号时的分布效应，减少寄生电容对高速传输的影响，进一步提高器件的工作速度。
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公开(公告)号：CN106208997B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201610589625.5
申请日：2016-07-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03G3/30
Abstract: 超宽带双重增益控制电路实现了超宽带增益可变双重控制技术，该电路包括一个超宽频带内大范围增益可变电路和一个超宽频带内动态信号增益可变电路。该电路可以用于超宽带接收系统中，共同作用实现超宽带可变增益放大器的大范围增益可变和超宽频带内良好的增益平坦度。其中超宽频带内大范围增益可变电路为后级恒定增益放大单元提供可变的直流偏置，实现大范围增益变化；超宽频带内动态信号增益可变电路作为恒定增益放大电路的反馈支路提供特定频带内的增益微调，实现平坦度的改善。
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公开(公告)号：CN104898761B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510357334.9
申请日：2015-06-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: G05F3/28
Abstract: 本发明提供了一种晶体管合成电感，包括：隔直流电容，第一跨导放大器，第二跨导放大器，反馈晶体管，第一电流镜，第二电流镜。两个跨导放大器分别为一个正跨导放大器与一个负跨导放大器，两个跨导放大器交叉连接构成回转器，回转器把第二跨导放大器的输入电容回转为等效电感。两个电流镜与反馈晶体管构成的电流镜反馈环路跨接在两个跨导放大器的输入端之间，用来减小因输入信号幅度的变化而引起的品质因子Q值的变化。本发明中的晶体管合成电感，当输入信号的幅度变化时，Q值基本保持恒定。具有恒定Q值的晶体管合成电感用于电压控制(电流控制)振荡器中，能够降低振荡器的相位噪声。
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公开(公告)号：CN104362987B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201410559718.4
申请日：2014-10-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 超宽带可变增益放大器涉及射频集成电路技术领域。该放大器包括Cascode输入级，电流复用放大级，输出缓冲级和电流镜增益控制级。本发明采用Cascode结构实现输入匹配和噪声匹配，同时获得高增益。本发明采用两级电流复用结构将放大级和输出缓冲级连接起来，有效地降低该放大器的功耗。本发明采用电流镜增益控制结构实现增益可控，同时保证了电路的良好线性度和功率效率。
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