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公开(公告)号：CN106301237B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201610589332.7
申请日：2016-07-25
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种低功耗三频带低噪声放大器，包括：带有源极电感和栅极电感的共源‑共栅拓扑结构的输入级，能够进行三频带信号放大的电路模块和采用三重电流复用技术的放大输出级，分别实现本发明低噪声放大器的输入阻抗匹配和低的噪声，在三个频带下产生高阻抗进而对三个频带信号进行放大和实现低功耗、高增益、输出阻抗匹配。本发明低噪声放大器，能够在0.9GHz、2.0GHz和2.6GHz三个频带下工作，增益S21分别为19.76dB、22.67dB和23.07dB，在2.5V的静态工作电压下，功耗仅为13.3mW。
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公开(公告)号：CN107302037A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201710436742.2
申请日：2017-06-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0264 , H01L31/0288
CPC classification number: H01L31/109 , H01L31/0264 , H01L31/0288
Abstract: 基区Ge组分分段分布的SiGe/Si异质结光敏晶体管探测器是一种兼顾可见光和近红外光波段的探测器。该探测器包括Si衬底；在Si衬底上依次制备出的Si次集电区、Si集电区、Ge组份分段分布的SiGe基区/吸收层和多晶Si发射区；多晶Si发射区上的发射极；SiGe基区上的基极；Si亚集电区上的集电极。光窗口设计在基区台面，避免了光窗口在发射区台面时对入射光的损耗。因为不同Ge组份的SiGe材料对可见光波段和近红外光波段入射光的吸收系数和吸收长度不同，采用了Ge组份分段分布的基区/吸收层可以分别对应吸收波长短的可见光和波长长的近红外光，均衡可见光和近红外光波段内的吸收效率。
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公开(公告)号：CN106301237A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610589332.7
申请日：2016-07-25
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H03F1/0216 , H03F1/26 , H03F1/56 , H03F3/189 , H03F2200/372 , H03F2200/451
Abstract: 本发明提供了一种低功耗三频带低噪声放大器，包括：带有源极电感和栅极电感的共源-共栅拓扑结构的输入级，能够进行三频带信号放大的电路模块和采用三重电流复用技术的放大输出级，分别实现本发明低噪声放大器的输入阻抗匹配和低的噪声，在三个频带下产生高阻抗进而对三个频带信号进行放大和实现低功耗、高增益、输出阻抗匹配。本发明低噪声放大器，能够在0.9GHz、2.0GHz和2.6GHz三个频带下工作，增益S21分别为19.76dB、22.67dB和23.07dB，在2.5V的静态工作电压下，功耗仅为13.3mW。
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公开(公告)号：CN107124157A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710270950.X
申请日：2017-04-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/48
Abstract: 一种高Q值、电感值可粗调细调的宽频带有源电感，包括：第一跨导单元(1)，调制单元(2)，第二跨导单元(3)，第三跨导单元(4)，第四跨导单元(5)，第一可调偏置电路(6)，第二可调偏置电路(7)，第三可调偏置电路(8)，第四可调偏置电路(9)。其中，调制单元(2)与第一跨导单元连接，用于增大有源电感的Q值和带宽；第一跨导单元、调制单元、第二跨导单元构成主回路，第三跨导单元、第四跨导单元构成从回路，主回路和从回路进行并联，增大了整个回路中用来合成电感的等效电容，从而提高了有源电感的电感值。本发明不但实现了有源电感在不同频率下高的Q峰值和Q峰值的可调谐，而且实现了对有源电感电感值的粗调和细调。
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公开(公告)号：CN106208997A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610589625.5
申请日：2016-07-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03G3/30
CPC classification number: H03G3/3036
Abstract: 超宽带双重增益控制电路实现了超宽带增益可变双重控制技术，该电路包括一个超宽频带内大范围增益可变电路和一个超宽频带内动态信号增益可变电路。该电路可以用于超宽带接收系统中，共同作用实现超宽带可变增益放大器的大范围增益可变和超宽频带内良好的增益平坦度。其中超宽频带内大范围增益可变电路为后级恒定增益放大单元提供可变的直流偏置，实现大范围增益变化；超宽频带内动态信号增益可变电路作为恒定增益放大电路的反馈支路提供特定频带内的增益微调，实现平坦度的改善。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107302037B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201710436742.2
申请日：2017-06-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0264 , H01L31/0288
Abstract: 基区Ge组分分段分布的SiGe/Si异质结光敏晶体管探测器是一种兼顾可见光和近红外光波段的探测器。该探测器包括Si衬底；在Si衬底上依次制备出的Si次集电区、Si集电区、Ge组份分段分布的SiGe基区/吸收层和多晶Si发射区；多晶Si发射区上的发射极；SiGe基区上的基极；Si亚集电区上的集电极。光窗口设计在基区台面，避免了光窗口在发射区台面时对入射光的损耗。因为不同Ge组份的SiGe材料对可见光波段和近红外光波段入射光的吸收系数和吸收长度不同，采用了Ge组份分段分布的基区/吸收层可以分别对应吸收波长短的可见光和波长长的近红外光，均衡可见光和近红外光波段内的吸收效率。
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公开(公告)号：CN106208997B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201610589625.5
申请日：2016-07-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03G3/30
Abstract: 超宽带双重增益控制电路实现了超宽带增益可变双重控制技术，该电路包括一个超宽频带内大范围增益可变电路和一个超宽频带内动态信号增益可变电路。该电路可以用于超宽带接收系统中，共同作用实现超宽带可变增益放大器的大范围增益可变和超宽频带内良好的增益平坦度。其中超宽频带内大范围增益可变电路为后级恒定增益放大单元提供可变的直流偏置，实现大范围增益变化；超宽频带内动态信号增益可变电路作为恒定增益放大电路的反馈支路提供特定频带内的增益微调，实现平坦度的改善。
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公开(公告)号：CN105226129B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201510680838.4
申请日：2015-10-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/028
Abstract: 一种SiGe/Si异质结光敏晶体管探测器是一种兼顾效率和速度的可见光及近红外光探测器。该探测器包括Si衬底；在Si衬底上依次制备出的Si亚集电区、Si集电区/吸收层、Ge组份非均匀分布的SiGe基区/吸收层、多晶硅发射区和多晶硅吸收层；多晶硅发射区上的发射极；SiGe基区上的基极；Si亚集电区上的集电极。器件分离光探测吸收和光电流放大两个功能区，分别优化载流子的传输速度和电流放大功能。光电流放大区是基于标准SiGe BiCMOS工艺的SiGe HBT；在其光吸收区，利用HBT的发射结和集电结作为吸收区的浅结和深结，分别对应吸收长度短的可见光波段和吸收长度长的近红外波段，均衡全波段内的响应度。
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公开(公告)号：CN105226129A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510680838.4
申请日：2015-10-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/028
CPC classification number: H01L31/11 , H01L31/028 , H01L31/035272
Abstract: 一种SiGe/Si异质结光敏晶体管探测器是一种兼顾效率和速度的可见光及近红外光探测器。该探测器包括Si衬底；在Si衬底上依次制备出的Si亚集电区、Si集电区/吸收层、Ge组份非均匀分布的SiGe基区/吸收层、多晶硅发射区和多晶硅吸收层；多晶硅发射区上的发射极；SiGe基区上的基极；Si亚集电区上的集电极。器件分离光探测吸收和光电流放大两个功能区，分别优化载流子的传输速度和电流放大功能。光电流放大区是基于标准SiGe BiCMOS工艺的SiGe HBT；在其光吸收区，利用HBT的发射结和集电结作为吸收区的浅结和深结，分别对应吸收长度短的可见光波段和吸收长度长的近红外波段，均衡全波段内的响应度。
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公开(公告)号：CN107124157B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201710270950.X
申请日：2017-04-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/48
Abstract: 一种高Q值、电感值可粗调细调的宽频带有源电感，包括：第一跨导单元(1)，调制单元(2)，第二跨导单元(3)，第三跨导单元(4)，第四跨导单元(5)，第一可调偏置电路(6)，第二可调偏置电路(7)，第三可调偏置电路(8)，第四可调偏置电路(9)。其中，调制单元(2)与第一跨导单元连接，用于增大有源电感的Q值和带宽；第一跨导单元、调制单元、第二跨导单元构成主回路，第三跨导单元、第四跨导单元构成从回路，主回路和从回路进行并联，增大了整个回路中用来合成电感的等效电容，从而提高了有源电感的电感值。本发明不但实现了有源电感在不同频率下高的Q峰值和Q峰值的可调谐，而且实现了对有源电感电感值的粗调和细调。
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