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公开(公告)号：CN115275777B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202210715111.5
申请日：2022-06-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种两相阵VCSEL激光光束控制装置及制备方法包括：VCSEL内腔层和第一液晶外腔层；VCSEL内腔层为在晶圆上生长的VCSEL外延结构，VCSEL外延结构上制备出按照一定周期性排列的发光单元；第一液晶外腔层紧贴于VCSEL内腔层的出光区表面作为反射层。本发明在VCSEL阵列激光器的基础上贴合液晶层，通过调节电压改变液晶层折射率值，进而调整发光单元之间的相位差和光束方向，解决传统VCSEL阵列激光器光束质量差的问题，实现高光束质量的同相模相干阵激光输出。
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公开(公告)号：CN114300943B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202111655783.3
申请日：2021-12-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明公开了一种电吸收主动调制自发脉冲式光子级联半导体激光器及制备方法，衬底的一侧依次形成有掺杂镧系稀土元素的泵浦源VCSEL半导体激光外延结构、第一反射层；衬底的另一侧依次形成有电吸收调制结构、第二反射层。本发明利用泵浦源VCSEL输出某波长特定激光泵浦，使掺杂在VCSEL有源区下方的镧系稀土元素掺杂层内稀土粒子能级发生粒子数反转，光致发光，形成光子级联，其产生的新波长光在第二波长谐振腔内振荡，并由电吸收调制结构进行主动调制。
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公开(公告)号：CN114374144A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202210056190.3
申请日：2022-01-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/024
Abstract: 本发明公开了一种微通道芯片的液氮循环散热系统及制备方法，系统包括半导体激光芯片，固接于半导体激光芯片下表面的微通道热沉，连接微通道热沉进液口的冷却液抽取管，连接微通道热沉出液口的冷却液集液管以及用于供应冷却液并控制冷却液在微通道热沉中循环的控制系统。其中，控制系统由冷却装置及用于储存冷却液的储液瓶构成，冷却装置连接冷却液集液管以对回收液进行再次降温液化并送入储液瓶中，储液瓶的出口连接冷却液抽取管，并设有开关阀以控制冷却液的通断及流量大小。本发明针对传统散热技术散热效率低的问题，采用微通道冷板并通以液氮作为冷却液对芯片进行循环散热，大大提高了芯片的散热效率。
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公开(公告)号：CN114336283A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111651600.0
申请日：2021-12-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明公开了一种光模式调制光子级联激光器及制备方法，包括：GaAs衬底；GaAs衬底的一侧依次形成有信号光上反射层、光子级联层、泵浦光有源区和泵浦光下反射层，GaAs衬底的另一侧依次形成光模式调制层和增反膜；光子级联层自信号光上反射层至泵浦光有源区依次包括第一泵浦光上反射层、稀土元素掺杂层、信号光下反射层和第二泵浦光上反射层。本发明先通过VCSEL结构输出特定波长泵浦光，泵浦光使稀土元素掺杂层的稀土元素晶体光致发光，形成光子级联，并产生信号光；信号光在GaAs衬底、光模式调制层和增反膜构成的外腔反馈结构内调制光场横模、锁定频率纵模，以得到高质量的单频信号光输出。
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公开(公告)号：CN114300940A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111651653.2
申请日：2021-12-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂VCSEL外腔反馈相干阵激光器及其制备方法，激光器包括衬底和衬底上所制备的具有稀土元素掺杂层的VCSEL芯片外延结构，VCSEL芯片外延结构中，第一激光谐振腔和第二激光谐振腔形成光子级联复合腔，第一激光谐振腔产生第一波长激光，第一波长激光作为第二激光谐振腔中的泵浦光；第二激光谐振腔中稀土元素掺杂层中掺杂的稀土元素离子在第一波长激光的激发下产生第二波长荧光；第二波长荧光进入第三激光谐振外腔后再进入第二激光谐振腔，形成外腔互注入反馈，并由第三激光谐振外腔输出相干阵第二波长激光。通过本发明的技术方案，输出窄线宽高光束质量的相干阵激光，提高了发光效率，提高了激光光束质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112117640B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202011204317.9
申请日：2020-11-02
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种衬底型衍射光学元件VCSEL分光结构及制备方法，自下而上依次包括：热沉、底发射VCSEL阵列芯片、带有二元衍射光栅的衬底层、超表面结构层、保护层和增透膜层；所述衬底层的底部设有所述底发射VCSEL阵列芯片，所述衬底层的顶部设有二元衍射光栅，所述超表面结构层的组成微元呈正方形网格结构排布。本发明在底发射VCSEL芯片上键合衍射光学元件，将VCSEL芯片每个发光单元发射的激光分束，使输出激光束数量级增大；以及在衍射光学元件之上键合超表面结构层，用于激光分束后聚焦。本发明设计的衬底型衍射光学元件的VCSEL分光结构可以在半导体工艺下一步制成，且不需要外部光学元件，易实现器件小型化、芯片化。
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公开(公告)号：CN109935546B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN201910316243.9
申请日：2019-04-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/762 , H01L27/12 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/58
Abstract: 本发明公开一种SOI衬底的结构包括：第一Si片和第二Si片，采用热氧化的方法对第一Si片进行氧化，得到一层氧化层，对第一Si片的氧化层进行刻蚀，形成带有沟道的氧化层；然后对第二Si片片注入氢，将第一Si片a和第二Si片b进行键合，并减薄顶层第二Si片的厚度，形成SOI衬底。本发明还提供一种SOI衬底结构的制备方法。可以有效减小传统SOI衬底中固定正电荷产生的电场对外延生长的影响，并提高BOX埋层的热导率。
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公开(公告)号：CN110429031B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201910776538.4
申请日：2019-08-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种降低砷化镓薄膜材料中缺陷的方法，包括：提供表面为GaAs薄膜材料的基片；将基片置于真空退火炉内，在600℃‑1250℃进行退火处理；随后在GaAs薄膜材料的表面制备一层保护层；将带有保护层的基片放置于离子注入机内进行Ga离子注入；再把该保护层腐蚀去除后，将基片放置于真空退火炉中，装入在热处理温度下产生特定砷蒸汽压时所需保护砷；抽真空，调节压力和温度，进行退火处理，退火温度为600℃‑1250℃；将炉内温度降至室温，取出基片，最终获得有低缺陷甚至无缺陷的GaAs薄膜材料的基片。本发明的方法简单快捷，可用于改善砷化镓薄膜的质量，从而用于制备高质量的砷化镓基光电器件以及电力电子器件。
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公开(公告)号：CN108878457B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201810730800.7
申请日：2018-07-05
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了SOI基复合集成PHEMT和MOSFET的外延结构及制备方法，该外延结构由复合集成在同一SOI衬底上的GaAs基PHEMT和MOSFET构成；SOI基PHEMT和MOSFET结构区被InGaP腐蚀隔离层隔开；制备方法为：在SOI衬底基础上生长GaAs层，再在GaAs层上依次生长各层得到PHEMT，InGaP腐蚀隔离层在GaAs N型高掺杂盖帽层上外延生长而成；MOSFET由在InGaP腐蚀隔离层上依次外延生长而成；经过相应的外延和材料沉积工艺，可以达到单片复合集成SOI基PHEMT和MOSFET器件的目的。本发明可用于5G通讯中将功放器件和模拟器件实现单芯片集成。
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公开(公告)号：CN112816187A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110014668.1
申请日：2021-01-06
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明提供一种激光光斑的质量判定方法，涉及激光质量测量评价技术领域，包括：获取待测光斑的图片，提取图片的灰度信息；根据灰度信息在待测光斑的图片中标记光斑中心和光斑边界；计算光斑中心与光斑边界的最远像素距离，记为光斑半径；以待测光斑的光斑中心为中心、光斑半径为半径生成基模高斯光斑作为参考光斑；将待测光斑与参考光斑对比，计算待测光斑的光斑质量。本发明规避了光斑图片的像素数、尺寸、亮度、形状等因素的干扰，能够直接反应待测光斑的能量分布均匀度；为光斑质量评估建立了一种标准，使得不同待测光斑在光斑质量角度上具有了可比性，同时，得到的待测光斑质量结果对于注重光斑效果的领域具有重要意义。
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